MAX
Подпишись
стань автором. присоединяйся к сообществу!
Есть метка на карте 31 октября 64
102

В Москве запущена первая очередь завода «Крокус Наноэлектроника»

Компания «Крокус Наноэлектроника» — совместное предприятие «Роснано» и Crocus Technology — запустила первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти (MRAM). Завод станет первым в мире производством MRAM с проектными нормами 90 нанометров. На 200- и 300-миллиметровые пластины, произведенные по технологии КМОП (комплементарный металлооксидный полупроводник), на заводе наносятся дополнительные слои для создания ячеек памяти MRAM.

К концу 2014 г. производительность составит 500 пластин в неделю. Планируется создание 100 новых рабочих мест.

Общий объем инвестиций в проект превышает 10 млрд рублей, включая софинансирование «Роснано» в размере 4.4 млрд рублей.

Продукция проекта, основанная на MRAM и уникальной технологии MLU (Magnetic-Logic-Unit — магнитная логическая ячейка), разработанной Crocus Technology совместно с IBM, может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия (near-field communications — NFC) и защищенной памяти.

Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 г. превысит 8 млрд долларов.

[читать статью полностью...]

Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈

Источник: top.rbc.ru

Комментарии 0

Для комментирования необходимо войти на сайт

  • 4
    Нет аватара WJ31.10.13 12:54:52
    Жесткий диск со скоростью оперативки - это интересно.

    Это не так интересно как отсутствие оперативной памяти вообще. Т.е. любые электронные устройства будут включаться мгновенно, на том самом месте в работе, на котором их отключили.
    • 1
      user78 user7831.10.13 13:03:21
      Т.е. любые электронные устройства будут включаться мгновенно, на том самом месте в работе, на котором их отключили.

      да, тоже об этом подумал.    
      • 0
        Нет аватара guest31.10.13 15:03:00
        Собственно для полноты картины хотелось бы узнать хоть какие-то параметры этой памяти, частота, пропускная способность, тайминги доступа.
        • 1
          ivankun ivankun01.11.13 00:43:50
          Скорость доступа порядка наносекунд. А пропускная способность зависит от шины и разрядности ;)
          • 0
            Нет аватара guest01.11.13 17:32:54
            "Требуется сотрудник для работы. оплата деньгами." Ваш ответ ни о чем конкретном.
            • 0
              ivankun ivankun01.11.13 17:39:09
              На сколько я слышал, в лабораториях были образцы с задержками 2 нс.
        • 0
          RadiantConfessor RadiantConfessor01.11.13 14:44:52
          По скорости МРАМ память конкурирует с памятью в кешах процессоров!
    • 0
      Byvalnyi Byvalnyi31.10.13 19:37:43
      Когда оперативная память была на ферритовых колечках, так оно и было.
      Например, на ЭВМ Минск-32 ОС загружалась с магнитной ленты медленно, так этого и не делали, врубил фазу и продолжай, на чем остановился.