Его разработали ученые из Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ». Устройство создает сильноточный импульсный магнетронный разряд в парах расплавленного материала.

Генератор состоит из плазменного узла и источника питания, и работает в особых режимах магнетронного разряда: одновременно с распылением происходит интенсивное испарение расплавленного материала, из которого формируется покрытие. Новая технология позволит быстро и качественно наносить тонкие пленки, востребованные в области высоких технологий.

На метод магнетронного нанесения приходится огромная доля рынка создания металлических и диэлектрических покрытий для электроники, машиностроения, архитектуры и других областей. Так, магнетронное нанесение — единственный метод осаждения на стекла зданий энергосберегающих покрытий. Кроме того, данным методом наносят твердые покрытия на режущий инструмент, а также всевозможные декоративные покрытия (например, нитрид титана на купола церквей вместо золота). В микроэлектронике данный метод используется для металлизации плат интегральных схем, а в оптике — для создания светофильтров.

Мощным толчком для исследований в этой области стало открытие в конце 1980-х годов в МИФИ сильноточного импульсного магнетронного разряда. В 2000-х годах в Европе и США на его основе была внедрена технология HiPIMS (импульсное магнетронное распыление высокой мощности), сообщает РИА «Новости» со ссылкой на пресс-службу вуза.

[читать статью полностью...]