«Ангстрем-Т» освоил Trench MOSFET технологию производства силовых транзисторов
Trench технология позволяет значительно (в 2 … 3 раза) по сравнению с планарной уменьшить сопротивление открытого канала транзистора при более высоких динамических характеристиках, меньшей мощности управления и при высокой устойчивости к лавинному пробою.
Более низкое сопротивление в открытом состоянии позволяет снизить тепловое рассеивание на канале. При этом ячейка имеет меньший в плане размер для обеспечения протекания через канал сопоставимого по значению тока за счет того, что затвор формируется не в плоскости, как в планарных MOSFET, а в объеме — по стенкам V-образной канавки (trench в переводе канава, впрочем можно и как окоп перевести :) ) в подложке.
Это позволяет создавать более энергоэффективную и компактную элементную базу для создания блоков питания и управления электроприборами. В целом класс Trench MOSFET предназначен коммутации высоких токов при низком напряжении.
В данный момент Ангстрем-Т является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа.
Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в наш Телеграм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈
Другие публикации по теме
- Завод «ЦТС» и «Амур Системс» запускают производство сложных серверных решен...ированного программного обеспечения, разработанного инженерами предприятия.
- Не «Иннопромом» единым жива новостная повестка возраждающейся п...ю 17 000 м2, ввел в эксплуатацию первые производственные линии.
- Команда кластера Квантум Парк МГТУ им. Н.Э. Баумана и ФГУП «...sp;— c разделением площади пластин между различными заказчиками.
Поделись позитивом в своих соцсетях

sewa196531.10.19 08:14:40sewa196531.10.19 09:00:03sewa196531.10.19 11:04:16sewa196531.10.19 14:51:08sewa196531.10.19 16:24:01sewa196501.11.19 07:54:33