Семинар в НИИСИ РАН: 65 нм в космосе

30 января в НИИСИ РАН состоялся внутренний семинар на тему "Вопросы применимости КМОП СБИС 65нм в условиях воздействия факторов космического пространства". 

Сотрудники НИИСИ РАН (Горбунов М.С. и др.) докладывали о результатах НИР по разработке тестового кристалла по технологии 65нм. Сотрудники ОАО "ЭНПО СПЭЛС" были приглашены на семинар как участники работы в части проведения испытаний и трактовки результатов эксперимента.

От ОАО "ЭНПО СПЭЛС" участвовали А.Г.Петров, А.Б.Боруздина и А.В.Уланова. Боруздина Анна Борисовна сделала краткий доклад на тему: "Особенности проведения испытаний микросхем памяти на стойкость к отдельным ядерным частицам с учетом эффекта многократных сбоев".

План доклада НИИСИ РАН, а также ссылки для скачивания презентаций прилагаются ниже.

Кратко о сути работы. НИИСИ РАН разработал библиотеку элементов для данной технологии и изготовили на зарубежной фабрике TSMC тестовый кристалл. В состав тестового кристалла входит 4 блока памяти (6-транзисторная ячейка памяти, 6-транзисторная ячейка памяти с охранными кольцами, различные реализации DICE ячеек памяти), кольцевой генератор на IO, различные варианты схем мажорирования. Стоит отметить, что НИИСИ РАН получил свидетельство как первая компания из России заказавшая производство 65нм в компании TSMC. Исследуемые блоки сохранили работоспособность до уровня дозового воздействия 1.2Мрад, ток утечки вырос в 5 раз лишь для блока памяти на основе 6Т без охранных колец, для остальных блоков рост тока утечки не превышал 10%. Результаты испытаний на воздействие ТЗЧ и протонов показали: тиристорный эффект отсутствовал в диапазоне ЛПЭ до 60МэВ*см2/мг и наблюдался лишь в блоке 6Т ячейки без охранных колец только при повышенной температуре при испытаниях на ксеноне; наблюдались сбои, причем доля многократных сбоев составляет около 50% от общего числа сбоев. В некоторых блоках кратность сбоев достигает 10 сбитых ячеек от одной частицы. Обращаем внимание разработчиков аппаратуры, что проблема многократных сбоев, которые не парируются стандартными кодами типа ЕСС (однократное исправление, двойное детектирование ошибки) возрастает с уменьшением проектных норм микросхемы.

В качестве результата работы обоснована принципиальная возможность создания быстродействующих радиационно-стойких сбоеустойчивых СБИС на 65нм.

Также НИИСИ РАН запустил в производство кристалл тестовых блоков процессора на 65нм, на испытания в ОАО "ЭНПО СПЭЛС" он ожидается в конце года (кристалл будет в исполнении Flip-Chip).

Надеемся что в ближайшее время отечественная электроника сможет избавиться от зависимости американской радиационно устойчивой аппаратуры.

Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в телеграмм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈