MAX
Подпишись
стань автором. присоединяйся к сообществу!
25 октября 10
37

Учёные приблизились к созданию магнитной памяти

Учёные Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) и Института Физики Китайской академии наук совместно разрабатывают новый механизм создания магнитной памяти. В его основе лежат принципы спин-орбитроники — новой области науки и техники, которая ориентирована на прорывные решения в сфере энергоэффективной электроники.

Спиновые системы более энергоэффективны, быстры и надёжны, чем традиционные системы записи и хранения информации, такие как жесткие магнитные диски (HDD), твёрдотельная память(SSD) и оперативная память (DRAM, SRAM). Уже получены положительные результаты экспериментов на основе фундаментальных исследований. Сейчас учёные работают над прототипом первого элемента магнитной памяти.

[читать статью полностью...]

Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈

Источник: minobrnauki.gov.ru

Комментарии 0

Для комментирования необходимо войти на сайт

  • 0
    Нет аватара termometrix25.10.22 19:15:54

    Ежегодно на развитие отрасли микроэлектроники в РФ предложено тратить дополнительно около 100 млрд рублей. Такая цифра предусмотрена трехлетним проектом федерального бюджета.

    Вкладывать дополнительные фонды в развитие микроэлектроники надо было начинать еще 20-25 лет тому назад.

    • 5
      Roman Wyrzykowski Roman Wyrzykowski25.10.22 19:19:18

      Да, имели бы в худшем случае массовое 28 нм или даже 14 нм, а так начинают 65 нм.

      Отредактировано: Roman Wyrzykowski~19:21 25.10.22
      • 4
        Нет аватара termometrix25.10.22 19:25:47

        Совершенно верно.Но как говорится-лучше поздно чем никогда.Посмотрим.