стань автором. присоединяйся к сообществу!
Лого Сделано у нас
56

Транзисторы по LDMOS-технологии и другие разработки из Воронежа

Следи за успехами России в Телеграм @sdelanounas_ru

 © tehnoomsk.ru

В «НИИ электронной техники» (АО «НИИЭТ», Воронеж) в 2023 году разработаны два новых отечественных СВЧ-транзистора по технологии LDMOS (Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor). Первый из них имеет обозначение КП9171А и уже тестируется в радиоэлектронном оборудовании, второй — КП9171БС. Оба транзистора предназначены для российской телевизионной аппаратуры стандартов цифрового вещания DVB-T/DVB-T2. Новые транзисторы по LDMOS-технологии обладают необходимыми характеристиками: так, КП9171А имеет коэффициент усиления по мощности — не менее 20 дБ, коэффициент полезного действия стока — не менее 45%, коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка — не более -30 дБ при выходной мощности в пике огибающей 140 Вт и напряжении питания 50 В на рабочей частоте 860 МГц.

НИИЭТ является первым в России предприятием, серийно выпускающим силовые транзисторы по технологии GaN на кремнии. Направление по нитриду галлия развивается: воронежские инженеры создали ряд силовых GaN-приборов, включая нормально закрытые транзисторы с допустимым напряжением сток-исток от 100 до 650 В. В будущем на предприятии при господдержке планируют создание постростового производства по технологии нитрид-галлий на кремнии полного цикла.

Ведутся в «НИИ электронной техники» и собственные разработки процессоров и микроконтроллеров. По программе импортозамещения создан микроконтроллер 1874ВЕ10АТ, имеются реализованные проекты по микроконтроллерам в пластиковых корпусах. В 2023 году стала доступна заказчикам 8-разрядная микро-ЭВМ К1946ВМ014 RISC-архитектуры, в 2024 году в серийное производство запустят новые российские 32-разрядные микроконтроллеры К1946ВК028 и К1946ВК035 (малогабаритный) с периферией для управления электроприводами. Создан и готов к поставкам ультранизкопотребляющий микроконтроллер К1921ВГ015 на ядре RISC-V. По состоянию на декабрь 2023 года в Воронеже велись разработки еще 4 микросхем на ядре RISC-V, в том числе 2-ядерный, универсальный энергоэффективный микроконтроллеры, а также микроконтроллеры для портативных систем и для устройств «интернета вещей».

Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в телеграмм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈


  • Nelton
  • 3
  • 1
    Нет аватара Serguei
    13.01.2416:52:25

    Я не самый большой специалист в этой области, но когда я читаю подобные новости, то, во-первых, с ужасом осознаю, в каком дерьме мы находились в рамках «международного разделения труда» (=чушки, слябы, слитки, бабины, рулоны, окатыши и т. п.), и во-вторых, радуюсь тому, что мы получили от Запада кулаком в морду и начали работать на свои национальные интересы.

    • 1
      Нет аватара oaroma
      13.01.2420:21:12

      Рекомендую применять не такую грубую и обидную формулировку. Можно, например, так: Иногда движение вперед является результатом пинка под зад.

  • 1
    Нет аватара oaroma
    13.01.2420:19:08

             

Написать комментарий
Отмена
Для комментирования вам необходимо зарегистрироваться и войти на сайт,