стань автором. присоединяйся к сообществу!
Лого Сделано у нас
110

АО «ЭОС» запустило первое в России производство наногетероструктур на основе арсенида галлия

Следи за успехами России в Телеграм @sdelanounas_ru

 © ratm.ru

АО «Экран-оптические системы» (г. Новосибирск, актив РАТМ Холдинга, якорный резидент индустриального парка «ЭКРАН»), опираясь на фундаментальные и прикладные разработки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП) СО РАН, ввело в эксплуатацию установку молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в рамках организации первого в России промышленного производства наногетероструктур на основе арсенида галлия.

Объем инвестиций составил 350 млн рублей, источник — средства акционера и заемные.

Производительность установки МЛЭ фирмы RIBER (Франция), размещенной на площадке ИФП, — до 10 тыс. пластин GaAs* в год. АО «Экран-оптические системы» намерено освоить значительную долю отечественного рынка пластин GaAs и GaN, а также экспортировать их.

В настоящее время «ЭОС» — единственное предприятие в стране, которое уже готово поставлять заказчикам пластины GaAs для пассивных и активных устройств электронно-компонентной базы (ЭКБ) — сейчас их, в основном, импортируют из Тайваня, Китая и Южной Кореи.

Наногетероструктуры GaAs (относятся к категории сверхпроводников с частотой более 2 ГГц) необходимы для сотовых телефонов, мобильных сетей 5G, телекоммуникационной техники, преобразователей сигналов, усилителей мощности, транзисторов, солнечных панелей для космических аппаратов, фотоприемников, индикаторов, дисплеев, оптоэлектроники и др.

Наладив выпуск пластин GaAs, мы завершили первый этап реализации масштабного проекта по созданию единственного в России промышленного производства полупроводниковых гетероструктур соединений A3B5** и приборов на их основе, рассчитанного до 2023 года. ЭКБ на базе технологий арсенида галлия обеспечивает мощность 1-2 Вт, а с использованием нитрида галлия*** этот показатель увеличивается в разы — до 20-25 Вт. Потому на втором этапе планируем изготавливать пластины GaN, для чего потребуется 750-900 млн рублей; на третьем — ЭКБ на основе GaN и GaAs для силовой электроники, необходимый объем вложений — примерно 1 млрд рублей, — сообщил генеральный директор АО «Экран-оптические системы» Андрей Гугучкин .

Объем выпускаемых изделий в денежном выражении при достижении показателей первого этапа составит 350-400 млн рублей в год, второго этапа — до 1,2-1,5 млрд рублей; третьего — до 3 млрд рублей.

АО «Экран-оптические системы» — один из мировых лидеров по выпуску фотоэлектронных умножителей и ведущий производитель электронно-оптических преобразователей в России. Приборы под брендом «ЭОС» работают на астрофизических полигонах Италии, Франции, США, а также в Баксанской нейтринной обсерватории; они установлены на российских космических аппаратах, а также американских станциях WIND-1 и WIND-2. За последние 15 лет доля экспортируемой продукции (сегодня представлена более чем в 50 странах Европы, Америки и Азии) выросла с ноля до 95%.

Кстати, а вы знали, что на «Сделано у нас» статьи публикуют посетители, такие же как и вы? И никакой премодерации, согласований и разрешений! Любой может добавить новость. А лучшие попадут в телеграмм @sdelanounas_ru. Подробнее о том как работает наш сайт здесь👈

  • 8
    Clausson Clausson
    02.10.1916:23:58

    Очень хорошо.

    Но блин, пришлось просто прорываться сквозь текст, перечитывать и возвращаться, чтобы понять суть. Наверно я очень тупой.

    • 14
      Нет аватара LAP17
      02.10.1921:54:19

      Clausson,

      1. Вы далеко не тупой (тупой бы стал хныкать, что автор абракадабру написал). Просто текст написан для людей, которые знакомы с этой технологией. Я, кстати, поддерживаю такой подход к публикациям — он помогает неспециалистам действительно понять суть того, о чем идет речь — перечитают несколько раз, посмотрят другие источники, и поймут правильно хотя бы что-то, а не проскачут по верхам.

      2. Завод пока будет выпускать наногетероструктуры, т. е., относительно большие структуры по технологиям 64, 28, 17 нм насколько я понимаю. В моей книге есть две главы, посвященные виртуальному синтезу (т.е., я их синтезировала используя квантовую механику и софты квантовой химии) искусственных молекул GaAs (например, Ga10As4) — грубо, размер порядка 10 Ангстрем (1 нм). Это и есть характерные размеры компонент (молекул) чипов следующего поколения. Там электронные свойства вообще замечательные — их можно просто менять В ПРОЦЕССЕ приема-передачи бита — кубита,

      если хотите. Более того, инфо можно будет передавать-принимать целыми пакетами кубитов, а не по одному кубиту на молекулу. Но есть и более интересные молекулы для будущих квантовых процессоров.

      3. В Новосибирске знаю людей (из универа) работающих над материалами для чипов квантовых компов на основе АТОМОВ углерода встроенных в нейтральные подложки. ОЧЕНЬ ИНТЕРЕСНО.

      • 4
        Clausson Clausson
        02.10.1922:14:21

        Спасибо, теперь стало более понятно (и интересно)

        • 7
          Нет аватара LAP17
          03.10.1905:33:24

          Clausson,

          очень приятно, что на сайте есть такие люди, как Вы, Великоросс, Шигорин, Брат-По-разуму, первые 6 лучших Публикаторов (справа в колонке) и некоторые другие.

          Всех вам благ и успехов, ребята. Пока вы есть, с Россией будет все в порядке.

          • Комментарий удален
            • 0
              Нет аватара LAP17
              07.10.1904:56:52

              Макс Южный,

              наш военпром (точнее, минсредмаш) ВСЕГДА производил свою электронику для себя, включая платы и компы. Но совесть народа — КПСС — закрыла проект автоматизации ВСЕЙ промышленности страны (в частности, разработку суперкомпов Минск) за взятку от ИБМ. Союз купил ИБМ-360, а свою программу закрыл. На момент покупки IBM-360 мы ОПЕРЕЖАЛИ США — у нас уже работали суперкомпы Минск, а у них IBM-360 была еще по мощности персоналкой. Комми — это враги РИ/СССР/РФ. Вы думаете, они только в 1991 слили страну? Они с 1917 только этим и занимаются. Сталин им немного помешал, ну так они его травонули.

    • 1
      Нет аватара LAP17
      02.10.1922:00:13

      termometrix,

      в статье выше речь идет о молекулярно лучевой эпитаксии — это совершенно другая технология, чем та, о которой говорится в вашей ссылке.

      Отредактировано: LAP17~22:01 02.10.19
  • 2
    Нет аватара guest
    02.10.1920:26:18

    НЕ ОТСТАЕМ, ДОГОНЯЕМ! Это отличная новость!!! +++

  • 8
    Нет аватара LAP17
    02.10.1921:55:54

    Поздравляю всех причастных, и за новость — огромное спасибо!

  • 0
    DKerr DKerr
    02.10.1923:37:54

    «За последние 15 лет доля экспортируемой продукции (сегодня представлена более чем в 50 странах Европы, Америки и Азии) выросла с ноля до 95%"

    То есть производство выросло минимум в 20 раз? Это если внутреннее потребление не изменилось… или внутреннее потребление резко сократилось?

  • 1
    Василий Сидоров Василий Сидоров
    03.10.1900:39:36

    «Наногетероструктуры GaAs (относятся к категории сверхпроводников с частотой более 2 ГГц)"

    Эм?

    • 1
      Нет аватара guest
      03.10.1901:51:53

      Полупроводников — правильно

  • 3
    Нет аватара абрамыч
    03.10.1912:21:56

    Как лягушатники продали такую установку санкционникам?

  • 10
    Нет аватара Евгений Медвежонков
    03.10.1912:46:00

    В Питере выпускают аналоги этой французской установки. ЗАО НТО. И имеют весьма отчётливые результаты по более перспективным материалам, например, нитриду галлия.

    Наши(питерские)установки в разы дешевле. Почему французская?

  • 1
    Нет аватара вадим 1980
    03.10.1914:37:43

    ] очень интересно успехов и развития

    Отредактировано: вадим 1980~14:38 03.10.19
  • -5
    Нет аватара guest
    03.10.1916:03:53

    А сколько в Китае эпитаксиальных нитридных установок для выпуска светодиодов? Тысячи, наверное. Светодиодные лампочки они меньше 20 руб. предлагают.

Написать комментарий
Отмена
Для комментирования вам необходимо зарегистрироваться и войти на сайт,