стань автором. присоединяйся к сообществу!
Добавить новость можно всем, без премодерации, только регистрация
Лого Сделано у нас
66
Kотенко Cергей 27 сентября 2024, 14:03 225 Электроника, электротехника и приборы

В России произведены первые лазеры для литографии

@sdelanounas_ru

 © static.cnews.ru

На московском предприятии ГК «Лассард» произведены первые опытные образцы эксимерного лазера, который является ключевым для литографического процесса изготовления микроэлектроники с нормами проектирования вплоть до 65 нм.

Эксимерный лазер, опытные образцы которого сегодня произведены ГК «Лассард», позволяет говорить о том, что мы все ближе к производству литографов на 130 нм (который появится в 2026 году), а в перспективе — и на 90нм, — заявили в Министерстве промышленности.

читать полностью
Источник: www.tadviser.ru

Поделись позитивом в своих соцсетях


ГК "Лассард", микроэлектроника, полупроводники, импортозамещение, Москва
все комментарии
  • 3
    Roman Wyrzykowski Roman Wyrzykowski
    27.09.2414:39:19

    Пока только китайцы думают про рентгеновский вариант и может быть что-то пытаются делать.

    До уровня 1 нм (может и ниже) можно дойти без рентгеновской литографии (EUV литография).

    Отредактировано: Roman Wyrzykowski~14:42 27.09.24
    #1289539 ↑
    • 5
      Badassgoliath Badassgoliath
      27.09.2415:13:35

      До уровня 1 нм (может и ниже) можно дойти без рентгеновской литографии (EUV литография).

      Дальше единиц нанометров, в моём представлении, есть фундаментальная проблема. Ширина «дорожек» начинает быть сопоставима с размерами атомов, примерно в несколько сот раз соотношение. Такие чипы (ниже нанометра) наверное будут неустойчивы по характеристикам во времени.

      По нанометрам — на 90 нм выпускались чипы в 2006 году, например центральный процессор PlayStation 3, в то время передовой чип. Кому-то может показаться, что наше отставание непреодолимо. Но это не так. Во-первых, навёрстывание ускоряется. Во-вторых, у микроэлектроники есть предел (потому и уделяется столько внимания оптическим процессорам).

      Например, возьмём космос. В 1960х годах СССР и США опережали всех других в космосе, отставание у прочих казалось непреодолимым. Но прошло 60 лет, а никакой антигравитации пока не изобретено, двигатели на том же принципе — и другие страны, типа Китая и Индии, уверенно догнали. Потому что лидеры упёрлись в технологический предел химических ракет.

      Такой же предел есть и у микроэлектроники.

      #1289542 ↑
      • 1
        Е.Юрий Е.Юрий
        27.09.2416:03:24

        Дальше единиц нанометров, в моём представлении, есть фундаментальная проблема. Ширина «дорожек» начинает быть сопоставима с размерами атомов

        В том то и дело, что литографы печатают на 13 нм, а все остальное это технология размещения элементов. Наши инженеры смогли изготовить прототип на 11 нанометров.

        #1289548 ↑
      • 1
        Нет аватара Spoonout
        28.09.2405:28:41

        Основной показатель кристаллической решетки — это постоянная решетки. Расстояние между двумя соседними атомами. Так у Кремния это число равняется 0,543 нм, у Германия 0,566 нм и у Арсенида-Галия 0,565 нм.

        #1289576 ↑
    • 0
      Badassgoliath Badassgoliath
      27.09.2415:15:27

      Пока только китайцы думают про рентгеновский вариант и может быть что-то пытаются делать.

      Да? Не слежу. Я-то думал, что рентгеновские литографы уже используются. Ну, нам же легче.

      #1289544 ↑
    • 1
      Нет аватара Spoonout
      28.09.2405:26:47

      Со всем уважением, 1 нм недостижим на кремнии.

      В кремниевой кристаллической решетке растояние между атомами чуть больше чем 0.5 нм.

      Представьте элемент (барьер) в 1-2 атома толщиной. Которые колеблются от температуры и т. п.

      Какова будет надежность?

      Даже то что заявляется сегодня, 10нм или меньше, не более чем рекламный трюк.Громкое заявление для неграмотных граждан.

      Это «фигура речи», условное обозначение процесса.

      #1289575 ↑
      • 0
        Roman Wyrzykowski Roman Wyrzykowski
        28.09.2414:54:21

        Понятно что это приведенное значение, а не реальный физический параметр. Так впрочем было если не всегда то уже достаточно длительное время.

        Но факт остается фактом, что удается упаковывать все больше транзисторов на тей же поверхности кремниевого кристалла.

        К тому есть еще технология чиплетов и технология 3D.

        Так что — может быть для многих неожиданно — кремний в течение ближайших 10 лет сохранит свое доминирующее положение. При этом главной проблемой все больше становится большое потребление энергии.

        #1289585 ↑
        • 0
          Нет аватара nik.f
          30.09.2406:45:35

          Roman Wyrzykowski, это реальный физический параметр, но параметр более плотной физической упаковки, либо отдельных элементов (транзисторы усложняют, добавляют им дополнительные слои).

          Большее потребление энергии решается тем же германием.

          #1289641 ↑
Написать комментарий
Отмена
Для комментирования вам необходимо зарегистрироваться и войти на сайт,