Может кто-то компетентный прокомментирует?

Судя по всему используют часть идей работы заложенных в квантовые компьютеры, но без использования квантовой суперпозиции(когда элемент может быть в двух противоположных состояниях одновременно). Что-то типа миниатюрного магнитного реле(переключение которого происходит при воздействии магнитного поля). До реального применения тут судя по всему далеко.

А что тут комментировать? В наших научно-исследовательских учреждениях постоянно что-то открывают. Какие-то методики, материалы, технологии и так далее.

Но.

Практически никода идеи наших ученых и изобретателей не коммерциализуются.

Поэтому.

Если то о чем статья — представляет из себя что-то стоящее — то в скорости европейцы или американцы сделают тоже самое, с той лишь разницей — что они очень быстро превратят идеи и технологии в деньги и реальные продукты.

А мы и дальше будем гордиться тем что русские ученые первыми совершили большую часть открытий и разработали большую часть технологий, на которых зарубежные компании зарабатывают огромные деньги.

Речь идёт о магниторезистивной памяти. Она не требует энергии для хранения информации и переключается между состояниями 0 и 1 в сто раз быстрее чем самая быстрая на сегодняшний день память. Создание такой памяти позволит не только многократно ускорить работу памяти компьютеров, но и в том числе процессоров, скорость которых с одной стороны упирается в «узкое место» быстродействия современной памяти, а с другой процессоры сами используют внутри себя ячейки памяти в различных буферах, аккумуляторах и конечно же в кеш-памяти.

Одним из огромных достоинств магниторезистивной памяти является её устойчивость к радиации.

Принцип хранения информации в такой памяти магнитный. Память храниться точно также как она хранилась на уже «древних» ферритовых кольцах или магнитной ленте. Уменьшение размеров магнитной памяти с годами упёрлось в известные на тот момент законы физики, из-за чего магнитные головки не могли считать или записать информацию на маленькие участки ферромагнетиков. Но однажды был открыт сначала «гигантский эффект магнитосопротивления», а совсем недавно и «колоссальный эффект магнитосопротивления».

Гигантский эффект магнитосопротивления позволил создать современные жёсткие диски. Колоссальный эффект магнитосопротивления пока исследуется. Считается, что он будет использоваться для создания магниторезистивной памяти.

Сейчас в мире существует два научных подхода к созданию такого вида памяти. Один из мировых лидеров по производству микросхем памяти Самсунг пошёл по пути применения спиновых эффектов электронов для перемагничивания магниторезистивной памяти. Скорее всего те исследования, о которых вы тут читаете, будут применены фирмой Самсунг.

Второй способ перемагничивания ячеек магниторезистивной памяти термический. Его применяет фирма Крокус-Нано, о которой я думаю вы наслышаны.

Недостатком первого способа является тяжёлая техническая реализуемость и бОльшая уязвимость к радиации чем у памяти перемагничиваемой с применением температуры. Плюсом первого способа является возможность создания более маленьких ячеек памяти чем у ячеек с термическим переключением.

Недавно российскими учёными был открыт третий способ перемагничивания магниторезистивной памяти — оптический, с применением Т-лучей (терагерцевого диапазона). Такая память скорее всего найдёт применением в оптических компьютерах, которые должны быть на несколько порядков быстрее современных.