Мемристивный чип в корпусе, размещенный в стандартном контактирующем устройстве (для тестирования параметров мемристивных наноструктур)

Ученые кафедры физики твердого тела и наносистем Института лазерных и плазменных технологий НИЯУ МИФИ в сотрудничестве со специалистами из Института физики твёрдого тела РАН, а также Института проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН предложили новые материалы, в которых может быть реализован биполярный эффект резистивных переключений. Эти материалы могут стать основой для разработки компьютера на основе мемристоров, которые не только хранят, но и обрабатывают информацию подобно нейронам мозга человека. Результаты опубликованы в журнале Materials Letters.

Исследования этого явления сегодня ведутся во всем мире, причем как в фундаментальной области науки, так и в свете прикладных задач: биполярный эффект резистивных переключений может быть использован для создания энергонезависимых двухтерминальных ячеек памяти, а также мемристора — четвертого фундаментального элемента электроники. Мемристоры могут стать основой для нового подхода к обработке информации, — так называемого мемкомпьютинга.

5 читать дальше

МОСКВА, 15 апреля. /ТАСС/. Группа ученых из МФТИ создала прототипы наноразмерных «электронных синапсов» на основе сверхтонких пленок оксида гафния (HfO₂). Эти устройства могут быть использованы в принципиально новых вычислительных системах, работающих как биологические нейронные сети, сообщила в пятницу пресс-служба МФТИ.

Группа исследователей из МФТИ изготовила мемристоры — электронные компоненты, способные менять свою проводимость в зависимости от протекшего через них заряда, и, следовательно, имеющие память о своем прошлом состоянии. Для этого ученые использовали тонкие пленки оксида гафния размером 40×40 нм².

0 читать дальше