Я и написал, что 248 нм это должен быть эксимерный лазер. И тут дело не только в нм. Тут важна мощность и площадь экспонируемой поверхности. Поясню. При облучении фоторезист должен под действием света подвергнуться химической реакции. Световой поток в единичной точке должен быть не ниже определенного значения. Если у Вас мощность источника маленькая, то и облучить Вы можете маленькую площадь. А значит сделать очень маленький чип. Твердотельники имеют хорошую энергоэффективность для маленьких чипов. Ну например можно сделать контроллер АБС по технологии 130 нм. И это будет выгодно, потому что низкие эксплуатационные затраты. Но универсальный процессор Вы не сделаете, там площадь чипа больше. Поэтому, для каждой задачи делают разные машины, по разным технологиям. Эксимерники у нас тестируют, реальных готовых решений не видел. Обещают машину к концу года. Есть предпосылки, что все пройдет хорошо.