Российские ученые создали новый мемристор
© indicator.ru
Исследователи из Университета Лобачевского создали новый вариант мемристора на основе слоистой структуры «металл — оксид — металл». Разработка найдет применение в запоминающих устройствах. Результаты работы опубликованы в журнале Advanced Materials Technologies.
Мемристоры — это устройства, которые могут изменять сопротивление в зависимости от протекавшего заряда. Наблюдающееся в мемристоре явление гистерезиса позволяет использовать его в качестве ячейки памяти. Предполагается, что в некоторых случая мемристоры смогут заменить транзисторы.
Однако массовому применению мемристивных устройств мешает недостаточная воспроизводимость их параметров. Этот разброс в структурах «металл — оксид — металл» определяется стохастической природой перемещения ионов кислорода или кислородных вакансий вблизи границы раздела металл/оксид и усложняется изменением параметров структур в случае неуправляемого кислородного обмена.
Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈
Другие публикации по теме
- Команда инженеров и ученых КемГУ под руководством кандидата технически... разработчики получили грант 3 миллиона рублей из федеральных средств.
- Проект ученого Керченского государственного морского технологического униве...электрооборудования судов и автоматизации производства Алексей Вынгра.
- Специалисты Физико-энергетического института им. А. И. Лейпунского (АО...ргосистеме на базе быстрых и тепловых реакторов нового поколения.
Поделись позитивом в своих соцсетях
Комментарии 0