Российские ученые создали новый мемристор
© indicator.ru
Исследователи из Университета Лобачевского создали новый вариант мемристора на основе слоистой структуры «металл — оксид — металл». Разработка найдет применение в запоминающих устройствах. Результаты работы опубликованы в журнале Advanced Materials Technologies.
Мемристоры — это устройства, которые могут изменять сопротивление в зависимости от протекавшего заряда. Наблюдающееся в мемристоре явление гистерезиса позволяет использовать его в качестве ячейки памяти. Предполагается, что в некоторых случая мемристоры смогут заменить транзисторы.
Однако массовому применению мемристивных устройств мешает недостаточная воспроизводимость их параметров. Этот разброс в структурах «металл — оксид — металл» определяется стохастической природой перемещения ионов кислорода или кислородных вакансий вблизи границы раздела металл/оксид и усложняется изменением параметров структур в случае неуправляемого кислородного обмена.
Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈
Другие публикации по теме
- Рельсовая плита для ВСМ, разработанная в Нацпроектстрое, получила пате...оспатента, подтвердившей мировую новизну решения и чистоту разработки.
- Напечатать микроскопические детали из элементов величиной 150 нанометр...льсы видимого диапазона и может печатать биосовместимым фотополимером.
- Весной 2026 года представлен первый разработанный в России на баз...КМУ для подъема тяжелой техники (например, Инман IM 175T или аналоги).
Поделись позитивом в своих соцсетях
Комментарии 0