Лого Сделано у нас
18

Рентгеновская фотолитография в России

На заре микроэлектроники, еще в 1965 году, один из создателей корпорации Intel Гордон Мур высказал предположение, которое впоследствии назвали законом Мура: число транзисторов на кристалле будет удваиваться каждые полтора-два года, а их размеры — с той же скоростью уменьшаться. И если в 1971 году проектные нормы производства микросхем были 10 мкм, то сейчас речь идет о размерах меньше 20 нм.

Ключевой технологией, обеспечивающей достижение этих результатов, является фотолитография. Фотолитографическое оборудование — одно из самых сложных, точных и дорогих в машиностроении. Цена таких установок выросла с десятков тысяч долларов до десятков миллионов.

  • Ведущий научный сотрудник Института спектроскопии РАН Константин Кошелев
  • Ведущий научный сотрудник Института спектроскопии РАН Константин Кошелев

В последние годы голландская компания ASMLithography разработала фотолитографическое оборудование на длине волны 193 нм с разрешением 32 нм, которое испытывается в Intel и в тайваньской компании TSMC. Однако возможность дальнейшего кардинального уменьшения проектных норм при длине волны источника 193 нм у многих специалистов вызывает сомнения.

Еще в начале 1990-х возникла идея создавать оптическую литографию на длине волны 13,5 нм — это диапазон мягкого рентгена или экстремального ультрафиолета (extreme ultraviolet, EUV). Такая длина волны была выбрана потому, что создать эффективные источники излучения и оптику в диапазоне от 193 до 13,5 нм оказалось невозможно. Проблема в том, что на длине волны 13,5 нм нельзя использовать традиционную преломляющую оптику из-за интенсивного поглощения такого света всеми материалами. Поэтому в подобных оптических системах используют отражающую рентгенооптику, то есть зеркала с соответствующим интерференционным покрытием. 

  • Оптическая схема EUV-фотолитографа
  • Оптическая схема EUV-фотолитографа

Разработкой оптической системы и ее элементов для фотолитографических установок, работающих на этой длине волны, и прототипа самой установки занимается в Институте физики микроструктур (ИМФ) РАН в Нижнем Новгороде член-корреспондент РАН Николай Салащенко. Источник излучения создается под руководством ведущего научного сотрудника Константина Кошелева в Институте спектроскопии (ИСАН) РАН в подмосковном Троицке. А сверхточными системами позиционирования, которые можно использовать и в фотолитографических установках, занимается «Лаборатория “Амфора”» в Москве. 

Технические и экономические подробности...

читать полностью


  • 0
    Нет аватара denisrossos
    12.02.1200:16:51
    А какой линейный размер можно будет получить используя такую длинну волны ? Неужто у нас смогут сделать собственную технологию разрешением меньше 32нм ? Это ж круто !
    • 0
      Zveruga Zveruga
      15.02.1217:31:52
      Если воспользоваться экспонированием исходя из того, что при длине волны 193 нм умудряются получать структуры размером 32 нм, то при длине волны 13,5 нм можно будет получить элементы размером 2,2 нм. Отредактировано: Zveruga~17:02 20.02.2012
      • 0
        Нет аватара ewelec
        17.02.1208:28:35
        Немного не так... берите 1/4 длины волны = 3+ нм
Написать комментарий
Отмена
Для комментирования вам необходимо зарегистрироваться и войти на сайт,