Согласно результатам, полученным учеными из Института физики
полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, флеш-память с использованием мультиграфена по быстродействию и времени хранения
информации может превосходить аналоги, основанные на других
материалах.
Говорить о масштабном производстве пока рано. «На данный момент
мы занимаемся только фундаментальными исследованиями. Конечно,
опытные образцы существуют, и с ними интенсивно
работают, но для коммерческого применения, скажем в России,
требуется завод с современными технологиями. Стоить он будет
около пяти миллиардов долларов», — отметил старший научный
сотрудник ИФП СО РАН кандидат физико-математических наук Юрий
Николаевич Новиков.
По его словам, в настоящее время графен — тема модная как с точки
зрения фундаментальной науки, так и прикладной. В частности, в ИФП СО РАН рассматривалась возможность применения мультиграфена
(несколько слоев графена) во флеш-памяти. Принцип ее действия
основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического
заряда в запоминающей среде (мультиграфене). Помимо этого
необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния,
второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением
диэлектрической проницаемости.