Новая технология ускорит развитие силовой микроэлектроники

В России создана первая установка для выращивания кристаллов нитрида галлия на 200-миллиметровых кремниевых подложках. Этот важный шаг в микроэлектронике был достигнут благодаря совместной работе специалистов АО «НИИТМ» (входит в ГК «Элемент»), НТЦ микроэлектроники РАН и ООО «Софт-Импакт».

Нитрид галлия широко применяется для производства компонентов сверхвысокочастотной и силовой микроэлектроники, используемых в разнообразных устройствах: от зарядных станций для электромобилей до бытовой электроники, такой как ноутбуки и телефоны.

По словам Юлии Сухорословой, директора направления электронного машиностроения ГК «Элемент», технологии с использованием нитрида галлия обладают высокой мощностью и стойкостью, что делает устройства более эффективными. Например, применение таких компонентов в зарядных станциях для электромобилей позволяет существенно ускорить процесс зарядки по сравнению с традиционными решениями.