Компания «Крокус Наноэлектроника» — совместное предприятие «Роснано» и Crocus Technology — запустила первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти (MRAM). Завод станет первым в мире производством MRAM с проектными нормами 90 нанометров. На 200- и 300-миллиметровые пластины, произведенные по технологии КМОП (комплементарный металлооксидный полупроводник), на заводе наносятся дополнительные слои для создания ячеек памяти MRAM.
К концу 2014 г. производительность составит 500 пластин в неделю. Планируется создание 100 новых рабочих мест.
Общий объем инвестиций в проект превышает 10 млрд рублей, включая софинансирование «Роснано» в размере 4.4 млрд рублей.
Продукция проекта, основанная на MRAM и уникальной технологии MLU (Magnetic-Logic-Unit — магнитная логическая ячейка), разработанной Crocus Technology совместно с IBM, может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия (near-field communications — NFC) и защищенной памяти.
Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 г. превысит 8 млрд долларов.