Одно из ведущих российских предприятий микроэлектронной промышленности — «ДжиЭс-Нанотех», Калининградская область — 19 сентября 2025 года сообщило о значительном увеличении производства модулей оперативной памяти форматов DIMM и SO-DIMM стандарта DDR4. Рост производства в 4 раза стал возможен благодаря вводу в строй сразу двенадцати автоматизированных тестировочных станций.

По информации представителей предприятия, ранее на заводе GS Nanotech использовалось тестировочное оборудование с меньшей производительностью. Ему на смену пришли автоматизированные станции собственной разработки и сборки. Новое оборудование выполняет полноценное функциональное тестирование модулей памяти. Процесс позволяет полностью автоматизировать цикл тестирования: оператору достаточно установить модуль в слот и нажать кнопку питания — все остальное выполняет система.

Модернизация позволила серьезно нарастить объёмы выпускаемой продукции и скорость производства. Теперь российский завод в городе Гусев Калининградской области может выпускать до 200 000 модулей оперативной памяти (RAM или ОЗУ) собственной разработки в год. Российские модули оперативной памяти DDR4 на «ДжиЭс-Нанотех» выпускают по 6-му классу точности.

Весной 2025 года предприятие внесло в реестр российской продукции два серийных модуля DDR4:

• SO-DIMM на 260 пин и конфигурацией микросхем памяти на 1024M/2048Mx64 бит — для ноутбуков, тонких клиентов и моноблоков. Частота 3200 МГц. Варианты суммарного объема памяти на одном модуле — 8/16/32 Гбайт. Стандарт JEDEC JESD-79-4.
• U-DIMM на 288 пин, 2048Mx64 бит для АРМ, ПК. Частота 3200 МГц. Варианты суммарного объема памяти на одном модуле — 8/16/32 Гбайт. Стандарт JEDEC JESD-79-4.