Якутские ученые синтезировали перспективные двухмерные материалы
@sdelanounas_ruМолекулярная структура дисульфида молибдена: зеленые шарики — атомы серы (S), фиолетовые — молибдена (Mo). Толщина такого монослоя MoS2 составляет примерно 0,65 нм. © Depositphotos_ogwen
Наноэлектроника ближайшего будущего будет основана не только на графене. Почетное место в ней займут атомарно тонкие пленки дисульфидов молибдена (MoS2) и вольфрама (WS2), молекулярный слой которых представляет собой «сэндвич» из металлической «начинки», заключенной между двумя «ломтиками» серы. При этом атомы серы, молибдена или вольфрама выстроены в своих плоскостях в правильные шестиугольники.
Это гибкие, прозрачные и фоточувствительные двухмерные материалы. От полуметалла с нулевой запрещенной зоной и рекордной подвижностью зарядов (20000-150000 см2В-1с-1) графена, они отличаются полупроводниковыми свойствами. Однослойные пенки MoS2 и WS2 имеют ширину запрещенной зоны порядка 2 эВ и подвижность зарядов 200 — 500 см2В-1с-1, благодаря чему они активно используются для создания перспективных устройств слаботочной наноэлектроники, в первую очередь тонкопленочных транзисторов, призванных прийти на смену медлительным, громоздким и энергозатратным кремниевым аналогам. Насущной задачей на этом пути является поиск масштабируемых методов синтеза бездефектных пленок дисульфидов молибдена и вольфрама.
Эффективный способ получения монослойных MoS2 и WS2 путем химического осаждения из газовой фазы (CVD-метод) разработали сотрудники лаборатории Графеновых нанотехнологий Северо-Восточного федерального университета им. М.К. Аммосова. Результаты их работы опубликованы в журнале Semiconductors.
Схема синтеза монослойных пленок дисульфида молибдена (а) и дисульфида вольфрама (b). (Smagulova S.A. et al./ Semiconductors, 2020)
Синтез двумерных MoS2 и WS2 происходит в потоке аргона внутри высокотемпературной трехзоновой печи. Исходными веществами (прекурсорами) для получения пленок MoS2 являются порошковый оксид молибдена (MoO3) и сера. Для синтеза WS2 наряду с порошковой серой применяется водная суспензия WO3, которая наносится прямо на подложку. В качестве подложек используется кремний, покрытый слоем SiO2, и сапфир, которые пред началом синтеза специальным образом обрабатываются для удаления загрязнений и примесей.
Подобрав ключевые параметры синтеза — температуру, время, количество и соотношение прекурсоров — ученые из Якутии научились выращивать домены в виде треугольных монокристаллов MoS2 с максимальным боковым размером до 250 мкм на сапфировой подложке, и домены MoS2 и WS2 до 80 мкм на SiO2. В зависимости от соотношения прекурсоров образующиеся на подложках домены сращиваются друг с другом, формируя сплошные однослойные пленки дисульфидов молибдена и вольфрама. Высокая однородность и качество полученных образцов подтверждена с помощью метода комбинационного рассеивания света специалистами компании Русграфен совместно с коллегами из лаборатории Спектроскопии наноматериалов Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН.
Снимки, полученные с помощью атомно-силового микроскопа, показывающие формирования сплошной однослойной пленки MoS2 синтезированной при температуре 750оС на подложке SiO2/Si в зависимости от соотношения прекурсоров MoO3: S. а — 1: 66, b — 1: 99, c — 1: 180. (Smagulova S.A. et al./ Semiconductors, 2020)
Итогом сотрудничества компании Русграфен и лаборатории Графеновых нанотехнологий СВФУ им. М.К. Аммосова стало появление в Русграфен.Маркете новых двумерных материалов — однослойных пленок и монокристаллов дисульфидов молибдена и вольфрама. Площадь коммерчески доступных пленок MoS2 и WS2 пока невелика — 64 мм2, но вполне достаточна для проведения фундаментальных и прикладных исследований, разработки прототипов электронных устройств.
Совсем скоро ассортимент Русграфен.Маркета пополнится еще одной восходящей «звездой» двумерных материалов — «белым графеном» -гексагональным нитридом бора (hBN). Диэлектрик нитрид бора, совместно с полупроводником дисульфидом молибдена и проводником графеном, позволит создавать образцы сверхтонких МДП-структур (металл-диэлектрик-полупроводник). Из этого двухмерного «трио», словно из кирпичиков LEGO, можно создавать ван-дер-ваальсовые гетероструктуры, сулящие перевернуть мир современной электроники. Чем мы непременно займемся.
Принцип создания ван-дер-ваальсовых гетероструктур из двумерных материалов
Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в телеграмм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈
Поделись позитивом в своих соцсетях
Другие публикации по теме
Наночастицы графена помогут уменьшить вязкость нефти
Физики ТюмГУ, НГУ и ТИУ представили методику для изучения поведения на...использования графена в нефтяной и энергетической промышленности.Российские физики синтезировали инновационный материал для компьютерной памяти
Физики из Курчатовского института создали новый материал для компьютер...ому же, это природный ресурс, который не может быть неиссякаемым.В России разработана установка по переработке печной сажи в многослойный графен
Ученые Центра углеродных технологий Уфимского государственного нефтяного те...ния однослойного графена на основе применения СВЧ-поля или CVD-метода.
Вступай в наши группы и добавляй нас в друзья :)
Следи за успехами России в Телеграм @sdelanounas_ru