НИИМЭ и НИИТМ (оба предприятия входят в ГК Элемент) завершили завершили разработку и сборку первых в России кластерных систем для процессов плазмохимического осаждения (ПХО) и травления (ПХТ). Установки можно использовать в составе производственных линий для выпуска интегральных микросхем по топологическим нормам 65 нм на пластинах 200 мм и 300 мм. Тем самым, российские организации вошли в пятерку компаний в мире, обладающих компетенциями в разработке и производстве данного класса технологического оборудования.

Головным исполнителем проекта стал НИИМЭ, обеспечивший строительство чистых производственных помещений (ЧПП), монтаж и подключение опытных образцов оборудования в ЧПП, разработку технологических процессов и испытание оборудования. Основным соисполнителем выступил НИИТМ, чьи специалисты разработали само оборудование и участвовали в проведении испытаний.

«Создание первых российских кластерных систем для ПХО и ПХТ — важный практический результат. Установки для уровня 65 нм на пластинах 300 мм обеспечат в том числе перспективную потребность отечественной микроэлектроники. Особую ценность представляет модульность платформы: она позволяет отрабатывать процессы на существующем оборудовании и служит основой для перехода к более тонким техпроцессам. Этот проект демонстрирует, что кооперация наших научных институтов и промышленности способна решать сложнейшие технологические задачи», — отметили в Министерстве промышленности и торговли.

В мировой практике в качестве стандарта для производства микросхем используется оборудование кластерного типа, так как оно позволяет объединять от 2 до 8 технологических установок с общей системой загрузки. Это дает возможность последовательно проводить ряд технологических процессов без выгрузки пластин в атмосферную среду помещения. Модульная структура позволяет гибко конфигурировать оборудование в зависимости от потребностей и мощности производств. Все эти факторы влияют на снижение себестоимости продукции и улучшение качества чипов.

Оборудование разработано для работы с пластинами диаметром 200 и 300 мм. Это дает возможность применять установки на действующих и планируемых производствах как с технологическими нормами, реализуемыми на пластинах 200 мм, так и обеспечить своевременную подготовку к переходу на работу на 300-миллиметровых пластинах. При использовании конфигурации оборудования для пластин диаметром 200 мм возможно применение с проектными нормами — 90, 130, 180, 250 нм.

В дальнейшем разработанные и аттестованные в рамках проекта базовые технологические процессы осаждения и травления диэлектрических слоев являются базой для их адаптации под существующие техпроцессы и для разработки перспективных, включая 28 нм.

«Вхождение в мировой топ обладателей технологии кластерных систем для микроэлектроники — это одновременно и колоссальное достижение, и серьезная ответственность перед отечественными разработчиками. Создание российских кластерных систем для ПХО и ПХТ стало ключевым этапом на пути к технологической самостоятельности отечественной микроэлектроники. Мы заложили основу для дальнейшего развития», — отметил генеральный директор НИИМЭ Александр Кравцов.

«Разработка кластерных установок ПХО и ПХТ для обработки кремниевых пластин диаметром 300 мм открывает новые перспективы для вывода российской микроэлектронной отрасли на новый технологический уровень. Создание оборудования для технологий с проектной нормой до 65 нм — важный шаг в развитии электронной промышленности нашего государства, демонстрирующий высокий уровень компетенций и готовность обеспечить российские предприятия отечественным оборудованием, не уступающим зарубежным аналогам», — сказал генеральный директор НИИТМ Михаил Бирюков.