«Ангстрем-Т» освоил Trench MOSFET технологию производства силовых транзисторов
-
- АО «Ангстрем-Т»
- © www.angstrem-t.com
Trench технология позволяет значительно (в 2 … 3 раза) по сравнению с планарной уменьшить сопротивление открытого канала транзистора при более высоких динамических характеристиках, меньшей мощности управления и при высокой устойчивости к лавинному пробою.
Более низкое сопротивление в открытом состоянии позволяет снизить тепловое рассеивание на канале. При этом ячейка имеет меньший в плане размер для обеспечения протекания через канал сопоставимого по значению тока за счет того, что затвор формируется не в плоскости, как в планарных MOSFET, а в объеме — по стенкам V-образной канавки (trench в переводе канава, впрочем можно и как окоп перевести :) ) в подложке.
Это позволяет создавать более энергоэффективную и компактную элементную базу для создания блоков питания и управления электроприборами. В целом класс Trench MOSFET предназначен коммутации высоких токов при низком напряжении.
В данный момент Ангстрем-Т является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа.
Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈
Другие публикации по теме
- Инженеры из Уфы создали первый российский VR-шлем. Это большой шаг впе...ит применение на крупных предприятиях России для обучения сотрудников.
- Фото: «Звезда»Московская компания «Звезда» разработала два изол...ходимы российские преобразователи для снижения зависимости от импорта.
- Российские ученые получили фотонную интегральную схему из микролазера ...ери качества, сообщили в пресс-службе НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге.
Поделись позитивом в своих соцсетях
Комментарии 0