MAX
Подпишись
стань автором. присоединяйся к сообществу!
Есть метка на карте 22 мая 146
80
Roman Wyrzykowski Перспективные разработки, НИОКРы, изобретения

Первый российский литограф уже создан и проходит испытания

© www.vesti.ru

В России создан первый отечественный литограф, который позволит печатать чипы с разрешением до 350 нанометров. Сейчас он проходит испытания в Зеленограде.

Об этом сообщил замминистра промышленности и торговли России в кулуарах конференции «Цифровая индустрия промышленной России» (ЦИПР), проходящей в Нижнем Новгороде с 21 по 24 мая.

[читать статью полностью...]

Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈

Источник: www.vesti.ru

Комментарии 0

Для комментирования необходимо войти на сайт

все комментарии
  • 10
    Badassgoliath Badassgoliath22.05.24 16:46:52

    Лиха беда начало. Это явно опытовый образец для отработки и так сказать «набивания руки». Думаю, что серийно его производить даже и не будут. Ведь и в советское время было отставание в этом вопросе, последующие годы его усугубили абсолютно, так как какие бы то ни было разработки просто прекратились и любые заделы оказались утрачены.

    А к 2028 году Россия должна выйти на производство собственных 28-нанометровых чипов.

    Ну, а это закроет 90% потребностей, даже и в универсальных процессорах.

    Дальнейшее продвижение в сторону единичных нанометров покроет остальные 10%. Главное — работать, и всё получится. В советское время была совершена непростительная ошибка недооценки этого направления. Сейчас она осознана.

    #1283355 ↑
    • 9
      Нет аватара termometrix22.05.24 16:59:33

      В советское время была совершена непростительная ошибка недооценки этого направления. Сейчас она осознана.

      В советское время это направление высоко ценилось, только путь,по которому пошла советская микроэлектроника, был тупиковым,путем копирования более старых западных образцов, при условии, что советская школа имела собственные разработки и архитектуры.

      #1283357 ↑
      • 6
        Badassgoliath Badassgoliath22.05.24 17:14:03

        В советское время это направление высоко ценилось, только путь,по которому пошла советская микроэлектроника, был тупиковым,путем копирования более старых западных образцов

        Так это и есть та самая недооценка — мнение о том, что достаточно просто копировать и этого хватит. Типа, есть вещи и поважнее. А ведь это вопрос сравнимый по важности с атомным проектом. Будь такое понимание у руководства страны тогда — всё сложилось бы иначе.

        Разумеется, я говорю о недооценке со стороны ответственных лиц государственного масштаба, а не тех учёных и инженеров, которые непосредственно занимались микроэлектроникой.

        #1283360 ↑
      • 2
        Нет аватара Spoonout23.05.24 07:35:53

        Неправильно. Советская микроэлектроника пошла по пути имплантации пучком ионов. Это тупиковый путь.

        На первых шагах ионная имплантация дает быстрые результаты, но она не масштбируется. Каждый элемент транзистора надо обрабатывать индивидуально. А если их миллиарды?

        В случае литографа засвечиватся много элементов одновременно. Размер сайта зависит от размера и качества оптики и маски.

        #1283396 ↑
    • 3
      Нет аватара Tcheluskin22.05.24 21:29:07

      к 2028 году Россия должна выйти на производство собственных 28-нанометровых чипов.

      Ну, а это закроет 90% потребностей, даже и в универсальных процессорах.

      Дальнейшее продвижение в сторону единичных нанометров

      На самом деле, «единичных нанометров» не существует, это маркетинговый трюк. Реальные размеры транзисторов (или расстояние между центрами затворов соседних транзисторов) для всех якобы единично-нанометровых техпроцессов — несколько десятков нм. Дальше идёт только «выжимание последних возможных соков производительности» за счёт применения редкоземельных элементов (т.н. high-k диэлектрики: диоксид гафния и др.), усложнение формы затвора (FinFET и др.) и т. д.

      Отредактировано: Tcheluskin~21:39 22.05.24
      #1283376 ↑