MAX
Подпишись
стань автором. присоединяйся к сообществу!
02 октября 138
109

АО «ЭОС» запустило первое в России производство наногетероструктур на основе арсенида галлия

 © ratm.ru

АО «Экран-оптические системы» (г. Новосибирск, актив РАТМ Холдинга, якорный резидент индустриального парка «ЭКРАН»), опираясь на фундаментальные и прикладные разработки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП) СО РАН, ввело в эксплуатацию установку молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в рамках организации первого в России промышленного производства наногетероструктур на основе арсенида галлия.

Объем инвестиций составил 350 млн рублей, источник — средства акционера и заемные.

Производительность установки МЛЭ фирмы RIBER (Франция), размещенной на площадке ИФП, — до 10 тыс. пластин GaAs* в год. АО «Экран-оптические системы» намерено освоить значительную долю отечественного рынка пластин GaAs и GaN, а также экспортировать их.

[читать статью полностью...]

Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈

Источник: www.ratm.ru

Комментарии 0

Для комментирования необходимо войти на сайт

  • 1
    Нет аватара LAP1702.10.19 22:00:13

    termometrix,

    в статье выше речь идет о молекулярно лучевой эпитаксии — это совершенно другая технология, чем та, о которой говорится в вашей ссылке.

    Отредактировано: LAP17~22:01 02.10.19