Сканирующие зондовые микроскопы
Сканирующие зондовые микроскопы, дефектоскопия, спектральное оборудование
- Публикации
- Комментарии
-
Установка плазмохимического травления и осаждения ЭТНА-П
Назначение
Плазмохимическое осаждение из газовой фазы диэлектрических слоев (SiO2, Si3N4, и др.);
Удаление фоторезиста в кислородной плазме;
Плазмохимическое травление широкого спектра материалов, очистка и модифицирование поверхности подложек и структур;
Атомно-слоевое осаждение тонких конформных слоев.
ЭТНА-П Установка имеет компактные размеры и выполнена в виде моноблока. Реактор выполнен из нержавеющей стали с постоянным верхнем фланцем, несущем на себе функции нагрева и удержания образцов. На нижнем фланце располагается узел генерации индуктивно-связанной плазмы. Загрузка образцов — фронтальная через порт быстрого доступа. Баллоны с газами располагаются в дополнительном шкафу (поставляются отдельно). Ориентирована на лабораторное исследовательское и образовательное применение, а также мелкосерийное производство.
Разработка и производство Россия, ООО «СИТЭК» — в России лучше и многообразнее.
-
Установка магнетронного напыления ЭТНА-М
Малогабаритная установка магнетронного напыления ETNA-M разработчик и производитель ООО «СИТЭК»
Установка магнетронного напыления ETNA-M предназначена для осаждения металлических слоев. Реактор выполнен из нержавеющей стали с верхним фланцем, несущим на себе функцию нагрева образцов. На нижнем фланце располагается водоохлаждаемый магнетрон с питанием постоянным током. Ориентирована на лабораторное исследовательское и образовательное применение, а также мелкосерийное производство.
Технические параметры:
- поштучная обработка образцов диаметром до 100 мм;
- расположение — лицом вниз;
- максимальная температура нагрева — 350 ºС;
- диаметр используемых мишеней — 76 мм;
- мощность источника постоянного тока 1100 Вт;
- напряжение максимальное — 1000 В;
- откачка на базе сухого спирального и турбомолекулярного насосов;
- количество газовых каналов — один с максимальным расходом 20 см3/мин;
- способ регулирования — электронный регулятор;
- предельный вакуум — 10-6 торр;
- управление — автоматическое от ПК или ручное;
- контроль давления — с использованием химически стойкого мембранного датчика, блокировки на открытие клапанов;
- рабочее давление в реакторе — порядка 0.5 Па, определяется потоком газа через магнетрон;
- инфраструктурные требования — сжатый воздух;
- питание - 220 В, не более 3 кВт;
- масса не более 350 кг;
-
Уникальная естественнонаучная лаборатория для проектной деятельности школьников и студентов ST-LAB.
Это комплекс современных исследовательских приборов, разработанный для проведения междисциплинарных учебно-исследовательских практикумов. Использование лаборатории ST-LAB в процессе обучения в рамках дополнительного и факультативного образования повышает мотивацию учащихся к инженерным и естественнонаучным специальностям и способствует ранней профессиональной ориентации учащихся.
- Состав лаборатории формируется в зависимости от задачи и бюджета Заказчика
- Лаборатория ориентирована на широкий спектр междисциплинарных образовательных траекторий (физика, химия, биология, информатика, математика), решать которые увлекательно и перспективно.
- Лаборатория содержит комплекс лабораторных и проектных работ с исчерпывающим описанием, несколькими уровнями сложности.
- Лаборатория включает в состав тестовые образцы и реактивы, а также расходное оборудование, в том числе хим. посуду, пипетки, пинцеты, покровные стекла
и т. д.
Ключевое оборудование лаборатории:
Учебный сканирующий зондовый микроскоп
Предназначен для проведения измерений методами атомно-силовой и туннельной микроскопии. Прибор ST-LAB прост в управлении и адаптирован для проведения учебных работ, оснащен мощным программным блоком обработки получаемых изображений в режиме реального времени. Позволяет получать качественные изображения с высоким разрешением в считанные минуты.
-
Компактный исследовательский сканирующий зондовый микроскоп Corvus от компании разработчика и производителя ООО «СИТЭК»
Преимущества СЗМ Corvus:
- модульная конструкция;
- плоскопараллельная система сканирования по осям X,Y,Z;
- открытый дизайн сканирующей головки
- высокая разрешающая способность
- мощный программный пакет для обработки полученных изображение в комплекте.
Реализовано более 30 методик сканирующей зондовой микроскопии, включая:
- Контактная мода: измерение нормальных сил, боковых сил, топография (ошибка обратной связи), силовые кривые подвода, отвода
- Колебательные методики: бесконтактная методика (Tapping), режим топографии (ошибка обратной связи),
- Режимы отображения фазы
- Режим снятия силовых кривых в точке скана (Jumping Mode)
- Режим измерения поверхностных потенциалов
- Режим зонда Кельвина
-
В основе зондовой нанотехнологии лежат уникальные приборы с зондом — сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) и атомносиловой микроскоп (ACM).
Зондовая нанотехнология представляет собой совокупность методов и способов обработки и изменения свойств материала на уровне отдельных атомов, молекул и элементов нанометровых размеров с помощью острийного зонда с одновременной визуализацией и контролем процесса.
В сканирующем туннельном микроскопе зонд представляет собой металлический игольчатый электрод с очень тонким острием, закрепленный на трехкоординатном сканере. Зонд-острие (АСМ зонд, кантилевер) находящийся под электрическим потенциалом, располагается перпендикулярно поверхности на таком расстоянии от нее, при котором возникает туннельный ток. Туннельный ток зависит от величины зазора между острием и поверхностью, а также от величины электрического потенциала на зонде. Если с помощью цепи обратной связи при сканировании поверхности поддерживать постоянным туннельный ток, то можно получить информацию о рельефе исследуемой поверхности.
Приборостроение для нанотехнологий. Широкий спектр сканирующих зондовых микроскопов для научных исследований — «СИТЭК».
Прогресс в зондовой микроскопии и нанотехнологии напрямую связан с усложнением и интеллектуализацией зондовых инструментов.
