MAX
Подпишись
стань автором. присоединяйся к сообществу!
Есть метка на карте 06 марта 39
113
crazykot Производство

Разработана радиационно-стойкая микросхема памяти 1657РУ1У

ОАО НПЦ «ЭЛВИС» сообщает о начале серийных поставок радиационно-стойких микросхем памяти 1657РУ1У.

Микросхема 1657РУ1У представляет собой статическое асинхронное КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 4 Мбит с организацией 512Кх8, стойкое к воздействию специальных факторов и предназначенное для использования в большинстве радиационно-стойких приложений.

Косвенными аналогами 1657РУ1У являются микросхемы UT8R512K8 (Aeroflex), AT60142E (Atmel), HX6408 (Honeywell) и AS5C512K8 (Austin Semiconductor).

[читать статью полностью...]

Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈

Источник: multicore.ru

Комментарии 0

Для комментирования необходимо войти на сайт

все комментарии
  • 0
    Нет аватара guest06.03.13 23:27:52
    Там 40 МГц частота.
    #297830 ↑
    • 0
      Нет аватара guest06.03.13 23:31:31
      Технология изготовления: 0,25-мкм Большая. Интересно почему не на базе 0.90 нм, которые в России уже умеют делать?
      Отредактировано: Денис Демидович~23:31 06.03.13
      #297832 ↑
      • 0
        ivankun ivankun07.03.13 00:02:24
        Чем меньше транзистор, тем сильнее заряженная частица воздействует на pn переход.
        #297855 ↑
        • 0
          Нет аватара guest07.03.13 10:21:06
          И тем меньше площадь кристалла и вероятность попадания в него частицы.
          #298024 ↑
          • 0
            ivankun ivankun07.03.13 10:52:38
            А какая разница, в какой транзистор попадет частица - в конкретно этот или соседний, если речь идет о площади транзистора? А если речь идет о всем кристалле, то частиц столько, что-нибудь все-равно попадет, ну пускай даже в 2 раза реже, но попадет. Так что тут единственный выход - повышать отказоустойчивость каждого транзистора.
            #298052 ↑