Новость, конечно, хорошая, но темпы внедрения подобных разработок в нашей стране удручают. С проблемами неработоспособности транзисторов из-за проявления квантовых эффектов специалисты в области микроэлектроники сталкиваются в последнее время каждый раз, когда идёт переход на новый, более тонкий техпроцесс изготовления интегральных схем. Возможно, разработка Курчатовцев позволит одним махом решить эту проблему, но внедрение технологии будет явно не у нас, так как в самом Курчатовском институте самый тонкий техпроцесс изготовления — 250 нм, а наиболее продвинутый во всей стране — 65 нм, да и то хз, внедрили его или нет. А квантовые эффекты наиболее сильно себя проявляют при использовании техпроцесса в 14-16 нанометров и меньше.