75

Российская микроэлектроника для космоса: кто и что производит

Материал с http://habrahabr.ru/post/217427/  , автор - amartology

В связи с известными событиями в новостях появились сообщения о том, что США запретили поставки микроэлектроники для российских спутников и военной техники. 

Такое развитие событий может негативно повлиять на состояние российской аэрокосмической и оборонной промышленности, ведь ежегодный импорт электроники для космической промышленности составляет два миллиарда долларов, и это чипы, критически важные для работоспособности спутников. Некоторые чиновники (смотрите статью по ссылке) уже начали предаваться панике и разговаривать о покупке электроники в Китае, который якобы наладил у себя производство всего необходимого. Я же хочу немного рассказать о том, какие микросхемы разрабатываются и производятся для космической отрасли в России. Сразу скажу, что этот обзор никоим образом не претендует на полноту и будет касаться именно микросхем (причем кремниевых), тогда как потребности космоса ими не ограничиваются – нужны еще пассивные компоненты, СВЧ-приборы, силовые дискретные элементы и многое-многое другое, что тоже частично импортируется, а частично разрабатывается и производится в России. Описать это все – задача совершенно непосильная, да и не очень нужная, потому что цель этого обзора – не описать все, что есть, а показать, что не все так плохо, как кажется паникерам. Специфика отрасли такова, что почти вся действительно важная информация закрыта, но кое-что интересное накопать все равно удалось.

Небольшое отступление-напоминание: микросхемы для работы в космосе должны быть устойчивыми к воздействию радиации. О том, почему это так и как именно радиация влияет на электронные приборы, можно почитать здесь и здесь.

Главная проблема использования импортных комплектующих в аэрокосмической и военной промышленности – то, что эти комплектующие обычно не предназначены для работы в таких условиях (то есть являются обычным ширпотребом, изначально предназначенным для утюгов и холодильников). Эта ситуация сложилась в девяностые годы, когда ничего другого просто не было, а то, что было, стоило больше, чем разработчики космической аппаратуры могли себе позволить. Именно поэтому сроки активного функционирования российских спутников до сих пор очень серьезно отстают от американских или европейских. Например, прекрасный американский бортовой компьютер RAD750 (стоящий на марсоходе Curiosity) в Россию не продавали никогда, а своих его аналогов в России не было до последнего времени. Так что проблема с импортом возникла не вчера, и решать ее начали довольно давно. В 2007-м году была принята федеральная целевая программа «развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2011 годы. Дальше финальный год программы стал 2015-м, и уже скоро мы с вами должны увидеть ее результаты, которыми в том числе является замещение импортных комплектующих в космической и оборонной промышленности российскими разработками.

Существуют списки микросхем, подлежащих замещению, но они, к сожалению, засекречены. В открытых источниках можно найти информацию (линк на скачивание pdf) о том, что количество позиций в этих списках – сотни или даже тысячи (и это только микросхемы, не говоря о пассивных элементах типа высокоточных резисторов, которых еще больше). Ситуация осложняется тем, что разработчики аппаратуры в подавляющем большинстве случаев хотят, чтобы им сделали «точно такое же, но российское» (то есть речь идет копировании зарубежных разработок вплоть до пин-совместимости), тогда как список наверняка можно сократить в несколько раз за счет разработки набора систем на кристалле, единых для всех разработчиков и настраиваемых под нужды конкретных пользователей. Сюда же идут унификация интерфейсов передачи данных (которой сейчас нет) и другие достаточно очевидные меры. Работа в этом направлении, насколько я знаю, ведется, но вы же понимаете, что разрабатывать бортовую аппаратуру с нуля может оказаться еще дороже, чем разрабатывать большее количество микросхем, чем необходимый минимум.

Фабрики

Собственно обзор разработчиков и производителей микросхем для космической промышленности (и частично военной, так как они достаточно сильно взаимосвязаны) стоит начать с производств, потому что их в России существенно меньше, чем разработчиков, и именно в этой области отставание от заграницы катастрофическое. Я не буду подробно останавливаться на фабриках с проектными нормами более полумикрона, потому что они безнадежно устарели, и какие-то новые разработки на них ведутся разве что от безысходности. Тем не менее, на них делается очень много всего, в первую очередь – микросхемы малой степени интеграции, силовая электроника, СВЧ и т.д. А вот заводов с более-менее современными проектными нормами всего четыре. 

ЗЫ Вот тут, кстати, можно почитать отвлеченный от космоса взгляд двухлетней давности.

Зеленоградский завод «Микрон» (вот пост с красивыми картинками) заявляет на своемсайте наличие технологий:

1) 180 нм объемная технология с EEPROM – уже хорошо известная разработчикам технология, на которой работают практически все, кто имеет такую возможность. По ней же сделаны, например, чипы для билетов московского метро. Наличие EEPROM полезно для таких применений, как встраиваемые микроконтроллеры, нужные не только для космоса, но и для «гражданских» применений. Дизайн-киты доступны разработчикам.

2) 250 нм кремний на изоляторе (КНИ) – по этой технологии уже ведутся отдельные разработки, но о готовых продуктах я еще не слышал. Технология, по-видимому, представляет собой частичный порт 180 нм на пластины кремния на изоляторе. Дизайн-киты доступны разработчикам. 

3) 180 нм КНИ – заявлена 2012-м годом, на практике о ней уже достаточно давно ничего нового не слышно. То есть она в разработке, но когда именно будет готова для проектирования – не очень понятно. Во всяком случае, я нигде не нашел такой информации.

4) 90 нм объемная. Совсем недавно «Микрон» лицензировал у Cadence софт для физической верификации для этой технологии. Никаких упоминаний о конкретных разработках по ней пока найти не удалось, только общие слова о том, что они ведутся.

5) Совсем недавно в новостях появились упоминания технологии 65 нм, но там все пока что на уровне тестовых кристаллов. Серийное производство обещают уже в этом году.

Важная вещь, которую стоит отметить – это цитата с микроновского сайта: «Поставщиками оборудования и материалов, партнерами по созданию инфраструктуры выступили более 50 компаний из 12 стран мира». Это то, что частенько упускают, говоря о преодолении запрета импорта на отечественном производстве – огромное количество запчастей и расходных материалов тоже импортируется, и запрет на их импорт может быть эффективнее запрета импорта готовых микросхем. Надеюсь, что этого не случится в ближайшее время, и что найдутся деньги и ресурсы на то, чтобы организовать производство расходников в России.

«Ангстрем» (и «Ангстрем-Т»), Зеленоград

1) 1,2 мкм кремний на сапфире (КНС) – технологии тысячи лет, но она до сих пор востребована (видимо, консервативными военными заказчиками для микросхем с высокой радиационной стойкостью, для которых надежность и проверенность решений важнее их своевременности).

2) 0,6 мкм, объемный кремний, кремний на сапфире, кремний на изоляторе, возможность изготовления EEPROM, BiCMOS, IGBT. Видимо, хороший процесс для силовой электроники.

3) «Создаваемые» технологии с проектными нормами 350-250 нм. 

4) «Создаваемые» технологии с проектными нормами 130, 110 и 90 нм.

История «создания» технологий на «Ангстреме» долгая, трудная и пока не разрешившаяся. Процесс и оборудование 130 нм были куплены у AMD, 90 нм – у IBM. Каждый год уже лет пять говорят, что вот-вот все будет, но пока что никак.

По поводу радиационной стойкости на сайте «Ангстрема», кстати, написан отборнейшийбред на тему того, что их кремний на сапфире – единственный подходящий техпроцесс в России и что практика показала невозможность изготовления радиационностойких схем на технологиях меньше 250 нм. Посмотрим, что будет, когда они запустят 130 и 90 нм :-) Физику вряд ли выучат, а вот наличие практики производства может положительно сказаться на понимании того, что в штатах чипы для космоса уже проектируют на 45 нм, а в России – на 65 (правда зарубежном).

НИИ системных исследований РАН, Москва

Фабрика НИИСИ РАН находится на территории Курчатовского института в Москве и обладает технологиями с проектными нормами 500, 350 и 250 нанометров на пластинах объемного кремния и КНИ. Изначально не предназначена для крупносерийного производства и позиционируется как «исследовательская фабрика Академии наук». Большинство производимых здесь микросхем разработаны самим НИИСИ, однако фабрика работает и с внешними заказчиками, например, с воронежским НИИЭТ, который производит здесь свои радиационностойкие микроконтроллеры.

Других подробностей нет, а последние открытые публикации о фабрике датируются чуть ли не временем ее открытия.

«Интеграл», Минск

Минский «Интеграл» считается нашими военными и прочими инстанциями отечественным предприятием со всеми вытекающими обстоятельствами. Занятно, не правда ли?

Основные технологии «Интеграла» – старые, с проектными нормами 0,8 мкм и больше, однако в последние несколько лет белорусы самостоятельно спроектировали и запустили технологии 0,5 и 0,35 мкм на объемном кремнии и КНИ. У них всего три металла (что мало для микропроцессора), однако «Интеграл» разрабатывает на них микросхемы SRAM с емкостью 1 Мбит и высокой радиационной стойкостью, а также аналоговые микросхемы.

В докладах с научных конференций фигурируют также технологии 0,18 мкм и 0,5-0,25 мкм BiCMOS, флэш-память (единственная на территории СНГ?) и FRAM.

Подавляющее большинство (если не все) разработок на своих технологиях «Интеграл» ведет самостоятельно.

На этом все. Выглядит немного печально, не находите? Да, радиационностойкой электронике для космоса не всегда требуются такие же проектные нормы, как обычной, и отставание в несколько поколений не очень страшно (марсоход Curiousity на 250 нм прекрасно работает), но все же новые радстойкие процессоры BAE systems разрабатываются по технологии 45 нм, а у нас пока что до промышленного освоения 90 нм дело не дошло. С другой стороны, еще пять лет назад практически ничего этого не было, а сегодня у российских заводов есть вполне реальные возможности обеспечить космонавтику микроэлектроникой собственного производства.

Разработчики

Теперь о разработчиках. Их намного больше, чем производителей, но до недавнего времени было нормальной практикой изготавливать разработанные в России микросхемы где-нибудь за рубежом, например, на Тайване (TSMC), в Германии (XFAB) или в Израиле (Tower). Во времена, когда ничего лучше 0,8 мкм в России не было, на это закрывали глаза даже военные, считая, что «разработано в России» = «российское». Сейчас времена несколько изменились, и российские разработчики все больше изготавливают свои продукты на «Микроне» (то есть там не только чипы для метро делают).

Необходимо также отметить тот факт, что подавляющее большинство российских разработчиков микроэлектроники так или иначе завязаны на бюджетные деньги и крупные заказы, особенно космические или военные, а сугубо коммерческих заказов немного. С другой стороны, существенную долю прибыли нескольких предприятий (например «ВЗПП-Микрона» и «Ангстрема») составляет экспорт. Впрочем, я отвлекаюсь от основной темы обзора, так что ограничусь замечанием, что представленные ниже продукты – это далеко не все, что производится, а для многих компаний космическая тематика не является основной.

«Миландр», Зеленоград

ЗАО ПКК «Миландр», базирующийся в Зеленограде – компания с двадцатилетней историей и, что более важно для нас, с самым подробным среди всех российских микроэлектронных компаний сайтом. На нем удалось найти вот что:

1645РУ2Т – статическое ОЗУ (SRAM) емкостью 64 Кбит. В серийном производстве с 2008 года.

1645РУ5У – статическое ОЗУ (SRAM) емкостью 4 Мбит. ОКР заканчивается в 2014 году.

Судя по годам выпуска, первая микросхема выпускается на какой-то совсем старой технологии, вторая – 180 нм (наверняка на «Микроне»).

По ссылке (осторожно, трафик) можно найти фотографии радиационностойкого 8-битного микроконтроллера 1886ВЕ10 (аналог PIC17), информации о котором на сайте почему-то нет.

Технология – микроновские 180 нм, по радстойкости полный фарш из кольцевых транзисторов и многотранзисторных запоминающих элементов. Точных данных в открытом доступе нет, но микросхема с такими методами защиты должна выдерживать ядерный взрыв, не то, что долговременный полет в космосе.

1645РТ2У – однократно программируемое ПЗУ (antifuse) емкостью 256 кбит. ОКР сдан в 2013 г.

Вот здесь можно посмотреть, как она выглядит. Проектные нормы, судя по вскрытому кристаллу, 680 нм.

5576РТ1У – однократно программируемое ПЗУ (antifuse) емкостью 1 Мбит. ОКР сдан в 2013 г. Проектные нормы, скорее всего, 180 нм (технология «Микрона»).

Для других микросхем «Миландра» радиационная стойкость не заявлена, однако например в новостях на сайте можно найти такую строчку: «Обновлены параметры стойкости к спецфакторам для микросхемы 1310ПН1У (значительно улучшены)». 1310 – это индуктивный преобразователь питания, для которого радиационная стойкость не заявлена. Если все микросхемы, поставляемые с пятой приемкой, имеют хотя бы какую-то стойкость к радиации, то у «Миландра» есть еще довольно широкий набор микросхем интерфейсов, управления питанием и АЦП/ЦАП.

Перспективная разработка «Миландра» – их первый радиационностойкий и сбоеустойчивый микропроцессор. Он пока что не имеет собственного обозначения и презентуется на различных конференциях под именем «Обработка-13». (ссылка на скачивание pdf) По ссылке – презентация об устройстве процессора и его проектировании в части обеспечения радиационной стойкости. Там есть интересные и спорные решения, но выглядит впечатляюще (за исключением совместной работы ядер, пожалуй).

Процессор – двухъядерный ARM Cortex-M4F с режимами раздельной работы ядер и аппаратным дублированием. Тактовая частота – 100 МГц, SRAM 32 кбайт, ПЗУ 128 кбайт, широкий набор интерфейсов и аналоговой периферии.

Производиться «Обработка-13» будет на немецкой фабрике XFAB. 

НПЦ «Элвис», Зеленоград

«Элвис» в настоящее время активно продвигает собственную продукцию в космическую отрасль, активно сотрудничая с заводом «Микрон» в части технологии и с НИИ «Субмикрон» в части производства космической аппаратуры. Также «Элвис» участвует в международной рабочей группе по разработке стандарта передачи данных SpaceWire, на который в ближайшей перспективе переходит Европейское космическое агентство и, возможно, Роскосмос.

Пробная ласточка «Элвиса» в части аэрокосмических применений – микросхема памяти1657РУ1У (SRAM 4Мбит), изготовленная по зарубежной технологии 250 нм. 

Не хотелось бы язвить, но на подробной страничке с информацией о микросхеме (побольше таких бы) в параметрах радиационной стойкости можно найти вот что: «суммарная накопленная доза 330 крад, КТЗ 500 крад», а в параметрах, записанных в факторах согласно ГОСТ (внизу таблицы), цифра другая. Какая именно – не скажу, потому что этот ГОСТ – секретный, в отличие от аналогичных стандартов наших американских заклятых друзей. Кроме того, ходят слухи, что испытания первых микросхем проводились по каким-то специально обученным методикам, так что в том, что все работает действительно хорошо, есть некоторые сомнения.

1892ВМ8Я – двухъядерный процессор с ядром общего назначения (совместимо с MIPS-32) и ядром цифровой обработки сигналов. Тактовая частота 80 МГц, 480 MFLOPs при вычислениях с плавающей точкой, широкий набор интерфейсов – итого достаточно серьезная машина получается. Технология, как и предыдущей схемы памяти, 250 нм КМОП (зарубежная).

Сейчас «Элвис» разрабатывает несколько аналогичных процессоров на микроновских технологиях 180 нм и 250 нм КНИ, но результаты еще не пошли в серию. Разрабатываемый комплект микросхем «Мультиборт» был на днях представлен на выставке «Новая электроника», а на сайте «Элвиса» я нашел вот этот документ (ссылка на скачивание pdf)

В комплекте обозначено более двадцати микросхем с годом начала выпуска вплоть до 2014-го: микропроцессоры, АЦП, контроллеры внешних устройств и коммутаторы, позволяющие полностью организовать сеть передачи данных на борту космического аппарата.

После отработки решений на зарубежных фабриках «Элвис» делает все перспективные микросхемы полностью в России на «Микроне» (проектные нормы 180 и 90 нм).

НИИСИ РАН, Москва

НИИ системных исследований Российской академии наук (НИИСИ РАН) имеет самый большой опыт среди российских разработчиков процессоров для космоса (с 2001 года) и выпускает серию микропроцессоров с системой команд «КОМДИВ» (имеющей определенное сходство с MIPS32). (Ссылка на википедию, читать источники внизу страницы).

5890ВЕ1Т (КОМДИВ32-С) – 32-битный микропроцессор с встроенным интерфейсным контроллером, 33 МГц, технология 500 нм КНИ. Судя по открытым источникам, давно и успешно летает в системах управления космических аппаратов.

5890ВМ1Т (КОМДИВ-32Р) – 32-битный микропроцессор с повышенной стойкостью к одиночным сбоям. 33 МГц, 500 нм КНИ. Вот статья про него в американском научном журнале Transactions on Nuclear Science

5890ВГ1Т – двухканальный интерфейсный контроллер интерфейса MIL-STD-1553.

1900ВМ2Т (Резерв-32) – 32-битный микропроцессор с аппаратным троированием на уровне составных частей ядра и защитой от одиночных сбоев. Тактовая частота 66 МГц, технология 350 нм.

Статическое ОЗУ (SRAM) 1 Мбит, время обращения 30 нс. Технология КНИ 350 нм.

Четыре процессора, указанных выше, производятся серийно, а на 2014 и 2015 год заявлено начала выпуска еще четырех процессоров.

1907ВМ014 – 32 бита, частота 100 МГц, технология 250 нм. На кристалле системный контроллер, SpaceWire, Ethernet и интерфейс MIL-STD-1553.

1907ВМ038 – 32 бита, частота 125 МГц, технология 250 нм. На кристалле интерфейсы SpaceWire и Serial RapidIO.

1907ВМ044 – 32 бита, 66 МГц, 250 нм, встроенный системный контроллер, троирование ядер и повышенная стойкость к одиночным сбоям, SpaceWire.

1907ВМ028 – 64 бита, 150 МГц, 250 нм, встроенный системный контроллер, два уровня кэш-памяти (у остальных – один), Serial RapidIO, Ethernet.

У всех процессоров НИИСИ, выполненных на технологии КНИ, стойкость к полной поглощенной дозе, достаточная для космических применений, отсутствует тиристорный эффект, а также применены (у всех, кроме 5890ВЕ1Т) специальные меры для повышения стойкости к одиночным сбоям (коды Хэмминга в кэш-памяти, специальные ячейки SRAM, аппратное троирование на уровне составных блоков ядра процессора).

Кроме того, у НИИСИ есть еще вот такой ОКР: «Разработка 128-разрядного высокопроизводительного микропроцессора на структурах КНС/КНИ 0,25 мкм, совместимого с архитектурой КОМДИВ, для систем цифровой обработки сигналов», шифр «Схема-10». То есть это уже не 32 или 64 бита, а целых 128. Работа начата в 2012-м году.

НТЦ «Модуль», Москва

«Модуль» производит DSP процессоры с собственной оригинальной архитектурой и вычислительные модули на основе своих и чужих процессоров, в том числе для космических применений.

Главная собственная микросхема «Модуля» DSP Neuromatrix (Л1879ВМ1). Тактовая частота 40 МГц, технология 0,5 мкм (Samsung).

Микросборка 2605ВГ1Т – логика и приемопередатчик интерфейса MIL-STD-1553 со встроенной памятью.

1895ВА1Т – логическая часть контроллера канала интерфейса MIL-STD-1553

1879ВА1Т – интерфейсный контроллер для связи вычислительного процессора с интерфейсом MIL-STD-1553

НИИМА «Прогресс», Москва

НИИМА «Прогресс» является одним из головных разработчиков приемников и передатчиков ГЛОНАСС.

5512БП2Ф – система на кристалле с микропроцессорным ядром и базовым матричным кристаллом, программируемым под нужды пользователя. Технология 180 нм («Микрон»), рабочая частота процессора 150 МГц, арифметического сопроцессора 50 МГц. Процессорное ядро – «Кварк» компании КМ211

«СБИС с МП ядром СнК Алмаз-9» – тот же самый набор периферии с другим ядром и на технологии КНИ 240 нм («Микрон») для повышения радиационной стойкости. Завершение ОКР в 2014 году.

Дизайн-центр «Союз», Зеленоград

ДЦ «Союз» разрабатывает аналого-цифровые базовые матричные кристаллы на базе «микроновской» технологии КНИ 0,24 мкм. Завершение ОКР намечено на 2014 и 2015 год

5400БК1Т, 5400БК2У – общего назначения. 110к цифровых вентилей, 50к «аналоговых» транзисторов, 56 ОУ, 56 компараторов, 6 АЦП, 6 ЦАП, источник напряжения и другие блоки

5400ТР014 – прецизионный. 110к цифровых вентилей, 10к «аналоговых» транзисторов, 3- ОУ, 2 АЦП, 2 ЦАП, 2 УВХ, источник напряжения и т.д.

P.S. Базовый матричный кристалл — это микросхема из базовых ячеек без нескольких верхних слоев металлизации, при помощи которых ячейки можно соединить нужным заказчику образом. Этакий допотопный аналог ПЛИС. До сих пор востребованы, что характерно.

НПК «Технологический центр» МИЭТ, Зеленоград

НПК «Технологический центр» МИЭТ работает с «Микроном» и имеет собственную фабрику с проектными нормами 1,5 мкм, на которой они успешно делают радиационностойкие микросхемы малой степени интеграции и базовые матричные кристаллы, а также полузаказные СБИС на основе этих БМК – контроллеры интерфейсов, внешних устройств, приемопередатчики и т.д.

«Мультиклет», Екатеринбург

Уральская компания «Мультиклет», развивающая собственную оригинальную процессорную архитектуру, анонсировала выход в 2015-м году радиационностойкого четырехъядерного микропроцессора. Других подробностей пока нет, производство, насколько я понимаю, планируется за границей. Пост о существующих процессорах — вот.

КТЦ «Электроника», ВЗПП-С, ВЗПП-Микрон, Воронеж

Воронежские предприятия – осколки огромного некогда НПО «Электроника» и Воронежского завода полупроводниковых приборов (ВЗПП). Его отдельные части продолжают работать и сейчас, но разделить, кто чем занимается, довольно сложно, потому что информации очень мало, а данные в даташитах частично пересекаются. Дабы не распыляться, перечислю три предприятия – КТЦ «Электроника» и две инкарнации Воронежского завода полупроводниковых приборов – ВЗПП-С (с – это сборка) и ВЗПП-Микрон.

Основную продукцию всех трех предприятий составляют ПЛИС и микросхемы малой степени интеграции. Со вторыми все более-менее ясно: это производимые, наверное, еще с советских времен (на соответствующих проектных нормах) дискретные элементы силовой электроники и логические микросхемы серий 1504, 1505 и т.д. Удивительно, но факт: основная статья доходов ВЗПП-Микрон, судя по микроновскому сайту – это экспорт, а сайт самого ВЗПП-Микрон вообще англоязычный.

С ПЛИС все интереснее, потому что они очевидно предназначены для импортозамещения продукции компании Altera, с которой они программно совместимы. Разрабатывает их, судя по всему, КТЦ «Электроника».

Емкость двух обозначенных на сайтах ПЛИС составляет 50к и 200к вентилей, производятся они на немецкой фабрике XFAB. Еще несколько ПЛИС, стойких к воздействию радиации сейчас разрабатывается на базе технологий «Микрона». 

НИИЭТ, Воронеж

Еще одно воронежское предприятие, работающее для космической промышленности – ОАО «НИИ Электронной техники» (НИИЭТ).

НИИЭТ разрабатывает широкий набор микроконтроллеров (8-бит MCS-51, AVR, 16-бит MCS-96, C166), DSP (аналоги Texas Instruments), АЦП/ЦАП и других. Производство, судя по заявленным возможностям предприятия – на XFAB.

В каталоге предприятия три радиационностойких микросхемы:

1830ВЕ32У/1830ВЕ32АУ – 8 бит, 12/16 МГц, 256 байт ОЗУ (аппаратно троированного!), ПЗУ нет, функциональный аналог Intel 80C51FA

1874ВЕ05Т – 16 бит, 20 МГц, 488 байт SRAM, функциональный аналог Intel 196

Все радиационностойкие микросхемы, в отличие от обычных аналогов, производятся в России, на фабрике НИИСИ РАН по технологии 0,5 мкм КНИ.

В таблице перспективных радиационностойких разработкок на ближайшие два года почти десяток позиций, самые интересные из которых – семейство ЦАП, два DSP и микропроцессор с архитектурой SPARC (аналог широко применяемых как в Европе, так и в России процессоров LEON3, поставки которых в Россию совсем недавно прекратились). Удивительно кстати то, что этот процессор делает НИИЭТ, а не например Московский центр SPARC-технологий (МЦСТ). Видимо опыт проектирования радстойких изделий оказался важнее опыта проектирования SPARC.

И последнее предприятие в списке – минский завод «Интеграл»

В линейке продукции специального назначения «Интеграла» — статическая и динамическая память (самая большая – 1 Мбит, как SRAM, так и ПЗУ), небольшие микроконтроллеры, интерфейсные микросхемы, БМП и ПЛИС, а также силовые и дискретные приборы. Подавляющее большинство – на старых технологиях. Вот пара примеров:

1655РР1Т – 256 кбит флэш-память, время выборки 150 нс, время записи 10 мс.

1659РУ1Т – SRAM 256 кбит, время выборки 50 нс. КНИ технология.

1666РЕ014 – FRAM 1 Мбит. 

1881ВГ4Т – 8-битный микроконтроллер (AVR) с встроенной флэш-памятью, SRAM и аналоговой периферией. Тактовая частота 4 МГц.

1880ВЕ1У – 8-битный микроконтроллер (MSC-51) со встроенным 10-битными АЦПю Тактовая частота 24 МГц.

1451БК2У – аналоговый базовый матричный кристалл.

5577CX3T – однократно программируемая ПЛИС на 2000 эквивалентных вентилей. 

Выводы

Все не так плохо, как кажется (и как могло бы быть). Работ по созданию отечественной электроники для военных и космических применений идет много, и обойтись без американских чипов в обозримой перспективе вполне можно. 

Отстаем все равно сильно, хотя и не так катастрофически, как в «обычной» микроэлектронике. Сейчас, правда, вопрос ставится не о том, чтобы догнать и перегнать, а о том, чтобы не остаться у разбитого корыта.

Ситуация осложняется тем, что потребители электроники не хотят переходить на отечественные разработки (и их можно понять, потому что, к сожалению, по качеству и особенно по техподдержке и документации российские разработки рядом не лежали с импортными), а когда переходят – хотят получать копии, что сильно раздувает количество микросхем, которые надо разработать. Для того, чтобы российские разработчики микросхем смогли обеспечить разработчиков бортовых систем всем необходимым, нужно еще очень много работать.

Постскриптум

На этом можно завершить обзор, но у меня есть небольшой постскриптум относительно того, что еще ждет нас в ближайшие годы. Подавляющее большинство работ, представленных в обзоре, финансируются из бюджета, а значит информацию можно найти на сайте госзакупок. Если погуглить его на предмет работы под названием «Обработка-13», то найдется крайне любопытный документ от мая 2012-го года (ссылка на скачивание файла).

В нем очень много всего интересного, например закрытый конкурс департамент промышленности обычных вооружений боеприпасов и спецхимии, где у работ нет формулировок, а есть только названия. Есть там работа «Расширенные экспериментально-морфологические и медицинские исследования композиционных костнопластических материалов для эффективной регенерации костной ткани» и есть несколько десятков работ по радиационностойкой элементной базе, которые должны закончиться в 2014-м и 2015-м годах. И это, напомню, одна госзакупка за май 2012.

Нас интересуют лоты закупок 110/11-ФЦП1-12.04ок, 111/11-ФЦП1-12.04ок, 112/11-ФЦП1-12.04ок, 117/11-ФЦП1-18.04ок.

ОКР «Разработка радиационно-стойкой СнК, реализующей сбое и отказоустойчивый 32-разрядный RISC-процессор с резервированием на кристалле и набором интерфейсов», шифр «Обработка-10».

ОКР «Разработка радиационно-стойкой трехядерной микросхемы сигнального микропроцессора с шестью портами SpaceFibre», шифр «Обработка-11». Видим SpaceFibre – говорим «Элвис»

ОКР «Разработка высокопроизводительного 32-разрядного процессора архитектуры SPARC V8 с повышенной стойкостью к СВВФ, четырьмя портами SpaceFibre, двумя портами CAN 2.0 B, интегрированными контроллерами PCI 2.2, Ethernet и USB 2.0», шифр «Обработка-12» – а вот и LEON от НИИЭТ. 

ОКР «Разработка спецстойкого 32 разрядного RISC процессора на основе архитектуры ARM для аппаратуры спецстойкой телеметрии, бортового вычислителя, радиолокационного корректора систем автономной навигации КМОП-КНИ с проектными нормами 0,25…0,3 мкм», шифр «Обработка-13» — это «Миландр», о процессоре я писал выше.

ОКР «Разработка радиационно-стойкого DSP-микроконтроллера для управления электроприводом», шифр «Обработка-14» — вот это, кажется, НИИЭТ.

ОКР «Разработка комплекта радиационно-стойких СБИС для построения аппаратуры КИС, телеметрии служебных систем космических аппаратов», шифр «Обработка-15».

ОКР «Разработка и изготовление на отечественном производстве микросхем спецстойкого масочного ПЗУ емкостью 8...16 Мбит», шифр «Засечка-6».

ОКР «Разработка и изготовление на отечественном производстве радиационностойкой СБИС СОЗУ информационной емкостью 4 Мбит с повышенным быстродействием», шифр «Засечка-8».

ОКР «Разработка и освоение БИС ОЗУ с сегнетоэлектрическими (FRAM) элементами памяти емкостью до 1 Мбит», шифр «Засечка-9». Ого какая. Интересно, кто делает? Сегнетоэлектрики вообще не восприимчивы к радиации и могут работать в космосе очень долго. Жаль только, что очень медленно.

ОКР «Разработка 128-разрядного высокопроизводительного микропроцессора на структурах КНС/КНИ 0,25 мкм, совместимого с архитектурой КОМДИВ, для систем цифровой обработки сигналов», шифр «Схема-10». КОМДИВ – это НИИСИ.

ОКР «Разработка конструктивно-технологического базиса и библиотеки стандартных элементов с технологическими нормами 0,25 мкм КНИ, обеспечивающей достижение экстремальных уровней радиационной стойкости не менее 6Ус», шифр «Схема-12».

ОКР «Разработка СФ-блоков серийно выпускаемых микропроцессоров и микроконтроллеров серий 1867, 1830, 1874 для радиационно-стойкой КНИ технологии», шифр «Схема-13». Это контролеры НИИЭТ, копии интеловских. Значит будут делать на «Микроне» или в НИИСИ радстойкие версии.

ОКР «Разработка энергонезависимой радиационно-стойкой однократно программируемой пользователем логической матрицы ёмкостью 30-50 тыс.вентилей», шифр «Алмаз-5».

ОКР «Разработка ряда радиационно-стойких БМК: БМК-400 и БМК-1000», шифр «Алмаз-6». Это дизайн-центр «Союз» почти наверняка. Те самые два БМК выше.

ОКР «Разработка ряда радиационно-стойких БИС цифрового синтезатора частоты», шифр «Цифра-16».

ОКР «Разработка микросхемы аналогового ключа с полосой частот не менее 1…2 ГГц», шифр «Цифра-17».

ОКР «Разработка и освоение спецстойких DC-DC преобразователей напряжения», шифр «Питание-7». А вот два примера, очень далеких от микропроцессоров. То есть разрабатывается и другая элементная база, что очень хорошо.

ОКР «Разработка радиационно-стойкого квадратурного модулятора для диапазона рабочих частот 30-40ГГц», шифр «Высотка-13».

ОКР «Разработка мощных радиационно-стойких быстродействующих СВЧ переключателей, модуляторов, фазовращателей и защитных устройств на pin-диодах на SiC для дм- и см-диапазонов длин волн», шифр «Высотка-14».

ОКР «Разработка модельного ряда специализированных СБИС для применения в унифицированных узлах служебной аппаратуры КА», шифр «Схема-11». Это не «Мультиборт» ли?

ОКР «Разработка серии оптоэлектронных приборов, предназначенных для эксплуатации в экстремальных условиях, на основе широкозонных полупроводниковых структур, многослойных гетероструктур и их соединений», шифр «Оптрон-4». Вот такое совсем не знаю кто делает, в обзоре выше точно нет. Может быть «Светлана»?www.svetlanajsc.ru/index.php/ru/

ОКР «Разработка сложнофункциональной СБИС 16-разрядного микроконвертера со встроенной аппаратной реализацией алгоритмов кодирования/декодирования информации», шифр «Сложность-12».

ОКР «Разработка комплекта СБИС типа «система на кристалле» для навигационного приемника Глонасс/GPS с низким энергопотреблением», шифр «Сложность-13». Это почти наверняка НИИМА «Прогресс».

ОКР «Разработка комплекта микросхем управления взрывательными устройствами малокалиберных боеприпасов», шифр «Сложность-14». А вот чисто военная разработка. 

ОКР «Разработка микросхемы контроллера периферийных интерфейсов КПИ-2 для многоядерных микропроцессоров с архитектурой «Эльбрус» с суммарной пропускной способностью ввода/вывода не менее 16 Гбайт/с», шифр «Процессор-8». 

МЦСТ и их собственная архитектура «Эльбрус». К космосу отношения не имеет, но попало в ту же самую программу закупок.

На этом, пожалуй, всё.


  • 8
    Нет аватара Aik1
    06.04.1416:19:59
    Белорусы оборудование под 65-45 нм допиливают
    Беларусь и Россия создадут совместные центры микросистемотехники и фотошаблонов
    . Беларусь и Россия создадут совместные центры микросистемотехники и фотошаблонов. Об этом сообщил сегодня журналистам генеральный директор Государственного научно-производственного объединения точного машиностроения "Планар" (ГНПО "Планар") Геннадий Ковальчук, передает корреспондент БЕЛТА.

    Центр микросистемотехники будет располагаться в Санкт-Петербурге на базе ОАО "Авангард", а центр фотошаблонов - в Минске на базе ГНПО "Планар". В нем будет организован реальный производственный процесс создания опытных образцов оборудования.

    С 2010 года по настоящее время "Планар" проводит опытно-конструкторские работы по реализации мероприятий научно-технической программы Союзного государства "Разработка и создание нового поколения микросистемотехники и унифицированных интегрированных систем двойного назначения на ее основе на 2010-2014 годы" ("Микросистемотехника"). Белорусскими разработчиками ведутся работы по созданию 14 опытных образцов технологического, контрольно-измерительного и метрологического оборудования.Проводится активная работа в области перспективных наукоемких направлений. В рамках государственной программы инновационного развития на 2011-2015 годы в ГНПО "Планар" реализуется инновационный проект по созданию производства оборудования технологического уровня до 65 нм для промышленного применения в микроэлектронном производстве нового поколения.

    Реализация союзных программ позволяет совершенствовать существующие технологии создания оборудования белорусских и российских организаций. То, чем занимается Россия и Беларусь, - это высокотехнологическая продукция, которая сегодня пользуется спросом на мировом рынке.

    По словам Геннадия Ковальчука, производимая по союзной программе продукция будет направлена на автоматизированную систему мониторинга безопасности. Ее будут продавать как в Беларуси, так и в России. Более того, союзная программа позволит увеличить экспорт данной продукции в другие страны.

    Союзная программа рассчитана на 2010-2014 годы, но развиваться по ней планируют и в дальнейшем. Глава объединения объяснил это тем, что сегодняшнее производство охватывает лишь 30% потребностей Союзного государства. "Наши разработчики уже думают над новой программой, которая выведет нас на новый уровень безопасности", - сказал он.

    Говоря об экономическом эффекте программы, Геннадий Ковальчук отметил, что ее окупаемость составит до трех лет. "Но когда мы говорим о безопасности человека, цифры считать не нужно", - добавил он.

    ГНПО "Планар" находится в хозяйственном ведении Министерства промышленности. Сегодня "Планар" - единственное объединение, сохранившееся на постсоветском пространстве и производящее комплектно оптико-механическое, контрольно-измерительное и сборочное оборудование для производства изделий микроэлектроники. Отредактировано: Aik1~16:29 06.04.14
  • 0
    Нет аватара termometrix
    06.04.1419:19:09
    появились сообщения о том,

    Газета "Известия"
  • 4
    Нет аватара Dean
    06.04.1420:07:45
    Ничего догоним. Ещё лет пять тому назад, об этом можно было мечтать. Наконец то зашевелились.
    • 6
      Нет аватара Aik1
      06.04.1422:41:09
      Особые надежды на два проекта и оба прорывные 1й завод Mapper Lithography 2й и самый главный EUV-labs в Троицке
       http://www.euvlabs.net/ 
       http://community.sk.ru/net/1110065/  http://isan.troitsk.ru/ru/achievements.php 

      Отдел атомной спектроскопии
      Исследован новый тип оловянных мишеней для получения ЭУФ излучения на длине волны 13.5 нм – распределенных мишеней, получаемых при дроблении одиночной капли жидкого олова с помощью лазерного импульса. Использование таких мишеней позволяет повысить эффективность преобразования излучения СО2 лазера в ЭУФ излучение с 2 % (одиночная капля) до 3-4 % (распределенная мишень). С помощью численного моделирования (код RZLINE) излучающей плазмы выполнена оптимизация параметров распределенных мишеней по отношению к параметрам импульса СО2 лазера (к.ф.-м.н. К.Н.Кошелев, В.В.Иванов).
      Предложен и исследован дизайн многослойного брегговского зеркала на длину волны 13.5 нм, практически полностью подавляющего отражение инфракрасного излучения с длиной волны 10.6 мкм. Создание такого зеркала открывает возможность использовать в нанолитографии нового поколения источники ЭУФ излучения на основе плазмы возбуждаемой излучением СО2 лазера (к.ф.-м.н. К.Н.Кошелев В.М.Кривцун, В.В.Медведев совместно с FOM, DIFFER, Нидерланды).

       http://ipmras.ru/ru/results/2012/results  Отредактировано: Aik1~22:54 06.04.14
      • 6
        Нет аватара Aik1
        07.04.1400:40:01
        Жидкое олово как источник ЭУФ излучения

        А. Фертман: «Я бы начал с технологии работы с жидким оловом в источниках экстремального ультрафиолетового излучения для литографии. Литография – планарная технология, заключающаяся в формировании в активночувствительном слое, нанесенном на поверхность подложек, рельефного рисунка и последующего переноса этого рисунка на подложки. Применяется при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных микросхем, а также некоторых сверхпроводниковых наноструктур. Развитие методов проекционной литографии, повышение производительности и разрешающей способности печатающих устройств являются ключевыми направлениями наноиндустрии.

        Продолжая развивать основное направление современной проекционной литографии с использованием лазерного излучения на длине волны 193 нм, пионеры индустрии (ASML, Intel, Canon и ряд других) уделяют огромное внимание развитию следующего поколения проекционной литографии с использованием излучения с длиной волны 13,5 нм (Extreme Ultra Violet литография, EUV). Переход в область EUV позволит перейти к разрешениям 22 и менее нанометров, с перспективой достижения разрешения в 16 нм в будущем. Компании-производители литографических машин уже взяли на себя целый ряд обязательств по выпуску установок нового типа.
        Ключевая технологическая проблема, которую производителям литографических машин необходимо при этом преодолеть, это источник излучения. Дело в том, что для столь малых размеров необходимо «уйти», сместиться в другую часть спектра (глубокий или экстремальный ультрафиолет) и одной из возможностей является использование излучения атомов олова. Однако при этом необходимо в качестве электродов в разряде применять струи жидкого олова, формирование которых является нетривиальной задачей. Команда компании «ЭУФ-Лабс» во главе с Константином Кошелевым, давно сотрудничает с ASML и активно ведет разработку нового источника излучения. Однако в рамках Сколковского проекта изменился формат работы вместо исследовательских контрактов в результате выполнения которых вся интеллектуальная собственность переходила к заказчику, в данном случае ЭУФ-Лабс получил техническое задание и «мягкие обязательства» по приобретению технологии в случае успеха проекта. А финансирование работ обеспечивают Троицкий наноцентр и Фонд «Сколково». Создание насоса для прокачки жидкого металла было важной инженерной задачей для обеспечения бесперебойной работы источника. Но когда голландцы увидели этот насос в действии, тут же выяснилось, что он является отдельным перспективным продуктом. Интересно, что эта исследовательская команда добилась столь востребованного для ASML результата в основном благодаря своей профессиональной квалификации, а также определенной производственной культуре, которую российская компания внедрила у себя.
        ----------------------------------
        Фемтосекундные лазеры высокой средней мощности для промышленных применений.

        Фемтосекундные (продолжительность импульса равна 10 в минус 15-й степени секунды) лазеры уже достаточно активно используются в мире, в том числе и в России. При обработке материалов, в том числе и биотканей, использование сверхкоротких лазерных импульсов, по сравнению с другими типами лазеров, обеспечивает отсутствие теплового воздействия на материал, при этом достигается прецизионно малый «вынос» материала за один лазерный импульс. Такие лазеры находят себе применение, прежде всего в медицине, в частности в офтальмологии, например, один из наших участников компания «Лазер-Спарк» разрабатывает фемтосекундный лазер, чтобы на регулярной основе использовать его для «подрезки» мышцы глаза при офтальмологических операциях.

        Развитие коротко-импульсных лазеров происходит сейчас в таком направлении, что они будут постепенно вытеснять длинно-импульсные лазеры с различных рынков и станут широко востребованы, в частности в машиностроении для разного типа обработки материалов. Для промышленного применения необходимо достичь высокого значения средней мощности. Дело в том, что в импульсе (который по определению короткий) содержится огромная пиковая мощность. Но для промышленного применения нужно постоянно поддерживать высокую среднюю мощность. Это позволит использовать прибор, как говорится, в реальном масштабе.

        В этом году ядерный кластер получил поддержку от Консультативного научного совета «Сколково», который рекомендовал Фонду поддержать центр прикладных исследований по лазерно-плазменному ускорению. В рамках этого центра фемтосекундные лазеры высокой и средней мощности будут важнейшим элементом новых диагностических систем. Речь идет о создании и использовании компактных мощных рентгеновских источников для медицины, фармацевтики и промышленности.

        Сегодня стоимость источников высокой мощности синхротронного излучения (испускаемого заряженными частицами, которые движутся по круговой орбите в электромагнитном поле со скоростями близкими к скорости света) может составлять более миллиарда долларов. Компании, например, фармацевтические, вынуждены подолгу ждать доступа к ним и практически не могут использовать их в повседневных исследованиях. Все эти источники являются государственными, и по правилам они не могут эксплуатироваться в интересах коммерческих структур более чем на 10 процентов. Поэтому одним из перспективных направлений является создание более экономичных и компактных источников рентгеновского излучения. Помимо медицинского применения, в частности для диагностики, они могут в будущем пригодиться и в атомной энергетике, в системах трансмутации радиоактивных отходов». Отредактировано: Aik1~00:44 07.04.14
      • 6
        Нет аватара Aik1
        07.04.1400:41:33
        1.4.2014 10:23
        Троицкая компания СВД.Спарк – технологическая компания, которая разрабатывает продукцию на основе искусственных алмазов – получила грант Фонда «Сколково» в размере 20 млн. рублей на реализацию проекта по коммерциализации технологии производства алмазных пластин методом CVD.

        Обладая базовой технологией роста и обработки алмазов, компания создаёт на их основе технологию производства продукции следующего этапа технологической цепочки – алмазную оптику, детекторы ионизационных излучений, резцы для бурового инструмента.

        По словам директора компании Людмилы Поддубной, все продукты компании разрабатываются в тесной кооперации с конечными потребителями. В том числе интерес к продукции СВД.Спарк проявила голландская компания ASML – мировой лидер в производстве оборудования для микроэлектроники.

        В 2013 году один из проектов компании СВД.Спарк - алмазный дозиметр - стал призером Конкурса инновационных проектов Varian Startup Challenge 2013, который проводился Фондом «Сколково» совместно с американской компанией Varian Medical Systems и Фондом инфраструктурных и образовательных программ РОСНАНО. В этом году конкурс инновационных проектов в области радиационных технологий для медицины Varian Startup Challenge 2014 также проводится на площадке Фонда «Сколково».

        Алмазные детекторы компании СВД.Спарк ждут в крупнейших международных проектах CERN (Европейский Центр ядерных исследований, где находится Большой Адронный Коллайдер) и ITER (Международный экспериментальный термоядерный реактор).

        Как отметил исполнительный директор Кластера ядерных технологий Игорь Караваев, «запуск проекта компании СВД.Спарк – пример удачного сотрудничества двух институтов развития – Фонда «Сколково» и ФИОП РОСНАНО, который поддержал финансирование проекта одним из наноцентров. Проект ориентирован не только на российские, но и на зарубежные рынки и уже привлек к себе внимание крупных зарубежных игроков, что для Сколково как международного проекта особенно важно». Отредактировано: Aik1~00:45 07.04.14
      • 4
        Нет аватара Aik1
        07.04.1400:47:03
        Во время визита руководства бельгийского IMEC в Троицкий наноцентр «ТехноСпарк» был подписан контракт о разработке концепции нового Центра разработок и приложений новой электроники в Троицке.

        Представить концепцию нового Центра участники рабочей группы планируют уже в августе 2013 года. За это время объединенная рабочая группа разработает концепцию создания и работы Центра на первом этапе сроком 2013–2015 гг. Будет разработана бизнес-модель Центра, определен объем необходимых инвестиций, структурированы первые пилотные проекты в кооперации с IMEC и его отраслевыми партнерами.

        «IMEC — это интерфейс для глобального бизнеса по постановке задач разработчикам. Мы умеем слышать задачи и проблемы бизнеса и переводить их на язык разработчиков и находить лучших исполнителей. Наша сеть объединяет самые разные исследовательские лаборатории и специалистов в 72 странах, и мы уверены, что Россия может стать частью этой сети», — отметил Людо Деферм, исполнительный вице-президент по развитию бизнеса IMEC (Бельгия).

        «Это сотрудничество с бельгийцами серьезный шаг в международную кооперацию для российских ученых и разработчиков, которые теперь смогут наравне с западными учеными включиться в задачи международного рынка R&D для таких компаний как Intel, Samsung, Philips и т.п.», — сказал Денис Ковалевич, куратор проекта, с российской стороны.

        «Мы очень надеемся повторить опыт бельгийцев, и благодаря этому партнерству создать в Москве новые высокотехнологические рабочие места, поэтому мы считаем, что такие проекты нужны Москве», — отметил Константин Фокин, генеральный директор Центра инновационного развития Москвы.

        Помимо Троицка, в России есть и другие научные центры в области микроэлектроники, которые также могут войти в сеть IMEC. Участники пресс-конференции выразили надежду, что на следующем шаге после пилотного проекта в Троицке площадки и филиалы нового Центра могут появиться и в других регионах России.

        Представители российского инновационного бизнеса также выказали серьезную заинтересованность в партнерстве с крупнейшем в мире R&D-центром в сфере микроэлектроники и ее применений.

        Руслан Титов, заместитель управляющего директора Фонда инфраструктурных и образовательных программ, отметил, что сотрудничество с IMEC вписывается в системную деятельность ФИОП по созданию центров R&D-кооперации в России в рамках деятельности созданных по инициативе Фонда наноцентров.

        «Мы возлагаем большие надежды на русских разработчиков и очень рассчитываем на их исторически сильные компетенции в области плазменных, лазерных и радиационных технологий для микроэлектроники. Мы увидели сегодня в Троицке примеры реализованных проектов в области новых офтальмологических лазеров и источников экстремального ультрафиолетового излучения — и очень впечатлены уровнем разработок», — подводя итог мероприятия сказал Роже Де Кеерсмэкер, старший вице-президент по стратегическим отношениям IMEC (Бельгия). Отредактировано: Aik1~00:51 07.04.14
      • 3
        Нет аватара Aik1
        07.04.1400:49:34
        Нанотехнологический центр «ТЕХНОСПАРК», созданный на базе научно-исследовательских и образовательных институтов города Троицка, является площадкой для запуска и развития новых технологических стартапов и многофункциональным комплексом разработки и производства изделий целого ряда инновационных отраслей экономики. Создание наноцентра на территории Троицка обусловлено высокой концентрацией в городе крупных исследовательских центров, что позволяет в сжатые сроки запускать на их основе наукоемкие опытные и мелкосерийные производства нанотехнологической продукции. Наноцентр «ТЕХНОСПАРК» — это производственный комплекс, состоящий из трех зданий общей площадью более 8,5 тысяч квадратных метров, два из которых уже введены в эксплуатацию.

        По состоянию на ноябрь 2013 года в портфеле наноцентра уже более 20 запущенных стартапов. В следующем году их число должно возрасти до 40.

        Основными специализациями наноцентра являются: прикладные лазерные технологии (для медицины и промышленности), новые материалы (включая углеродные и композиционные материалы, а также оптические покрытия), технологии применения искусственных алмазов, новая электроника (в том числе решения для современной потребительской электроники), а также приборостроение, промышленный дизайн, прототипирование и технологический инжиниринг.
        Отличительной особенностью наноцентра «ТЕХНОСПАРК» является тесные партнерские отношения с ведущими международными компаниями и исследовательскими центрами, что позволяет с самого начала интегрировать стартапы в глобальные технологические цепочки. К примеру, источники экстремального ультрафиолетового излучения, в разработке которых принимает участие резидент наноцентра компания «ЭУФ Лабс», сейчас встраиваются в литографическое оборудование нидерландской компании ASML, чьими клиентами являются все крупнейшие мировые производители чипов, включая Intel, TSMC и GlobalFoundries. Такое оборудование позволяет преодолеть существующий сейчас технологический предел и выпускать микросхемы с топологическими нормами менее 20 нанометров.

        Еще один проект наноцентра — компания «Поларус», при участии партнеров из Аризонского университета создает пикосекундные лазеры, применяемые для обработки материалов и маркировки изделий, например, корпусов смартфонов, планшетов и микрокомпьютеров. Другая компания-резидент — «СВД.Спарк», в рамках специализации в области новых материалов, разрабатывает алмазные детекторы, которые будут поставляться совместно с оборудованием для лучевой терапии американской компании Varian Medical Systems, Inc.

        Помимо этого в рамках наноцентра «ТЕХНОСПАРК» создан центр промышленного дизайна, чьи специалисты обладают полным набором компетенций в области инжиниринга, моделирования и прототипирования. Один из стартапов — компания «Протостудия», специализируется в области дизайна робототехники и уже имеет успешный опыт в промышленном дизайне беспилотных летательных аппаратов малой дальности.

        Информация по некоторым проектам наноцентра «ТЕХНОСПАРК»

        Компания «Поларус»

        Совместно с разработчиками из Университета Штата Аризона создаётся опытное производство пикосекундных лазеров на основе высокодопированного оптического волокна. Пискосекундные лазеры применяются для обработки материалов и маркировки изделий, например, корпусов смартфонов, планшетов и компьютеров.

        Компания «Лазерная нанохирургия»

        Базовой компетенцией команды проекта является манипулирование живыми клетками с помощью лазерного излучения. В перспективе, с развитием медицинских технологий, компания начнёт использование своих знаний для получения совместимых с донорским организмом стволовых клеток, являющих основой любой ткани и органа человека. На данном этапе коммерциализируются более простые и понятные рынку продукты, в частности, разрабатывается технология получения чистых линий генетически модифицированных мышей, а также лазерный перфоратор для повышения эффективности процедуры искусственного оплодотворения (ЭКО).

        Компания «Фемтотех»

        Компания нацелена на коммерциализацию технологии фемтосекундной записи волоконных брэгговских решеток и других видов модификации материалов. Продукты проекта: волоконные датчики для сенсорных систем на основе технологии фемтосекундной записи и технологический комплекс прецизионной фемтосекундной модификации материалов.

        Компания «Лазерная нанохирургия»

        Компания разработала эксимерную установку для отрыва сапфировых подложек в процессе производства светодиодов — реализации технологии лифт-офф. В отличие от аналогичных корейских и американских установок, система оснащена непрерывной системой мониторинга, позволяющей с высокой точностью контролировать процесс.

        Технологическая компания «СВД.Спарк»

        «СВД.Спарк» — технологическая компания, разрабатывающая продукцию на основе искусственных алмазов. Обладая базовой технологией — роста и обработки поли- и монокристалических алмазов из газовой фазы, компания создаёт на их основе продукцию следующих переделов — алмазную оптику, детекторы ионизационных излучений, резцы для бурового инструмента и прочее. Все продукты компании разрабатываются в тесной кооперации с конечными потребителями.


        Проект «Алмазный инструмент»

        Уникальное свойство алмаза — повышенная твердость и износостойкость. Эти качества делают алмаз идеальным материалом для бурового инструмента. В рамках стартапа, совместно с ИОФ РАН по заказу Буровой Компании Евразия (одной из крупнейших буровых компаний России) разрабатывается новая технология нанесения алмазного слоя на твердосплавный буровой инструмента факельным методом (плазменное осаждение поликристаллического алмаза — MPECVD метод).

        Проект «Алмазный детектор»

        В кооперации с Ассоциацией Медицинских Физиков России компания занимается выводом на рынок алмазного дозиметра ионизирующего излучения для использования в кабинетах лучевой и протонной терапии. Дозиметры создаются на основе искусственных алмазов, произведенных на оборудовании технологической компании «СВД.Спарк». Разработка продукции ведется совместно со специалистами Третьего Римского Университета.

        Проект «Адамарк»

        Проект по созданию биологических маркеров на основе люминесцирующих наноалмазов. Это новый тип флуоресцентных маркеров для биомедицинских исследований и диагностики онкологических и других заболеваний, применимых для визуализации клеточных и молекулярных мишеней, адресной доставки веществ в клетки, фототермальной терапии и оптической томографии. Проект создан при участии Центра Трансфера Технологий РАН и Института Общей Физики РАН.

        Технологическая компания «Оптиспарк»

        Целью технологической компании является создание в Троицком кластере производственных мощностей, компетенций и стартапов в области производства оптических элементов и нанесения тонкоплёночных покрытий вакуумным напылением, являющихся необходимой базой фотоники для направления «Прикладные лазерные применения».


        Компания «Алмазная оптика»

        Компания создана в ответ на запрос рынка к новым материалам для оптики мощных лазеров производства компании Trumpf, способных выдерживать повышенные нагрузки, в частности, в связи с планируемым переходом компании ASML на использование в литографическом оборудовании мощных CO2 лазеров. В компании одновременно будет решаться две задачи: разработка технологии роста крупногабаритных подложек из синтетического алмаза и разработка технологии оптической полировки алмазных подложек диаметром до 120 мм.

        Компания «Дифракционная оптика»

        Компания, созданная совместно со специалистами НИИ РЛ МГТУ им. Н. Э. Баумана, занимается инжинирингом и производством дифракционных и голографических оптических элементов. Продукция компании востребована, как внутри Троицкого кластера, специализирующегося на лазерных технологиях, так и вне его.

        Технологическая компания «Артек Композитс»

        Компания «Артек Композитс» — технологическая инжиниринговая компания, созданная совместно наноцентрами «ТЕХНОСПАРК» и «Ульяновский Центр Трансфера Технологий» для развития направления современных композитов в рамках специализации «Новые материалы».

        Компания «ТопСкан»

        Компания «Топскан» создана на базе разработок института кристаллографии российской академии наук (ИК РАН). Компания разрабатывает технологию роста монокристаллических зондов для решения двух основных задач-трендов отрасли сканирующих зондовых микроскопов: сверхбыстрое сканирование поверхности и сочетание двух функций, высокого морфологического разрешения и надежной электрической проводимости, в одном зонде.

        Технологическая компания «Артек Электроникс»

        Базовый проект компании — Международный центр новой электроники в кооперации с IMEC (Бельгия). Зарубежные партнёры технологической компании «Артек Электроникс»: ASML (Голландия), LASERTEC (Германия), NXP Semiconductors (Голландия) и другие. Бизнес-модель работы компании — заказные R&D и инжиниринговые работы по заказу крупных российских и иностранных компаний.

        Компания «Альтернативная Энергетическая Компания»

        Компания создана для реализации проекта в сфере систем автономного энергоснабжения на основе возобновляемых экологически чистых источников энергии. Предметом разработки является создание системы контроля и управления систем бесперебойного питания объектов с использованием альтернативных источников энергии. Разрабатываемая система контроля и управления будет использоваться для автономных систем энергоснабжения, предназначенных для энергоснабжения индивидуальных и коллективных энергопотребителей, удаленных от линий, сетей и источников централизованного электроснабжения.

        Компания «РусТек»

        На основе уникальной ресурсосберегающей технологии производства термоэлектрических материалов, компания создает опытно-промышленную линию для производства термоэлектрических ветвей для охлаждающих и генерирующих модулей. Опыт команды в поставке таких материалов, изготовленных традиционным методом, глобальным компаниям, позволит стартапу быстро выйти на международный рынок и занять на нем заметное место.

        Центр Технологического Обеспечения «Техноспарк» (ЦТО)

        Центр Технологического Обеспечения «ТЕХНОСПАРК» — инженерно-производственный комплекс, позволяющий любому резиденту нанотехнологического центра «ТЕХНОСПАРК» получить доступ к услугам по конструкторско-технологической проработке и производству продукции, оперативному изготовлению узлов и деталей, осуществлению необходимых технологических операций при выполнении опытно-конструкторских разработок в производстве высокотехнологичной продукции тиражами от единичных до малых серий.

        Технологическая компания «Биоспарк»

        «Биоспарк» — это первая в России биологическая лаборатория открытого типа, где можно заказать единичные или комплексные молекулярные исследования любой сложности и в срок получить качественный результат. В лаборатории также находится демонстрационный зал с оборудованием бельгийской компании Trinean, который вскоре будет расширен за счёт передовых моделей исследовательского оборудования других брендов.

        Компания TEN Electronics

        TEN Electronics — дизайн центр новой электроники. Разрабатывает и создаёт продукты на базе передовых технологических решений. В первую очередь это новые продукты для визуализации информации. В своих разработках TEN ориентируется на функциональность, социальную значимость и использование лучшего мирового опыта. TEN Electronics проводит опытно-конструкторские разработки для сторонних компаний в своем дизайн-центре: разрабатывает принципиальные электрические схемы, подбирает элементную базу, создает необходимое программное обеспечение, организует корпусирование и производство разрабатываемых схем и элементов, готовит необходимую техническую документацию.

        Компания «Оптосистемы»

        ООО «Оптосистемы» — ведущий в России производитель лазеров для медицины, науки и технологий. Продукция компании включает эксимерные, СО2 и азотные лазеры, лазеры с диодной накачкой, медицинские лазерные системы, лидары, высоковольтные источники питания и магнитометры.

        Компания является единственным в России производителем офтальмологических эксимерных лазерных систем для рефракционной хирургии, а также поставляет эксимерные лазеры и высоковольтные источники питания научно-исследовательским институтам и компаниям-интеграторам технологических лазерных систем различного назначения.

        ООО «Оптосистемы» разрабатывает и производит оборудование для синтеза алмазных плёнок. Сотрудничество с наноцентром «ТЕХНОСПАРК» направлено на вывод компании на новый уровень, с точки зрения масштабов производства и продаж, за счет создания эффективной инфраструктуры и значительного расширения кооперации.

        Компания «Лазурит»

        ООО «Лазерные технологии в медицине» — компания производящая единственный коммерчески доступный российский лазерный комплекс для урологии. Используя два вида излучателей — скальпель и коагулятор — комплекс обеспечивает эффективную контактную литотрипсию без эффекта отдачи камня и повреждения тканей. Пилотная версия сертифицирована в России, продано более 25 аппаратов. В рамках совместного проекта с «ТЕХНОСПАРК» планируется создание новой компактной модификации прибора и вывод его на зарубежный рынок с одновременным увеличением продаж в России. Отредактировано: Aik1~00:55 07.04.14
  • 2
    Samboris Samboris
    06.04.1420:47:28
        Отличная статья!
    • 0
      Нет аватара amartology
      08.06.1422:03:41
      Жаль только, что краденая.
      • 1
        Нет аватара brat_po_razumu
        08.06.1422:55:54
        ?????

        Заведомо ложное обвинение в совершении преступления (кражи) - это клевета, это уголовное преступление, ст. 128.1 УК РФ. Советую подумать над этим.

        Наш сайт уважает авторские права и дает ссылку на изначальную публикацию. Ссылка дана и в этой статье - какие проблемы?

        Правила сайта Хабр - http://habrahabr.ru/info/agreement/  - не запрещают перепечатку опубликованных там материалов и даже не требуют разрешения на перепечатку. Хабр не является СМИ.

        • 0
          Нет аватара amartology
          09.06.1400:03:10
          С точки зрения закона все, разумеется, чисто. С точки зрения совести ссылка мелким шрифтом под рекламным блоком - это, скажем так, не очень красивое решение, равно как и отсутствие попытки связаться с автором и хотя бы сообщить о его использовании.

          Хотите вести себя так - ваше право, но репутация так не строится.

      • 0
        Samboris Samboris
        08.06.1422:58:24
        Ссылка есть - http://habrahabr.ru/post/...mbedded&v=Uf3dCjkwvEU 

        Если Вас эта ссылка не устраивает, и Вы - автор статьи, то свяжитесь с автором поста или модераторами    Отредактировано: Samboris~00:24 09.06.14

        • 0
          Нет аватара amartology
          08.06.1423:56:01
          Да, я автор статьи, да, меня не устраивает то, что ссылка дана в конце под блоком рекламы маленьким шрифтом, там, где её никто не прочитает. В подобного рода публикациях ссылка на первоисточник должна стоять в начале и быть хорошо видна.

          Также хорошим тоном является сообщать автору о перепечатке.

          • 0
            Нет аватара brat_po_razumu
            09.06.1403:05:14
            Безусловно - не всем нравится дизайн сайта, он у нас новый, две недели всего -

            НО ЭТО - не повод безосновательно обвинять участников сайта в таком преступлении, как кража! Присвоении-де чужой собственности, авторских прав - это же неправда! Гиперссылка на оригинал публикации при перепечатке, как положено, дана.

            Вопросы следует решать цивилизованным путем, а не криками "украли", бесозновательными обвинениями.

            Тем более - рутинные технические вопросы. На нашем сайте есть ветка с обсуждением нового дизайна сайта, там уже обсуждаются в том числе и размеры шрифтов, и расположение блоков на страницах, администратор сайта (один человек, на добровольных началах) усиленно трудится над решением этих технических вопросов... Мною там помещен и этот вопрос.

          • 0
            Нет аватара brat_po_razumu
            09.06.1403:36:20
            P.S.

            Добавил ссылку на оригинал публикации и никнейм автора в первую строчку текста. Так - устраивает?

            • 0
              Нет аватара amartology
              09.06.1409:23:59
              Да, так устраивает, спасибо. Обратились бы напрямую - я бы хоть стиль текста с хабровского на более подходящий для вас переделал.
  • 2
    Нет аватара Vladimir Smolnikov
    06.04.1420:59:38
    Ничего, все будет еще. Все впереди.
    Главное - работать, создавать. В России
    умные, талантливые люди - ничем не хуже, чем где-либо.
    Нужно создать условия, а для этого нужно вкладываться в
    инфраструктуру, здания, оборудование и даже быт работников.
    И все получится. И никакие американцы нам не будут страшны с
    их угрозами, запретами и ограничениями.
    В мире эта область микроэлектроники не ограничивается только США (хотя они и лидеры
    в этой области). Есть еще немцы, французы, китайцы, корейцы, японцы. Которые тоже
    не последнее место занимают в области микроэлектроники, и в частности электроники для
    космических аппаратов. С ними можно и НУЖНО сотрудничать. Сотрудничая, Россия быстрее
    разовьется и опыт такого сотрудничества полезен и необходим.
    Потому как только в сотрудничестве результаты работы становятся
    максимально эффективными...
  • 1
    Нет аватара someuser
    06.04.1423:51:33
    Спасибо! Очень интересно.
    Как мне кажется, очень большое разнотипье. По-моему, нужно уже определиться что конкретно копируем/замещаем (хоть те же AVR, или весь Atmel подряд, или наоборот - PIC'и, ну и так далее) и делать максимально широкую линейку на одной архитектуре и с общими средствами разработки. Потому что эдак можно погрязнуть не только в поддержании номенклатуры - но и банально в создании и поддержании целого стада сред разработки. А также учебников, документации и т.п. По части поддержки разработчиков по-моему неплохо дела у Миландра идут, остальным нужно брать пример.
    И ещё нужно обязательно иметь гражданские аналоги. Обеспечив их доступность широкому кругу, пусть даже, любителей. Строго говоря, любителям-самодельщикам всё равно, стоит проц 30 рублей или 200, в отличие от производителей. Но именно из них растут знакомые с архитектурой разработчики. А там глядишь хоть в решения для промышленного сегмента (где себестоимость не очень важна) и пойдут эти процы.
  • -1
    Нет аватара Kolyda
    07.04.1402:32:21
    Вот тут http://www.warandpeace.ru/ru/analysis/view/89327/  пытаются экономическую базу под проблему высокотехнологического производства подвести.
  • 1
    Нет аватара Aik1
    07.04.1412:47:55
    В России создан стенд нанолитографии (λ = 13,5 нанометров) с проектным разрешением 30 нанометров

    На основе фундаментальных исследований впервые в России создан стенд нанолитографии (λ = 13,5 нанометров) с проектным разрешением 30 нанометров.

    Получены образцы наноструктур. Тем самым продемонстрировано появление технологий, позволяющих разрабатывать и производить в России современное литографическое оборудование, которое в ближайшие годы станет основным при производстве чипов с топологическими нормами 22–8 нм (нанометров), изготавливать оптические системы сверхвысокого пространственного разрешения для астрономии и микроскопии коротковолнового диапазона. (Институт физики микроструктур РАН). Отредактировано: Aik1~12:48 07.04.14
  • 1
    Нет аватара Aik1
    07.04.1415:32:50
    Исследования по созданию мощных импульсно-периодических источников излучения в области экстремального ультрафиолета (ЭУФ) проводятся в ГНЦ РФ ТРИНИТИ с 2000 года. Исследования проводятся на стендовом комплексе "ПАЛЬМА" отдела импульсных процессов (ОтИП).
    Разработаны два основных типа источников излучения на основе:

    разрядов пинчевого типа в Хе;
    разряда в парах металла (олова, лития), инициируемых лазером.

    Основная тенденция развития микроэлектроники последних десятилетий, заключающаяся в экспоненциальном уменьшении минимального характеристического размера компонентов интегральных схем, проявляется в увеличении их быстродействия и емкости памяти, уменьшении энергопотребления и размеров. Возможности традиционной оптической литографии с использованием эксимерных лазеров ультрафиолетового диапазона ограничены. Поэтому для крупномасштабного производства интегральных схем следующего поколения с разрешением элементов 32 нм и менее, необходима принципиально иная литография, использующая излучение со значительно более короткой длиной волны. В настоящее время наиболее перспективным представляется использование излучения в ЭУФ диапазоне. Длина волны излучения источника должна быть 13.5 нм, так как современная оптическая ЭУФ система основана на применении многослойных брэговских Mo/Si зеркал, имеющих максимально высокий коэффициент отражения (~70%) именно на λ=13.5. Разработка ЭУФ источника с высокой средней мощностью и большим временем жизни является ключевым условием появления ЭУФ литографии.
    Созданные в ГНЦ РФ ТРИНИТИ излучатели на основе Z- пинча в Хе, Рис.1, стали прототипами ЭУФ источников, использованных в первых в мире микростепперах для производства микрочипов с использованием излучения на λ=13.5 нм и продемонстрировавших возможность получения разрешения между элементами микросхем 32 нм. Технология таких источников основана на использовании газоразрядной плазмы. ЭУФ излучение осуществляется за счет импульсного нагрева ксеноновой плазмы в процессе ее сжатия магнитным полем до очень высоких температур. Некоторые характеристики источника приведены на Рис.2, Рис.3 и Рис.4.
    В Таблице 1 представлены характеристики источника ЭУФ излучения, который может быть поставлен Заказчику.


    Рис. 1. Источники ЭУФ излучения на основе Z-пинча в Хе.

    Рис. 2. Спектральная характеристика ЭУФ источника на основе Z- пинча в Xe вблизи
    ЭУФ источники на основе Xe-плазмы обеспечивают ресурс непрерывной работы 50 млн импульсов. Гораздо более высокая продолжительность работы может быть достигнута в предложенных и созданных нами источниках УЭФ излучения с вращающимися электродами. В таких источниках, Рис.5, разряд осуществляется в парах олова, инициируемых лазерным излучением. В результате реализуются более высокие значения мощности, эффективности и ресурса ЭУФ источника. Один из вариантов экспериментальных ЭУФ источников с вращающимися электродами, на которых проводятся исследования по достижению требований, предъявляемым к источникам для высокопроизводительной ЭУФ литографии, показан на Рис.6. На Рис7 и Рис.8 представлены характеристики ЭУФ источника на парах олова.

    Рис. 5. Схема одного из вариантов источника ЭУФ излучения с разрядом в парах олова,
    инициируемых лазером между вращающимися электродами.

    - Мощные импульсно-периодические источники излучения в области мягкого рентгена и экстремального ультрафиолета (ЭУФ) на основе "разрядов пинчевого типа в Хе" разряда в парах металла (олова), инициируемых лазером.
    - Средства управления и диагностики.
    - Мощные импульсно-периодические лазеры.
    3. Назначение стенда: исследование процессов в плотной горячей плазме разрядов пинчевого типа, создание прототипов источников излучения для ЭУФ литографии следующего поколения. Проведение исследований по взаимодействию коротковолнового излучения с веществом.
    4. Главные решенные задачи: Проведены исследования разрядов пинчевого типа в Хе и различных средах. Созданные излучатели на основе Z-пинча в Хе стали прототипами источников, использованных в первых в мире микростепперах для производства микрочипов с использованием излучения на λ=13.5 нм и продемонстрировавших возможность получения разрешения между элементами микросхем <32 нм. Предложены и созданы источники излучения с вращающимися электродами с разрядом в парах олова, инициируемых лазерным излучением, характеризующиеся большей мощностью, эффективностью и ресурсом.
    5. Перспективные задачи: создание прототипов ЭУФ источников, отвечающих требованиям высокопроизводительной ЭУФ литографии. Разработка плазменных и лазерных источников излучения с заданными свойствами. Проведение исследований в области нанотехнологий.
  • 0
    Chetnik Chetnik
    08.04.1401:28:56
    Aik1 , это значит что в России будет созданное оборудование, конкурентоспособные против АСМЛ и Никон?
    • 1
      Нет аватара Aik1
      08.04.1413:20:07
      Не совсем.....для ASML Россия будет делать ЭУФ источник и еще несколько компонентов для машин!ЭУФ ключевой компонент в литографии будущего, это огромный технологический прорыв т.к патенты и разработка у России.
    • 1
      Нет аватара Aik1
      08.04.1413:30:53
      Проще говоря в электронике будущего есть две прорывные технологии 1я это безсмазочная литография(Mapper) она рассчитана как на мелкосерийное так и массовое производство, прорыв заключается в цене для заказчика она будет в разы ниже а значит у России есть реальный шанс зайти на рынок массового потребителя т.к есть разработчики типа MultiClet,МЦСТ,Миландр,Элвис и прочие они не могут конкурировать с Китаем и Тайванем потому что у России нет технологий 45-30-22 нм хотя если бы и были их производство было дорогим и не выдержало конкуренции азитов.2й проект это ЭУФ-литография там производство конечно будет дороже.НО!ЭУФ источник позволяет дойти до 11-8нм и меньше и эти технологии Россия не покупает у ASML а сама разрабатывает.Тут Россия нужна ASML а не наоборот. Отредактировано: Aik1~13:34 08.04.14
      • 0
        Chetnik Chetnik
        09.04.1415:24:59
        Простите глупый вопрос, я не эксперт для литографию, но возможно ли сделат безмасочный ЕУФ?

        Взят лучше из оба мира.
        • 0
          Нет аватара Aik1
          09.04.1416:05:17
          Простите глупый вопрос, я не эксперт для литографию, но возможно ли сделат безмасочный ЕУФ?

          Это вопрос не по адресу)С помощью EUV-labs и ASML можно делать прототипы чипов 11-8nm и меньше, можно также производить их массово ,но для России это дороговато выйдет ..Но!Эту проблему россияне решили     они купили акции и технологию Mapper, короче c EUV можно экспериментировать а с Mapper массово производить чипы (цена в разы ниже выходит чем на современных литографических машинах) Отредактировано: Aik1~16:06 09.04.14
        • 1
          Нет аватара Aik1
          09.04.1416:45:16
           http://ttorr.ru/upload/ib...d5120b4fa1d0fb75ee656.pdf 
          Научная команда
          Институт спектроскопии Российской академии наук (ИСАН)
          Название проекта:
          Разработка источника EUV-излучения высокой мощности для
          промышленного применения.
          ООО «ЭУФ Лабс» Цель проекта Оказание инжиниринговых услуг в области решений для HVM-литографии по технологическим процессам на
          различных длинах волн (6,7 нм / 13,5 нм / 22 нм / 193 нм и др.), включая смежные и сопутствующие тематики, связанные с оптической нанодиагностикой, метрологией, диагностикой и контролем EUV-источников, инспекцией, очисткой и защитой многослойной EUV-оптики в нанолитографических машинах, а также коммерциализация технологий и продуктов в этой области.
          Стадия проекта
          В настоящий момент в своей работе команда проекта уделяет основное внимание развитию следующего поколения проекционной литографии с использованием излучения с длиной волны 13,5 нм и ниже.
          Начиная с 2000 года ООО «РнД-ИСАН» участвует в разработке EUV источников совместно с ASML, Canon, Nikon,
          Intel. Разработаны, опробованы и осуществлены продажи образцов метрологического оборудования для EUV излучения под индивидуальные параметры заказчиков.
          Объем контрактов на научно-исследовательские разработки и инжиниринговые услуги в течение последних 10 лет
          составил не менее 30 млн руб. в год.
          Продукт проекта
          Заказные НИОКР и лицензии по трем направлениям:
          • «Струйный источник»: в области 13,5 нм мощностью 250, 350 и 500 Вт в промежуточном фокусе;
          • Технология оперативной оптической нанодиагностики и методов защиты и очистки многослойной EUV оптики в
          литографической машине («Центр оптической нанодиагностики»);
          • Технология проекционной нанолитографии с использованием источников излучения короче 10 нм. («Источник на 6,7 нм»);
          • Сверхяркий источник в диапазоне от УФ до видимой области спектра для контроля литографического процесса
          («Белый источник»).

          Конкурентные преимущества
          Первым и ключевым клиентом создаваемой ТИК ЭУФ Лабс является компания ASML. Отставание других производителей литографического оборудования от ASML в разработках по EUV литографии вынудит их использовать технологические решения ASML и команды проекта. Технологическая инжиниринговая компания ЭУФ Лабс напрямую работает с исследовательскими подразделениями компаний, занимающихся производством литографических машин и источников для
          литографических машин, продавая им свои технологические решения и разрабатывая для них прототипы встраиваемых в их машины устройств и источников излучения.
          Основные рынки

          Такие компании как ASML, Intel, Canon и ряд других
          уделяют огромное внимание развитию следующего
          поколения проекционной литографии с использованием
          излучения с длиной волны 13,5 нм, так называемой EUV
          литографии. EUV (Extreme UltraViolet) является
          передовой технологии, которая будет доминировать на
          рынке в 2015-2020 годах, а к 2016 году доля рынка этой
          продукции уже будет составлять более 65%. Переход в
          область EUV (Extreme Ultra Violet) позволит перейти к
          разрешениям 22 и менее нанометров, с перспективой
          достижения в будущем разрешения в 16 нм.
          Существуют целый ряд технологических аспектов
          встречающихся в EUV литографии, для которых не
          достигнуты показатели, необходимые для
          осуществления HVM (High Volume Manufacture)
          режимов. После достижения технологии HVM EUV
          осуществляется переход к новому поколению
          источников – Beyond EUV (BEUV) литографии. Наиболее
          предпочтительной представляется диапазон с
          центральной длиной волны 6,7 нм
          . Переход к BEUV
          литографии должен обеспечить достижение разрешений
          в 12 и 9 нм, весьма проблематичных в рамках EUV
          литографии. Запуск производства оборудования с
          источниками BEUV предполагается через 10 лет.
          Ключевые объекты интеллектуальной собственности
          1. Устройство и способ для генерации излучения из разрядной плазмы, RU2012105067, PCT/RU2012/000701, дата
          подачи - 15.02.2012
          2. Жаропрочная магнитная муфта, RU2012115260, PCT/RU2012/000952, дата подачи - 18.04.2012
          3. Центробежный насос с магнитной муфтой для перекачки кристаллах для их диагностики
          Потребности проекта
          20 млн. руб.


          Применение
          • Центр оптической
          нанодиагностики
          • Защита и очистка
          оптики
          • Источник на струях
          • Источник излучения
          на 6,7 нм
          Отредактировано: Aik1~16:58 09.04.14
      • 0
        Chetnik Chetnik
        09.04.1415:31:55
        Тоже, если есть у России патент в Нидерландах, за ЕУФ источник, то не значит что АСМЛ не может без России. Если холодная война начнет (а по моему, уже начала), этот патент будет отключен и АСМЛ будет копировать чтобы сделали сами, потому что будет запрет на импорт из России. Может ли Россия заменит другие часты оборудования, которые делает АСМЛ?
        • 0
          Нет аватара Aik1
          09.04.1415:58:50
          Ничего не будет, никакой войны тоже нет!EUV источник разработан в Троицке(Россия) и здесь его делают.Даже если представить худший вариант то Россия никак не пострадает.
          --------------------------
          Тоже, если есть у России патент в Нидерландах, за ЕУФ
          или будут делать вместе с Nikon или китайцами у нас эта технология и ученые а не у них Отредактировано: Aik1~16:00 09.04.14
        • 1
          Нет аватара Aik1
          09.04.1416:13:05
          Если холодная война начнет (а по моему, уже начала)


          Какая нахрен война??? Евросоюз разваливается на глазах.В сентябре референдум о независимости Шотландии это мощный удар против союзника США...Фландрия в Бельгии развалится через год-два,референдум в Каталонии в ноябре,Венеция в Италии и тд.Народ не гоните в мае выборы в Евросоюз и по всем соц.опросам к власти приходят противники Евросоюза забудьте про ЕС вообще это организация живой труп пока   Пузырь сланцевого газа лопнул а через год лопнет нефтяной у США Китай к тому времени станет экономикой номер один.Че вы ноете про этот Евросоюз??Его уже заменила Азия!Туда нужно переезжать России на Дальний Восток и Сибирь! там рынки и технологии,там мы нужны,там нас ждут Отредактировано: Aik1~16:16 09.04.14
          • 0
            Chetnik Chetnik
            09.04.1418:11:35
            Евросоюз можно и развалится, но Американские войск останут в Европи. А раздроб государств значит только что никто из них не будет достаточно силен для противленые диктату США.

            И Япония и Недерланды имеет войск США, это окупирована государства. Значит, сотрудничит с АСМЛ, Никон и Кенён является рисковато. Нужно всегда знат что они могут покинут сотрудничество в любом моменту.
            • 1
              Нет аватара Aik1
              09.04.1421:12:53
              Евросоюз можно и развалится, но Американские войск останутся в Европи. А раздроб государств значит только что никто из них не будет достаточно силен для противленые диктату США.

              Они попадают под сокращения   В 2014 только ВВС США спишут 90 истребителей в Великобритании а те что останутся скорей для моральной поддержки поляков.У США смена приоритетов их главный враг Китай они уже закрывают базы в Европе и на Ближнем Востоке для переброски в Азию в этом году они пришлют 3 эсминца в Японию якобы против КНДР но всем понятно что против Китая.Япония,Филиппины и США будут стараться блокировать Китай с моря поэтому Китай и Россия переходят от слов к делю , в мае подпишут договор о военно-техническом сотрудничестве о поставках газа и нефти в Китай и строительство трубопровода в Южную Корею + штаб совместных антитеррористический операций.
              9 апреля, 2013
              ВВС США приостановят полеты 17 боевых эскадрилий из-за сокращения военного бюджета, подразумевающего сокращение количества летных часов, сообщает Defense News.
              С 1 марта 2013 года бюджет ВВС США на текущий финансовый год (заканчивается 30 сентября) был сокращен на 591 миллион долларов, из-за чего военные вынуждены были урезать летную программу на 44 тысячи часов. Оставшиеся 241496 летных часов будут распределены между эксадрильями высокой боевой готовности.

              Приостановка полетов вступит в силу 11 апреля 2013 года, а для тех самолетов, что в настоящее время находятся за рубежом ─ сразу после их возвращения на базы. В составе эскадрилий, чьи полеты будут приостановлены, числятся истребители F-15C/D, F-22, F-15E и F-16C/D, штурмовики A-10C, бомбардировщики B-1B, B-2, B-52, самолеты дальнего радиолокационного обнаружения и управления E-3B/C/G, а также несколько разведывательных самолетов типа RC-135. Сколько в общей сложности самолетов не будут подниматься в воздух, не уточняется.

              Еще до вступления в силу секвестра американского бюджета командование ВВС США заявляло, что из-за уменьшения военных расходов военные вынуждены будут сократить количество летных часов по меньшей мере на 18 процентов. В результате боевая готовность ВВС будет «ниже оптимального уровня». По оценке командования, военным понадобится около полугода, чтобы устранить последствия сокращения количества летных часов.

              1 марта 2013 года президента США Барака Обама подписал указ о сокращении государственного бюджета. Сильнее всего это распоряжение затронуло Пентагон, который должен сократить военные расходы на 46 миллиардов долларов. Из-за такого сокращения американские военные уже сократили ряд оборонных программ и начали пересматривает некоторые проекты разработки вооружений и техники.

              США: ВВС с 2015 года сократят количество истребителей 26.03.2014 ВВС США с 2015 г. в рамках сокращения военного бюджета планируют уменьшить количество истребителей. Будут списаны 51 истребитель F-15C Eagle, в т. ч. 21 самолет, базирующийся за рубежом. Сокращения будут проведены в ближайшие пять лет. В настоящее время ВВС США располагают 230 самолетами F-15C. Точно неизвестно, какие самолеты, базирующиеся за рубежом, будут выведены из боевого состава: в Европе или Японии, на Окинаве. В Европе 21 самолет F-15C основан на авиабазе Лэйкенхит (Великобритания). 10 из них в настоящее время принимают участие в миссии Baltic Air Policing в Литве. Лэйкенхит также является базой для двух эскадрилий F-15E Strike Eagle. 54 самолета F-15C размещены на авиабазе Кадена на Окинаве. ВВС США в Европе не комментируют планируемые сокращения. Этот план будет третьим сокращением авиационной группировки США в Европе, начиная с 2010 г. В начале 2010 г. были сокращены 21 самолет F-16 с авиабазы Шпангдалем (Германия). В прошлом году были выведены 21 штурмовик А-10, которые были последними самолетами этого типа в Европе. (Aex.ru/
              Не забудьте поставить ссылку: http://ukrmach.dp.ua/2014...chestvo-istrebitelej.html 

              США сократит количество закупаемых истребителей F-35 из-за дефицита бюджета
              Как сообщает информационное агентство "Интерфакс", Министерство обороны США в 2015 г. закажет у компании Lockheed Martin только 34 истребителя пятого поколения F-35 - на восемь машин меньше, чем планировалось.

              Об этом заявил главный финансовый инспектор Пентагона Роберт Хейл на конференции в Вашингтоне.

              По его словам, решение отложить заказ истребителей связано с бюджетными ограничениями, а не с сомнениями по поводу эффективности нового самолета. "Здесь дело в том, что мы можем себе позволить, а не в характеристиках самолетов", - сказал Хейл.

              Он не стал говорить о перспективах закупок F-35 в последующие годы, однако указал на то, что их производство будет увеличиваться. Отредактировано: Aik1~21:19 09.04.14
            • 1
              Нет аватара Aik1
              09.04.1421:18:53
              США сократят число авианосцев

              Новости. США, 9 августа. Представители министерства обороны США заявили о сокращении вооружённых сил. Из 11 авианосцев на вооружении останутся 8 или 9, около 10 тысяч человек планируется уволить из американских ВМС, ожидаются сокращения и в морской пехоте.
              Хотя окончательное решение пока не принято, Минобороны планирует снять с вооружений один крейсер и три или четыре эсминца, а также примерно семь эскадрилий военно-воздушных сил, каждая из которых насчитывает около 20 самолётов.

              Отмечается, что потери от сокращения ВВС США не так значительны, как от ВМС. Кроме того, сокращение воздушных машин в ВВС и ВМС США напрямую связано с сокращением авианосцев. В первую очередь под сокращение попадут устаревшие вертолёты SH-60 и истребители F/A-18.

              ​Пентагон планирует сократить армию США до минимума со времен Перл-Харбора

              24 февраля 2014
              С вооружения американской армии планируется также снять ряд боевых самолетов.


              Министр обороны США Чак Хэйгел планирует объявить о сокращении численности Армии США до самого низкого уровня за последние 74 года. Об этом 23 февраля сообщило издание The New York Times, ссылаясь на источники в Пентагоне.

              Новый проект предусматривает сокращения численности военнослужащих до 440-450 тысяч человек. При этом ранее предполагалось сократить состав сухопутных войск до 490 тысяч человек.

              Пентагон также предлагает снять с вооружения военно-воздушных сил ряд боевых самолетов, в частности, все штурмовые самолеты A-10 Thunderbolt II.

              В 2011 году численность армии США составляла 566 тысяч человек. В январе 2012 года президент США Барак Обама представил новую военную стратегию, которая предполагала отказ Вашингтона от таких дорогостоящих операций, как были проведены в Ираке и Афганистане. В связи с этим было запланировано сокращение вооруженных сил. Предполагалось, что на боеспособность подразделений это сильно не повлияет, поскольку США больше не нужно будет вести несколько масштабных кампаний за рубежом.

              В рамках новой стратегии было объявлено сокращение вооруженных сил почти на 100 тысяч человек. При этом численность действующих военнослужащих Армии планировалось снизить с 562 тысяч до 490 тысяч человек, а Корпуса морской пехоты — с 202 тысяч до 182 тысяч человек.

              В 1940 году численность Армии США составляла менее 250 тысяч человек. В связи с началом Второй мировой войны, а затем с началом Холодной войны, в сухопутные войска стали принимать все большее число военнослужащих. После этого серьезный рост численности военнослужащих был зафиксирован после терактов 11 сентября 2001 года, которые сопровождались продолжительными военными кампаниями в Афганистане и Ираке.
            • 1
              Нет аватара Aik1
              09.04.1421:23:10
              Значит, сотрудничит с АСМЛ, Никон и Кенён является рисковато
              Россия ничего не теряет!....я еще раз говорю,технология российская,если бы они могли сами ее производить то не заказывали бы источники в России Отредактировано: Aik1~21:24 09.04.14
    • 0
      Нет аватара Aik1
      08.04.1413:36:04
      конкурентоспособные против АСМЛ и Никон? ASML заказывает EUV источник у России.Это один альянс     Отредактировано: Aik1~13:36 08.04.14
    • 0
      Нет аватара Aik1
      08.04.1422:32:17
      EUV Labs SemiCON Taiwan 2013
  • 0
    Нет аватара amartology
    08.06.1421:54:07
    Господа, а у вас все хорошо с тем, чтобы брать и целиком перепечатывать статьи с других ресурсов без разрешения администрации этих ресурсов и без разрешения автора?

    Я весьма польщен, что вас заинтересовала моя статья, но так поступать - это чистой воды скотство.

  • 0
    Стрелец Стрелец
    25.05.1517:58:34

    твёрдотельная электроника ущербна по определению для применения в среде жёсткого космического ихлучения в этом случае может помочь старая добрая эмисионая эдектроника. Проходя сквозь вакуум колбы высокоэнергетичные космические частицы не могут причинить ущерб прибору,ну, а устранить недостатки вакумной электроники можно за счёт НОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ и такие технологии у нас есть…

    https://youtu.be/o7LIPTEaZuI

Написать комментарий
Отмена
Для комментирования вам необходимо зарегистрироваться и войти на сайт, или вы можете воспользоваться вашим аккаунтом в LiveJournal, или в других социальных сетях: OpenId OpenID Вконтакте Twitter Yandex facebook Google Mail.ru