MAX
Подпишись
стань автором. присоединяйся к сообществу!
Есть метка на карте 06 марта 39
113
crazykot Производство

Разработана радиационно-стойкая микросхема памяти 1657РУ1У

ОАО НПЦ «ЭЛВИС» сообщает о начале серийных поставок радиационно-стойких микросхем памяти 1657РУ1У.

Микросхема 1657РУ1У представляет собой статическое асинхронное КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 4 Мбит с организацией 512Кх8, стойкое к воздействию специальных факторов и предназначенное для использования в большинстве радиационно-стойких приложений.

Косвенными аналогами 1657РУ1У являются микросхемы UT8R512K8 (Aeroflex), AT60142E (Atmel), HX6408 (Honeywell) и AS5C512K8 (Austin Semiconductor).

[читать статью полностью...]

Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈

Источник: multicore.ru

Комментарии 0

Для комментирования необходимо войти на сайт

все комментарии
  • 0
    ivankun ivankun07.03.13 00:02:24
    Чем меньше транзистор, тем сильнее заряженная частица воздействует на pn переход.
    #297855 ↑
    • 0
      Нет аватара guest07.03.13 10:21:06
      И тем меньше площадь кристалла и вероятность попадания в него частицы.
      #298024 ↑
      • 0
        ivankun ivankun07.03.13 10:52:38
        А какая разница, в какой транзистор попадет частица - в конкретно этот или соседний, если речь идет о площади транзистора? А если речь идет о всем кристалле, то частиц столько, что-нибудь все-равно попадет, ну пускай даже в 2 раза реже, но попадет. Так что тут единственный выход - повышать отказоустойчивость каждого транзистора.
        #298052 ↑