MAX
Подпишись
стань автором. присоединяйся к сообществу!
13 октября 7
133
Великоросс Электроника, электротехника и приборы

Ультратонкие материалы для электроники нового типа создали в ДВФУ во Владивостоке

Ученые Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) создали новые ультратонкие материалы для электроники нового типа — спин-орбитроники. Сотрудники лаборатории пленочных технологий и лаборатории электронной микроскопии и обработки изображений Школы естественных наук ДВФУ первыми в мире получили трехслойные поликристаллические пленки состава рутений-кобальт-рутений (Ru/Co/Ru) с толщиной магнитного слоя всего в четыре атомных слоя, то есть меньше одного нанометра. Результат работы опубликован в престижном научном журнале Journal of Physics D: Applied Physics.

В настоящее время полученные результаты на тонких пленках исследователи используют для создания и изучения наноструктур для сенсоров магнитного поля. Также сотрудники лаборатории в партнерстве с группой профессора Йонг Кьён Кима из Университета Корё (Республика Корея) ведут разработку элементной базы спин-волнового процессора и спин-орбитальной энергонезависимой памяти. По словам ученых ДВФУ, успешное создание такого прототипа ячейки памяти позволит повысить скорость записи и снизить энергопотребление более чем в сотню раз по сравнению с лучшей современной памятью.

Как рассказал заведующий лабораторией пленочных технологий Алексей Огнев, в ДВФУ впервые получены поликристаллические пленки Ru/Co/Ru, обладающие таким важным функциональным свойством, как перпендикулярная магнитная анизотропия. По словам ученого, в ближайшее время именно такие материалы найдут широкое применение в устройствах электроники нового типа — энергонезависимой магнитной памяти и логики, высокочувствительных датчиках, биомедицинских сенсорах, системах сверхбыстрой обработки информации и искусственного интеллекта.

[читать статью полностью...]

Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈

Источник: www.dvfu.ru

Комментарии 0

Для комментирования необходимо войти на сайт

все комментарии
  • 3
    RadiantConfessor RadiantConfessor14.10.16 19:16:33

    Речь идёт о магниторезистивной памяти. Она не требует энергии для хранения информации и переключается между состояниями 0 и 1 в сто раз быстрее чем самая быстрая на сегодняшний день память. Создание такой памяти позволит не только многократно ускорить работу памяти компьютеров, но и в том числе процессоров, скорость которых с одной стороны упирается в «узкое место» быстродействия современной памяти, а с другой процессоры сами используют внутри себя ячейки памяти в различных буферах, аккумуляторах и конечно же в кеш-памяти.

    Одним из огромных достоинств магниторезистивной памяти является её устойчивость к радиации.

    Принцип хранения информации в такой памяти магнитный. Память храниться точно также как она хранилась на уже «древних» ферритовых кольцах или магнитной ленте. Уменьшение размеров магнитной памяти с годами упёрлось в известные на тот момент законы физики, из-за чего магнитные головки не могли считать или записать информацию на маленькие участки ферромагнетиков. Но однажды был открыт сначала «гигантский эффект магнитосопротивления», а совсем недавно и «колоссальный эффект магнитосопротивления».

    Гигантский эффект магнитосопротивления позволил создать современные жёсткие диски. Колоссальный эффект магнитосопротивления пока исследуется. Считается, что он будет использоваться для создания магниторезистивной памяти.

    Сейчас в мире существует два научных подхода к созданию такого вида памяти. Один из мировых лидеров по производству микросхем памяти Самсунг пошёл по пути применения спиновых эффектов электронов для перемагничивания магниторезистивной памяти. Скорее всего те исследования, о которых вы тут читаете, будут применены фирмой Самсунг.

    Второй способ перемагничивания ячеек магниторезистивной памяти термический. Его применяет фирма Крокус-Нано, о которой я думаю вы наслышаны.

    Недостатком первого способа является тяжёлая техническая реализуемость и бОльшая уязвимость к радиации чем у памяти перемагничиваемой с применением температуры. Плюсом первого способа является возможность создания более маленьких ячеек памяти чем у ячеек с термическим переключением.

    Недавно российскими учёными был открыт третий способ перемагничивания магниторезистивной памяти — оптический, с применением Т-лучей (терагерцевого диапазона). Такая память скорее всего найдёт применением в оптических компьютерах, которые должны быть на несколько порядков быстрее современных.

    Отредактировано: Zveruga~21:20 14.10.16
    #839530 ↑