Специалисты холдинга «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех разработали твердотельный усилитель мощности 8-мм диапазона длин волн на основе GaN (нитрид галлия) интегральных схем с выходной мощностью более 800 Вт. Разработка, осуществленная томским АО «НИИ полупроводниковых приборов», уникальна для российского рынка и относится к самым передовым научно-техническим решениям в мире.

В настоящее время опытные образцы усилителей, которые применяются в радиолокационном оборудовании, отгружены потребителям для проведения испытаний в составе аппаратуры. В I квартале 2017 года предприятие планирует начать серийное производство. Подтвержденная на сегодня потребность в этих изделиях со стороны потенциальных заказчиков превышает 1 млрд.руб. в год. В целях обеспечения выпуска твердотельных усилителей, СВЧ-модулей и приемо-передающих модулей активных фазированных антенных решеток НИИ полупроводниковых приборов проводит модернизацию производства.

«Мы считаем твердотельный усилитель очень перспективным продуктом, учитывая его преимущества по сравнению с традиционными для данного частотного диапазона и уровня мощности вакуумными усилителями, — заявил генеральный директор АО „Росэлектроника“ Игорь Козлов, — Долгое время считалось, что мощные вакуумные лампы в миллиметровом диапазоне заменить нельзя, но наши томские инженеры доказали, что это не так». Он сообщил, что разработка осуществлялась на протяжении 5 лет. «В мире всего несколько компаний, способных производить такую технику», — отметил глава холдинга.