Установка плазмохимического травления и осаждения ЭТНА-П

Назначение

1. Плазмохимическое осаждение из газовой фазы диэлектрических слоев (SiO2, Si3N4, и др.);

2. Удаление фоторезиста в кислородной плазме;

3. Плазмохимическое травление широкого спектра материалов, очистка и модифицирование поверхности подложек и структур;

4. Атомно-слоевое осаждение тонких конформных слоев.

ЭТНА-П Установка имеет компактные размеры и выполнена в виде моноблока. Реактор выполнен из нержавеющей стали с постоянным верхнем фланцем, несущем на себе функции нагрева и удержания образцов. На нижнем фланце располагается узел генерации индуктивно-связанной плазмы. Загрузка образцов — фронтальная через порт быстрого доступа. Баллоны с газами располагаются в дополнительном шкафу (поставляются отдельно). Ориентирована на лабораторное исследовательское и образовательное применение, а также мелкосерийное производство.

Разработка и производство Россия, ООО «СИТЭК» — в России лучше и многообразнее.

0 читать дальше