стань автором. присоединяйся к сообществу!
Добавить новость можно всем, без премодерации, только регистрация
Лого Сделано у нас
110
Константин Курсиков 02 октября 2019, 16:15 4 Электроника, электротехника и приборы

АО «ЭОС» запустило первое в России производство наногетероструктур на основе арсенида галлия

Следи за успехами России в Телеграм @sdelanounas_ru

 © ratm.ru

АО «Экран-оптические системы» (г. Новосибирск, актив РАТМ Холдинга, якорный резидент индустриального парка «ЭКРАН»), опираясь на фундаментальные и прикладные разработки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП) СО РАН, ввело в эксплуатацию установку молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в рамках организации первого в России промышленного производства наногетероструктур на основе арсенида галлия.

Объем инвестиций составил 350 млн рублей, источник — средства акционера и заемные.

Производительность установки МЛЭ фирмы RIBER (Франция), размещенной на площадке ИФП, — до 10 тыс. пластин GaAs* в год. АО «Экран-оптические системы» намерено освоить значительную долю отечественного рынка пластин GaAs и GaN, а также экспортировать их.

читать полностью
Источник: http://www.ratm.ru/press-center/new...dstvo-nanogeterostruktur-na-osnove/

Новосибирская область, импортозамещение
все комментарии
  • 14
    Нет аватара LAP17
    02.10.1921:54:19

    Clausson,

    1. Вы далеко не тупой (тупой бы стал хныкать, что автор абракадабру написал). Просто текст написан для людей, которые знакомы с этой технологией. Я, кстати, поддерживаю такой подход к публикациям — он помогает неспециалистам действительно понять суть того, о чем идет речь — перечитают несколько раз, посмотрят другие источники, и поймут правильно хотя бы что-то, а не проскачут по верхам.

    2. Завод пока будет выпускать наногетероструктуры, т. е., относительно большие структуры по технологиям 64, 28, 17 нм насколько я понимаю. В моей книге есть две главы, посвященные виртуальному синтезу (т.е., я их синтезировала используя квантовую механику и софты квантовой химии) искусственных молекул GaAs (например, Ga10As4) — грубо, размер порядка 10 Ангстрем (1 нм). Это и есть характерные размеры компонент (молекул) чипов следующего поколения. Там электронные свойства вообще замечательные — их можно просто менять В ПРОЦЕССЕ приема-передачи бита — кубита,

    если хотите. Более того, инфо можно будет передавать-принимать целыми пакетами кубитов, а не по одному кубиту на молекулу. Но есть и более интересные молекулы для будущих квантовых процессоров.

    3. В Новосибирске знаю людей (из универа) работающих над материалами для чипов квантовых компов на основе АТОМОВ углерода встроенных в нейтральные подложки. ОЧЕНЬ ИНТЕРЕСНО.

    #1162318 ↑
    • 4
      Clausson Clausson
      02.10.1922:14:21

      Спасибо, теперь стало более понятно (и интересно)

      #1162325 ↑
      • 7
        Нет аватара LAP17
        03.10.1905:33:24

        Clausson,

        очень приятно, что на сайте есть такие люди, как Вы, Великоросс, Шигорин, Брат-По-разуму, первые 6 лучших Публикаторов (справа в колонке) и некоторые другие.

        Всех вам благ и успехов, ребята. Пока вы есть, с Россией будет все в порядке.

        #1162384 ↑
        • Комментарий удален
          • 0
            Нет аватара LAP17
            07.10.1904:56:52

            Макс Южный,

            наш военпром (точнее, минсредмаш) ВСЕГДА производил свою электронику для себя, включая платы и компы. Но совесть народа — КПСС — закрыла проект автоматизации ВСЕЙ промышленности страны (в частности, разработку суперкомпов Минск) за взятку от ИБМ. Союз купил ИБМ-360, а свою программу закрыл. На момент покупки IBM-360 мы ОПЕРЕЖАЛИ США — у нас уже работали суперкомпы Минск, а у них IBM-360 была еще по мощности персоналкой. Комми — это враги РИ/СССР/РФ. Вы думаете, они только в 1991 слили страну? Они с 1917 только этим и занимаются. Сталин им немного помешал, ну так они его травонули.

            #1163378 ↑
Написать комментарий
Отмена
Для комментирования вам необходимо зарегистрироваться и войти на сайт,