MAX
Подпишись
стань автором. присоединяйся к сообществу!
29 октября 12
154

Компания «Хевел» запустила в Башкирии первую очередь солнечной электростанции

Первая очередь новой солнечной электростанции запущена в селе Бурибай Хайбуллинского района Башкирии. В неё вложили более 1 млрд рублей.

88 тысяч солнечных модулей, установленных на станции, выпустил новочебоксарский завод компании, открытый в феврале 2015 года. Более 70 процентов комплектующих для станции произведены на территории России.

После включения мгновенная мощность составила 2,5 МВт. Общая мощность Бурибаевской станции после ввода второй очереди будет равна 20 МВт.

Суммарная мощность всех семи солнечных электростанций в Башкирии, которые планирует построить компания «Хевел», составит 59 МВт. Инвестиции в проект оцениваются в 6 млрд рублей.

[читать статью полностью...]

Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈

Источник: geektimes.ru

Комментарии 0

Для комментирования необходимо войти на сайт

  • 0

    Я немного изучил вопрос после прочтения статьи. Дело в том что компания купила завод и производство и технологию(не самую передовую) у европейской компании и пуск завода планировался в 2011. Из-за проволочек технология устарела. Ренова работая с роснано и с единственным научным институтом чтоз занимается проблемой в россии. Так что ждем модернизациюю.

    Изначально планировалось запустить производство в 2011 году, однако из-за более позднего запуска технология несколько устарела.[15]

    Применяемые Хевел технологии изначально рассчитаны на производство фотоэлементов с КПД порядка 9% - 10%[16][17]. По данным журналистов некоторых российских СМИ это примерно в два раза ниже чем у лучших серийных продуктов середины 2010-х годов[18].

    К 2017 году планируется модернизация оборудования и начало производства панелей по более новой технологии Heterojunction with Intrinsic Thin layer (HIT) с улучшенным примерно до 20% КПД, разработанной в 2014 году в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН[17][19].

    Отредактировано: Эдуард Маркович~18:52 29.10.15