Высококачественный графен на SiC для электронных приборов нового поколения
Лебедев,АА; Давыдов,ВЮ; Лебедев,СП; Смирнов,АН; Дунаевский,МС; Елисеев,ИА лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА) лаб. спектроскопии твердого тела (Феофилова,СП) лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Создана не имеющая аналогов в России технология роста эпитаксиального монослойного графена большой площади методом сублимации в аргоне Si-грани SiC. Структурные, электронные и транспортные свойства выращенного графена сравнимы с параметрами лучших мировых образцов, изготовленных сублимацией, что открывает возможность его использования для создания электронных приборов нового поколения. На основе системы графен/SiC изготовлен прототип твердотельного газового сенсора с рекордной чувствительностью к концентрации молекул NO2: не хуже 2 ppb (частиц на миллиард). Такая чувствительность сенсора достаточна для мониторинга окружающей среды. Тестирование прототипов биосенсоров, созданных на основе системы графен/SiC, указывает также на перспективность их использования в медицине и биологии.
Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈
Другие публикации по теме
- Сотрудники Томского госуниверситета систем управления и радиоэлектрони...т задачам нацпроекта «Наука и университеты», сообщает вуз.
- Коллектив ученых химического, геологического факультетов МГУ и НИЦ &la... надежных хранилищ для высокорадиоактивных отходов ядерной энергетики.
- Вторая очередь научно-технического центра НОВАТЭК открылась в Тюмени 2...оительстве центра я рассказывал дважды, в феврале и октябре.
Поделись позитивом в своих соцсетях
Комментарии 0