Томские ученые создали дешёвый экономичный нанотранзистор
Следи за успехами России в Телеграм @sdelanounas_ru
ТУСУР
ТОМСК, 17 ноя – Ученые Томского университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) разработали первый в мире нанотранзистор, применяемый в СВЧ-электронике, при производстве которого используются не драгоценные металлы, а соединение меди с германием, что значительно снижает себестоимость устройства, сообщил в четверг РИА Новости аспирант вуза ЕвгенийПЛЛ офеев
«В настоящее время транзисторы выпускаются с металлизацией на основе драгметаллов, а мы предлагаем использовать соединения меди с германием, которое получается оригинальным способом. В этом и новизна. Мы подали заявку на изобретение, получили положительное решение, была экспертиза, которая подтвердила, что мировых аналогов нашего нанотранзистора нет», – сказалПЛЛ офеев.
Он уточнил, что проект реализуется в научно-образовательном центре ТУСУР «Нанотехнологии». Ученый пояснил, что в настоящее время в производстве арсенид-галлиевых монолитных интегральных схем и транзисторов, на базе которых они создаются, используются платина, палладий, золото. Отказ от драгоценных металлов не только снизит себестоимость производства транзисторов, но и повысит их технические характеристики.
По информации пресс-службы вуза, испытания нанотранзистора прошли успешно, поэтому в 2012 году разработчики планируют создать на его основе технологию изготовления монолитной интегральной схемы и подать заявку на патент США. При этом разработка аспиранта ТУСУР является одним из направлений совместной работы университета и компании «Микран» в рамках проекта по созданию высокотехнологичного производства по постановлению Правительства РФ №218.
«После получения патента планируем сотрудничать и внедрять готовую технологию в производство с компанией «Микран», которая будет создавать в томской особой экономической зоне производство базовых станций 4G вместе с Nokia Siemens. Планируем через «Микран» коммерциализировать разработку», – пояснилПЛЛ офеев.
Nokia Siemens Networks и ЗАО «Научно-производственная фирма «Микран» (резидент томской ОЭЗ) в сентябре подписали соглашение о создании совместного предприятия по производству в Томске первых в РФ базовых станций сетей мобильной связи четвертого поколения (4G) по технологии Long Term Evolution (LTE).
Научно-производственная фирма «Микран» создана 1991 году. Основными направлениями деятельности компании являются производство телекоммуникационной аппаратуры, контрольно-измерительной аппаратуры СВЧ-диапазона и аксессуаров СВЧ-тракта, радиолокационного оборудования, систем безопасности, монолитных интегральных GaAs функциональных элементов сантиметрового и миллиметрового диапазона.
»Блог Николая Степанова" по материалам
http://ria.ru/nano_news/20111117/490872044.html
Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в телеграмм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈
17.11.1116:16:32
17.11.1118:58:52
19.11.1110:20:31
19.11.1122:03:35
21.11.1114:42:43