GS Nanotech и ПетрГУ представили первый совместный продукт для СХД
Следи за успехами России в Телеграм @sdelanounas_ruЦентр разработки и производства микроэлектроники GS Nanotech (в составе холдинга GS Group) и Петрозаводский государственный университет представили опытные образцы твердотельного накопителя (SSD) NVMe в форм-факторе U.2, созданного специально для построения высокопроизводительных систем хранения данных (СХД) на основе all-flash решений. Это первый SSD в таком форм-факторе, полностью разработанный в нашей стране и произведенный на основе NAND-памяти, корпусированной в России. На текущий момент это максимально возможный уровень локализации таких устройств в РФ. Производство реализовано на мощностях инновационного кластера «Технополис GS», расположенного в Калининградской области.
Накопитель стал первым продуктом, произведенным в рамках консорциума разработчиков и производителей решений для СХД, соглашение о создании которого GS Nanotech, Петрозаводский государственный университет и «ДЕПО Электроникс» подписали в июле 2019 года в рамках выставки «ИННОПРОМ». Цель консорциума — развитие в России экосистемы разработчиков и производителей продуктов и сервисов для СХД, а также формирование рынка конкурентоспособных решений.
«Созданный нами консорциум обладает уникальными для России компетенциями в области корпусирования NAND-памяти для твердотельных накопителей — наиболее современных и производительных носителей информации для СХД. Мы с партнерами планируем развивать техническую базу и продолжим разработку продуктов для all-flash решений. Мы открыты для сотрудничества с другими участниками рынка разработки и производства СХД», — прокомментировал генеральный директор GS Nanotech Евгений Масленников.
«Разработка твердотельных накопителей в форм-факторе U.2 NVMe являлась ключевой задачей проекта, реализованного ПетрГУ и GS Nanotech в рамках ФЦП „Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы“ Минобрнауки РФ. Дальнейшее развитие проекта предполагает построение высокопроизводительных решений для СХД и ЦОД на основе созданных накопителей NVMe. ПетрГУ продолжит исследования и разработки в области высокоплотных высокопроизводительных решений, предназначенных для хранения данных, и программно-аппаратных систем для обработки и анализа данных», — отметил ректор ПетрГУ, профессор Анатолий Воронин.
Технические характеристики нового продукта
Характеристики | Исполнение изделия | ||
GSPDC01TR16STF | GSPDD02TR16STF | ||
Емкость, Гбайт | 960 | 1 920 | |
Форм-фактор | U.2 | U.2 | |
PCIe | PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3 | PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3 | |
Ресурс, Тбайт | 1 347 | 2 694 | |
Скорость последовательного чтения, Мбайт/с | до 3 200* | до 3 200* | |
Скорость последовательной записи, Мбайт/с | до 1 000* | до 1 000* | |
Количество операций, случайное чтение (4K-QD32), IOPS | до 360 000* | до 350 000* | |
Количество операций, случайная запись (4K-QD32), IOPS | до 30 000* | до 30 000* | |
Рабочая температура, ˚С | от 0 до +70 | от 0 до +70 | |
Температура хранения, ˚С | от -40 до +85 | от -40 до +85 | |
Напряжение питания, В | от 11,04 до 12,96 | от 11,04 до 12,96 | |
Устойчивость к вибрации, Гц | до 80 при амплитуде в 1,52 мм до 2 000 при перегрузке в 20 G | ||
Ударостойкость, G | до 1 500 в течение 0,5 мс | до 1 500 в течение 0,5 мс | |
Устойчивость к влаге, % | до 93 при +40 ˚С | до 93 при +40 ˚С | |
Соответствует спецификации PCI Express® Base Specification Revision 3.1a | |||
Соответствует требованиям RoHS | Соответствует спецификации NVMe 1.3 | ||
* Указано максимальное значение, зависит от используемой NAND Flash-памяти и объема накопителя
GS Group с 2016 года реализует первый в России проект по разработке и массовому производству SSD (с англ. «solid-state drive», твердотельные накопители) — немеханических запоминающих устройств на основе микросхем памяти с управляющим контроллером. В феврале 2018 года холдинг GS Group запустил массовое производство SSD собственной разработки. Сегодня производитель предлагает целую линейку твердотельных накопителей корпоративного класса емкостью до 2 ТБ в нескольких форм-факторах. В основе SSD использованы произведенные GS Nanotech модули памяти, в составе которых — последнее поколение кристаллов NAND-памяти от ведущих мировых производителей. Весь производственный цикл — разработка и проектирование SSD, корпусирование модулей NAND-памяти, монтаж компонентов на плате, финальная сборка и упаковка изделий — реализован в инновационном кластере «Технополис GS», мощности которого позволяют выпускать более 1 млн устройств в год.
Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в телеграмм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈