Минэкономразвития РФ одобрило проект Nokia Siemens по выпуску базовых станций LTE в Томске

 Источник фото: sibarea.ru

По информации пресс-службы, новый проект направлен на разработку и производство не только базовых станций LTE, но и транспортных систем беспроводной и волоконно-оптической связи. К таким системам относятся радиорелейные станции миллиметрового диапазона длин волн и оптические системы спектрального уплотнения (DWDM).

«Таким образом, в рамках единого производства будет сформирован комплексный продукт, позволяющий решать задачи строительства современных сетей доступа в связке с эффективным транспортным оборудованием», — отмечается в пресс-релизе. Для реализации проекта томский партнер NSN — научно-производственная фирма «Микран» — построит собственный корпус на Южной площадке ОЭЗ.

Как сообщалось, в марте Nokia Siemens Networks, ОАО «Роснано», «Микран» и администрация Томской области подписали соглашение о намерении запуска производства базовых станций LTE.

«Это первый проект по производству (базовых станций — ИФ) LTE в России. Мы хотим построить конкурентоспособное предприятие, которое сможет производить продукцию на экспорт. Первоначальный объем выпуска составит около 10 тыс. станций в год, в дальнейшем планируем выйти на производство до 100 тыс. станций в год», — отмечала ранее генеральный директор Nokia Siemens Networks в России Кристина Тихонова.

Она не уточнила стоимость создания производства в Томске, однако заметила, что подобный проект в Западной Европе обходится в $50 млн.

«Микран» рассчитывает, что опытная партия продукции будет выпущена в четвертом квартале 2011 года, а на производство 10 тыс. станций в год компания сможет выйти в 2012 году.

Скорость передачи данных по технологии LTE достигает 326 Мбит/с на прием и 172 Мбит/с на отдачу. Радиус действия базовой станции может достигать 30 км.

НПФ «Микран» специализируется на разработке и производстве телекоммуникационной аппаратуры, производстве модулей и узлов СВЧ-диапазона, производстве контрольно-измерительных приборов СВЧ-диапазона и аксессуаров СВЧ-тракта, производстве монолитных интегральных GaAs функциональных элементов сантиметрового и миллиметрового диапазона, производстве радиолокационного оборудования.

Томская ОЭЗ технико-внедренческого типа создана в Томске в декабре 2005 года и специализируется на трех направлениях: IT и электроника, медицина и биотехнологии, новые материалы и нанотехнологии. Томская ОЭЗ состоит из двух площадок — Северной и Южной — общей площадью около 300 га.

Хочешь всегда знать и никогда не пропускать лучшие новости о развитии России? У проекта «Сделано у нас» есть Телеграм-канал @sdelanounas_ru. Подпишись, и у тебя всегда будет повод для гордости за Россию.