Сибирские ученые научились делать алмазные пленки толщиной 30 нанометров - на порядок тоньше, чем производят в Европе и США, сообщил завлабораторией Института физики полупроводников (ИФП) имени Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук Владимир Попов. 

Ученый пояснил, что, чем меньше толщина материала микросхемы, тем меньше возникает паразитных эффектов и помех, ниже энергозатраты, поэтому пленка наноразмерной толщины - идеальная основа для микросхем. Например, кремниевые пленки толщиной до одного нанометра, разработанные в ИФП СО РАН, используют организации Росатома и Роскосмоса при создании приборов радиационно-стойкой электроники; институты РАН и РАМН пользуются ими в приборах наноэлектроники и биосенсорах.

[читать статью полностью...]