В Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН разработали технологию получения фоточувствительного материала в виде пленочных структур твердых растворов соединения теллурида кадмия и ртути (КРТ), которые предназначены для производства инфракрасных прицелов и систем наблюдения нового поколения.

В Институте физики полупроводников научились получать КРТ в виде сложных пленочных структур толщиной от долей микрона до 10-15 микрон новым высоко технологичным методом молекулярно-лучевой эпитаксии - ориентированного роста одного кристалла на поверхности другого.

 «Мы можем получать такие пленочные структуры со слоями различных составов КРТ, которые чувствительны к излучению в различных областях инфракрасного спектра. Это позволяет, в отличие от объемного материала, использовавшегося до сих пор, создать многоспектральные фотоприемники, получить гораздо более полную и достоверную информацию об интересующем объекте», - сообщил ИТАР-ТАСС руководитель группы разработчиков Сергей Дворецкий.

В результате конструкции инфракрасных устройств будут проще, в несколько раз уменьшатся их габариты, электропотребление и стоимость. Применение пленочных структур КРТ позволит разработать и производить широкий спектр инфракрасной техники, которой можно обеспечить практически каждого солдата, не говоря уж о самолетах, танках и другой технике.

Кроме того, одно из преимуществ таких структур перед объемными кристаллами заключается практически в 100-процентном использовании материала при изготовления инфракрасных приборов. В случае же объемных кристаллов КРТ только 1% ценного исходного сырья используется при изготовлении приборов, а остальные 99% уходят в отходы.

19 читать дальше