MAX
Подпишись
стань автором. присоединяйся к сообществу!
06 апреля 338
72

Российская микроэлектроника для космоса: кто и что производит

Материал с http://habrahabr.ru/post/217427/  , автор - amartology

В связи с известными событиями в новостях появились сообщения о том, что США запретили поставки микроэлектроники для российских спутников и военной техники. 

Такое развитие событий может негативно повлиять на состояние российской аэрокосмической и оборонной промышленности, ведь ежегодный импорт электроники для космической промышленности составляет два миллиарда долларов, и это чипы, критически важные для работоспособности спутников. Некоторые чиновники (смотрите статью по ссылке) уже начали предаваться панике и разговаривать о покупке электроники в Китае, который якобы наладил у себя производство всего необходимого. Я же хочу немного рассказать о том, какие микросхемы разрабатываются и производятся для космической отрасли в России. Сразу скажу, что этот обзор никоим образом не претендует на полноту и будет касаться именно микросхем (причем кремниевых), тогда как потребности космоса ими не ограничиваются – нужны еще пассивные компоненты, СВЧ-приборы, силовые дискретные элементы и многое-многое другое, что тоже частично импортируется, а частично разрабатывается и производится в России. Описать это все – задача совершенно непосильная, да и не очень нужная, потому что цель этого обзора – не описать все, что есть, а показать, что не все так плохо, как кажется паникерам. Специфика отрасли такова, что почти вся действительно важная информация закрыта, но кое-что интересное накопать все равно удалось.

Небольшое отступление-напоминание: микросхемы для работы в космосе должны быть устойчивыми к воздействию радиации. О том, почему это так и как именно радиация влияет на электронные приборы, можно почитать здесь и здесь.

Главная проблема использования импортных комплектующих в аэрокосмической и военной промышленности – то, что эти комплектующие обычно не предназначены для работы в таких условиях (то есть являются обычным ширпотребом, изначально предназначенным для утюгов и холодильников). Эта ситуация сложилась в девяностые годы, когда ничего другого просто не было, а то, что было, стоило больше, чем разработчики космической аппаратуры могли себе позволить. Именно поэтому сроки активного функционирования российских спутников до сих пор очень серьезно отстают от американских или европейских. Например, прекрасный американский бортовой компьютер RAD750 (стоящий на марсоходе Curiosity) в Россию не продавали никогда, а своих его аналогов в России не было до последнего времени. Так что проблема с импортом возникла не вчера, и решать ее начали довольно давно. В 2007-м году была принята федеральная целевая программа «развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008-2011 годы. Дальше финальный год программы стал 2015-м, и уже скоро мы с вами должны увидеть ее результаты, которыми в том числе является замещение импортных комплектующих в космической и оборонной промышленности российскими разработками.

[читать статью полностью...]

Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈

Источник: habrahabr.ru

Комментарии 0

Для комментирования необходимо войти на сайт

  • 1
    Нет аватара Aik109.04.14 16:45:16
     http://ttorr.ru/upload/ib...d5120b4fa1d0fb75ee656.pdf 
    Научная команда
    Институт спектроскопии Российской академии наук (ИСАН)
    Название проекта:
    Разработка источника EUV-излучения высокой мощности для
    промышленного применения.
    ООО «ЭУФ Лабс» Цель проекта Оказание инжиниринговых услуг в области решений для HVM-литографии по технологическим процессам на
    различных длинах волн (6,7 нм / 13,5 нм / 22 нм / 193 нм и др.), включая смежные и сопутствующие тематики, связанные с оптической нанодиагностикой, метрологией, диагностикой и контролем EUV-источников, инспекцией, очисткой и защитой многослойной EUV-оптики в нанолитографических машинах, а также коммерциализация технологий и продуктов в этой области.
    Стадия проекта
    В настоящий момент в своей работе команда проекта уделяет основное внимание развитию следующего поколения проекционной литографии с использованием излучения с длиной волны 13,5 нм и ниже.
    Начиная с 2000 года ООО «РнД-ИСАН» участвует в разработке EUV источников совместно с ASML, Canon, Nikon,
    Intel. Разработаны, опробованы и осуществлены продажи образцов метрологического оборудования для EUV излучения под индивидуальные параметры заказчиков.
    Объем контрактов на научно-исследовательские разработки и инжиниринговые услуги в течение последних 10 лет
    составил не менее 30 млн руб. в год.
    Продукт проекта
    Заказные НИОКР и лицензии по трем направлениям:
    • «Струйный источник»: в области 13,5 нм мощностью 250, 350 и 500 Вт в промежуточном фокусе;
    • Технология оперативной оптической нанодиагностики и методов защиты и очистки многослойной EUV оптики в
    литографической машине («Центр оптической нанодиагностики»);
    • Технология проекционной нанолитографии с использованием источников излучения короче 10 нм. («Источник на 6,7 нм»);
    • Сверхяркий источник в диапазоне от УФ до видимой области спектра для контроля литографического процесса
    («Белый источник»).

    Конкурентные преимущества
    Первым и ключевым клиентом создаваемой ТИК ЭУФ Лабс является компания ASML. Отставание других производителей литографического оборудования от ASML в разработках по EUV литографии вынудит их использовать технологические решения ASML и команды проекта. Технологическая инжиниринговая компания ЭУФ Лабс напрямую работает с исследовательскими подразделениями компаний, занимающихся производством литографических машин и источников для
    литографических машин, продавая им свои технологические решения и разрабатывая для них прототипы встраиваемых в их машины устройств и источников излучения.
    Основные рынки

    Такие компании как ASML, Intel, Canon и ряд других
    уделяют огромное внимание развитию следующего
    поколения проекционной литографии с использованием
    излучения с длиной волны 13,5 нм, так называемой EUV
    литографии. EUV (Extreme UltraViolet) является
    передовой технологии, которая будет доминировать на
    рынке в 2015-2020 годах, а к 2016 году доля рынка этой
    продукции уже будет составлять более 65%. Переход в
    область EUV (Extreme Ultra Violet) позволит перейти к
    разрешениям 22 и менее нанометров, с перспективой
    достижения в будущем разрешения в 16 нм.
    Существуют целый ряд технологических аспектов
    встречающихся в EUV литографии, для которых не
    достигнуты показатели, необходимые для
    осуществления HVM (High Volume Manufacture)
    режимов. После достижения технологии HVM EUV
    осуществляется переход к новому поколению
    источников – Beyond EUV (BEUV) литографии. Наиболее
    предпочтительной представляется диапазон с
    центральной длиной волны 6,7 нм
    . Переход к BEUV
    литографии должен обеспечить достижение разрешений
    в 12 и 9 нм, весьма проблематичных в рамках EUV
    литографии. Запуск производства оборудования с
    источниками BEUV предполагается через 10 лет.
    Ключевые объекты интеллектуальной собственности
    1. Устройство и способ для генерации излучения из разрядной плазмы, RU2012105067, PCT/RU2012/000701, дата
    подачи - 15.02.2012
    2. Жаропрочная магнитная муфта, RU2012115260, PCT/RU2012/000952, дата подачи - 18.04.2012
    3. Центробежный насос с магнитной муфтой для перекачки кристаллах для их диагностики
    Потребности проекта
    20 млн. руб.


    Применение
    • Центр оптической
    нанодиагностики
    • Защита и очистка
    оптики
    • Источник на струях
    • Источник излучения
    на 6,7 нм
    Отредактировано: Aik1~16:58 09.04.14