Российские учёные создали новый люминесцентный материал
Следи за успехами России в Телеграм @sdelanounas_ru
Электролюминесценция, излучение света под действием внешнего электрического поля, широко используется в электронике, например, при изготовлении дисплеев. Учёные продолжают исследовать материалы, пригодные для электролюминесценции. Перспективная группа веществ – это соединения элементов II и IV группы периодической системы.
Излучение света происходит в зоне контакта двух разных полупроводников. Сегодня для изготовления люминесцентных панелей применяется тонкоплёночная технология. При этом в состав полупроводниковой плёнки вводится незначительное количество примеси – другого полупроводника. Исследователи из Физико-технического института УрО РАН, Удмуртского государственного университета и МГУ им. Ломоносова предложили иное технологическое решение.
В качестве полупроводников они использовали электропроводящие нанокристаллиты селенида цинка (ZnSe), уже в процессе получения заключенные в аморфную матрицу того же состава. Подобное сочетание помогло избежать стандартной процедуры легирования проводящей пленки. Результаты работы, поддержанной программой президиума РАН, инновационным проектом молодых ученых УрО РАН, грантом президента РФ и контрактом с Роснаукой (Минобрнаукой), опубликованы в «Журнале технической физики».
Ришат Валеев и его коллеги получали плёнку аморфно-кристаллического селенида цинка методом взрывного испарения порошка в вакууме. Для создания прототипа электролюминесцентного излучателя учёные наносили на подложку сплав оксидов индия и олова, который хорошо проводит электрический ток. Поверх него напыляли рабочий слой селенида цинка. Для предупреждения пробоев рабочий слой с двух сторон также покрывался диэлектрическими слоями, ограничивающими силу тока.
Проведенные средствами электрохимии и спектрометрии исследования подтвердили наличие электролюминесцентных свойств у полученных структур. Максимальная интенсивность свечения нового излучателя приходится на длину волны 335 нм и наблюдается при подаче внешнего напряжения 270 В с частотой 220 Гц.
Количество контактов полупроводников напрямую зависит от размера нанокристаллических частиц. Исследователи отмечают, что изменение размера наночастиц ZnSe в пределах от 5 до 100 нм позволит регулировать интенсивность излучения.
Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в телеграмм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈
Garin29.04.1121:32:57
29.04.1122:35:00
29.04.1122:41:01
29.04.1122:47:18
29.04.1122:52:18
30.04.1101:19:11
Garin29.04.1123:32:44
Garin29.04.1123:42:58
30.04.1100:13:29
Garin30.04.1100:16:22
30.04.1100:42:01
Garin30.04.1100:19:46
30.04.1100:22:24
Garin30.04.1100:22:37
30.04.1100:25:22
Garin30.04.1100:27:52
Garin30.04.1100:35:53
30.04.1100:36:45
Garin30.04.1100:42:36
30.04.1100:46:37
Garin30.04.1100:50:47