Старая новость, но я не нашел её на сайте и решил добавить. Сотрудники Физического института им. П.Н. Лебедева РАН (ФИАН) разработали методику получения в алмазе тончайших графитизированных слоев. Уникальные свойства этих слоев в совокупности с разработанной технологией фотолитографии по алмазу открывают перед алмаз-графитовыми структурами большие перспективы по созданию на их основе различных элементов электроники и оптоэлектроники. Часть планарной линейки, предназначенной для детектирования УФ и рентгеновского излучения. Основу электродов линейки составляет тонкий графитизированный слой, расположенный в алмазе на глубине 0,5 мкм (он проявляется зеленым интерференционным цветом), выводы от электродов также сделаны графитизированными до поверхности (покрыты золотыми контактами).

Во Владимире состоялось открытие завода ООО «МСЛР» — первого в России производства плат для электронных устройств, прежде всего светодиодов, требующих отвода тепла.  Запуск нового производства — первый результат сотрудничества РОСНАНО и израильских hi-tech компаний при непосредственном участии венчурного фонда, созданного Российской венчурной компанией. ООО "МСЛР" стало крупнейшим резидентом промышленного парка ВПО «Точмаш».

генеральный директор ООО «МСЛР» Михаил Найш демонстрирует платы нового завода

• 

Участниками проекта являются РОСНАНО, венчурный фонд «Тамир Фишман Си ай Джи», созданный с участием капитала РВК и находящийся под управлением УК «Инновационные решения», а также израильская компания-разработчик технологии Micro Components Ltd. (MCL). Общий бюджет проекта составляет 868 млн рублей, включая софинансирование РОСНАНО в размере 120 млн рублей.

• 

В основе проекта лежит запатентованная технология ALOX™ израильской компании MCL. Подложки, произведенные по данной технологии, состоят из двух основных частей: проводящих слоев алюминия и/или меди, и диэлектрического материала, имеющего нанопористую структуру. Именно он определяет значительные конкурентные преимущества подложек в целом по сравнению с подложками, созданными по традиционной технологии.

Предприятие на первом этапе будет выпускать 10 тысяч панелей в месяц, что позволит, к примеру, изготовить более миллиона светодиодных ламп.

Выход на проектную мощность планируется к 2015 году. Общая выручка компании к этому моменту составит 2 796 млн рублей, а производительность — более 70 тысяч панелей в месяц. Основными продуктами проекта являются платы, используемые для монтажа электронных устройств (72% выручки в 2015 году), а также светодиодные модули (28% выручки в 2015 году). Данные показатели позволят компании к указанному сроку занять от 2 до 4% мирового рынка.

17 февраля 

ОАО «РОСНАНО» и ОАО «СИТРОНИКС» сообщают об открытии производства микросхем на основе технологии 90 нм. Запуск новой линии позволит нарастить производственную мощность завода в два раза до 36 тысяч пластин диаметром 200 мм в год. Общий бюджет проекта составляет 16,5 млрд рублей, включая софинансирование РОСНАНО в размере 6,5 млрд рублей.

• 

«Собственная компонентная база обеспечивает независимость государства, поэтому то, что делают коллеги из СИТРОНИКС и РОСНАНО, будет полностью поддерживаться со стороны руководства страны», — прокомментировал заместитель Председателя Правительства Российской Федерации Дмитрий Рогозин.

На заре микроэлектроники, еще в 1965 году, один из создателей корпорации Intel Гордон Мур высказал предположение, которое впоследствии назвали законом Мура: число транзисторов на кристалле будет удваиваться каждые полтора-два года, а их размеры — с той же скоростью уменьшаться. И если в 1971 году проектные нормы производства микросхем были 10 мкм, то сейчас речь идет о размерах меньше 20 нм.

Ключевой технологией, обеспечивающей достижение этих результатов, является фотолитография. Фотолитографическое оборудование — одно из самых сложных, точных и дорогих в машиностроении. Цена таких установок выросла с десятков тысяч долларов до десятков миллионов.

• 
• Ведущий научный сотрудник Института спектроскопии РАН Константин Кошелев

В последние годы голландская компания ASMLithography разработала фотолитографическое оборудование на длине волны 193 нм с разрешением 32 нм, которое испытывается в Intel и в тайваньской компании TSMC. Однако возможность дальнейшего кардинального уменьшения проектных норм при длине волны источника 193 нм у многих специалистов вызывает сомнения.

Еще в начале 1990-х возникла идея создавать оптическую литографию на длине волны 13,5 нм — это диапазон мягкого рентгена или экстремального ультрафиолета (extreme ultraviolet, EUV). Такая длина волны была выбрана потому, что создать эффективные источники излучения и оптику в диапазоне от 193 до 13,5 нм оказалось невозможно. Проблема в том, что на длине волны 13,5 нм нельзя использовать традиционную преломляющую оптику из-за интенсивного поглощения такого света всеми материалами. Поэтому в подобных оптических системах используют отражающую рентгенооптику, то есть зеркала с соответствующим интерференционным покрытием. 

• 
• Оптическая схема EUV-фотолитографа

Разработкой оптической системы и ее элементов для фотолитографических установок, работающих на этой длине волны, и прототипа самой установки занимается в Институте физики микроструктур (ИМФ) РАН в Нижнем Новгороде член-корреспондент РАН Николай Салащенко. Источник излучения создается под руководством ведущего научного сотрудника Константина Кошелева в Институте спектроскопии (ИСАН) РАН в подмосковном Троицке. А сверхточными системами позиционирования, которые можно использовать и в фотолитографических установках, занимается «Лаборатория “Амфора”» в Москве. 

Технические и экономические подробности...

Новое оборудование, приобретённое в рамках реализации "проекта 90 нм", уже смонтировано, идут пуско-наладочные работы. В этом имел возможность убедиться корреспондент Zelenograd.ru в ходе вчерашней уникальной экскурсии в работающие «чистые» помещения «Микрона». В частности, на участке фотолитографии удалось увидеть работающий по 90 нм «степпер» — установку, на которой проводится важный этап фотолитографии — засветка фоторезиста через маску. Заглянуть в новые чистые помещения, построенные для размещения дополнительного оборудования по проекту 90 нм, не удалось — окна были занавешены, но они по меньшей мере существуют. Там будет проходить завершающая фаза процесса производства чипов — металлизация.

Сроки реализации проекта «90 нм» соответствуют ранее заявленным планам: начало производства в декабре 2011 года, выход на проектную мощность в июле 2012.

Конечными продуктами проекта станут чипы навигационных систем ГЛОНАСС/GPS, промышленной электроники, а также чипы с расширенной функциональностью для биометрических паспортов и других персональных документов, банковских и социальных карт, SIM-карт и RFID-меток. Новые микросхемы будут обладать большей производительностью и объемом памяти, низким энергопотреблением.

В рамках проекта использована лицензия компании ST Microelectronics на технологический процесс изготовления интегральных схем с нормами 90 нм. Однако «Микрон» сильно продвинулся и в создании собственных технологий, заявил Геннадий Красников, который полгода назад покинул должность гендиректора ОАО «НИИМЭ и завод Микрон» и возглавил созданный «Центр развития наноэлектронных технологий», чтобы развивать направление R&D; заниматься и наукой, и коммерциализацией разработок.

Одной из разработок нового дизайн-центра, созданного на «Микроне», станет SIM-карта со встроенной электронно-цифровой подписью (ЭЦП). Реализация дополнительных функций в уже привычных SIM-картах как раз требует увеличения быстродействия, снижения энергопотребления, то есть перехода на меньший топологический размер — с нынешних 130 на 90 нанометров. Геннадий Красников пояснил, что речь идёт, к примеру, о применении технологии «низкопотребляемый КМОП».

На 4pda появилась статья про Российские достижения в технологиях в 2011 году. Почитайте, интересно, всю её сюда тащить не стал. Но вот этот фрагмент решил перепостить

«Ангстрем» является сегодня одним из крупнейших мировых поставщиков микросхем управления для светодиодов (LED–драйверов и контроллеров). В каждом шестом мобильном телефоне в мире есть микросхемы, произведенные на «Ангстреме».

В 2008 году «Ангстрем» произвел и поставил заказчикам 6-миллиардную микросхему и 500-миллионный кристалл для мобильных телефонов. При среднемесячном мировом спросе на микросхемы управления питанием мобильных телефонов в объеме 120 млн. штук, «Ангстрем» поставляет сборочным предприятиям Юго-Восточной Азии до 20 млн. микросхем ежемесячно.

Вот так, кто бы подумал :)

29 декбря ООО "РМТ", проектная компания "Роснано", запустила основное серийное производство термоэлектрических охлаждающих микромодулей. Производственная площадка располагается в Нижнем Новгороде на территории строящегося городского технопарка "Анкудиновка".

• 

Целевая мощность нового производства в 2015 г. составит 2 млн. термоэлектрических охлаждающих микромодулей, что составляет около 10% их нынешнего мирового выпуска. В 2012 г. запланировано произвести 0,5 млн. микромодулей.

• 

Термоэлектрические микромодули ООО "РМТ" используются для охлаждения лазеров, фотоприемников и интегральных микросхем. Новые разработки компании позволяют создавать более мощные устройства, востребованные современной телекоммуникационной, вычислительной и оптоэлектронной отраслями.

Большая часть продукции ООО "РМТ" поступает на экспорт. Основные потребители находятся в США, Европе, Юго-Восточной Азии и других регионах с развитыми производствами опто-, микро- и наноэлектроники.

5 декабря на ОАО «Ангстрем» состоялось открытие нового аппаратно-сборочного цеха по производству микросхем с топологическими нормами 130-90-65 нм. Благодаря производству появится около 300 новых рабочих мест.

• 

9 декабря состоялось открытие нового производственного здания ООО НПП «Элемер». Это предприятие является ведущим в России по производству контрольно-измерительных приборов.

• 

ОАО «Ангстрем» — ведущий разработчик и один из крупнейших производителей интегральных схем в России, странах СНГ и Восточной Европы.

Предприятия «Ангстрем», насчитывают более 1800 рабочих, инженеров и менеджеров, осуществляют разработку, проектирование и производство высокотехнологичных изделий электронной техники, а также занимаются научно-исследовательской, опытно-конструкторской деятельностью и подготовкой научных кадров в области микроэлектроники и нанотехнологий. «Ангстрем» - головной разработчик и основной поставщик электронных компонентов и изделий микроэлектроники для стратегических отраслей российской экономики, включая оборонную и космическую отрасли.

НПП «ЭЛЕМЕР» — российский приборостроительный завод — 19 лет разрабатывает и выпускает приборы КИПиА (контрольно-измерительные приборы и автоматика) и занимает ведущие позиции на рынке систем и средств технологического контроля в России и странах СНГ.

 © Фото из открытых источников

Давно хотелось посмотреть как и где производят элементную базу для нашего, знаменитого на весь мир, оружия. Казалось, что это жутко закрытые объекты, на которые меня не подпустят и на снайперский выстрел.

Помню, когда я был в НИИАР в Димитровграде, там все серьёзно, военные с автоматами, колючая проволока, блокпосты. Тут ничего подобного. Как оказалось, попасть на такой объект достаточно просто. В компании «Миландр" живо откликнулись на мою просьбу сделать о них фото-репортаж, и я, как только появилось свободное время, поехал в Русскую Силиконовую долину — город Зеленоград.

 © Фото из открытых источников

Компания «Миландр» была образована в начале 90-х, но до 2003 года занималась лишь продажей микросхем. Но к началу нулевых возникло понимание, что на «купи-продай» далеко не уедешь. Поэтому, было решено обзавестись собственным производством, и что самое важное — собственной разработкой, как сейчас модно говорить R&D.

ОАО «НИИМЭ и Микрон», крупнейший в России и СНГ разработчик, производитель и экспортер микроэлектроники начал поставки бесконтактных транспортных RFID-билетов для ОАО «Центральная ППК», пригородной пассажирской компании, обслуживающей движение электропоездов на всех направлениях московской железной дороги в пределах Москвы и Московской области.

• 

Разработки центра проектирования российской компании ЗАО «ПКК Миландр»

1901ВЦ1Т

Двухъядерный микроконтроллер: 32-разрядное RISC-ядро с тактовой частотой до 70 МГц, 16-разрядное DSP-ядро с тактовой частотой до 100 МГц.

1986ВЕ1Т

32-разрядный RISC-микроконтроллер для авиационных применений.

К1986ВЕ2Т

32-разрядный RISC-микроконтроллер для счетчиков расхода электроэнергии.

Статья в журнале «ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес» (№5, 2011) — «В России можно создавать современные микросхемы».

Москва, 20 октября 2011 г. – ОАО «НИИМЭ и Микрон», головное предприятие бизнес-направления СИТРОНИКС Микроэлектроника, крупнейший в России и СНГ разработчик, производитель и экспортер микроэлектроники, создает базовую кафедру функциональной наноэлектроники в составе факультета физической и квантовой электроники в Национальном Исследовательском университете «Московский физико-технический институт (МФТИ)». В сентябре 2011 года между предприятием и ВУЗом подписан соответствующий договор.

Кафедра готовит высококвалифицированных специалистов, способных осваивать, разрабатывать и внедрять передовые технологии в области нано- и микроэлектроники. Кафедра будет заниматься подготовкой бакалавров по направлению «физика квантовой электроники» и магистрантов по направлению «физическая технология наноэлектроприборов». В настоящее время проходит набор студентов.

Решениями комиссий, проводивших приемку микросхемы Эльбрус-S и испытания микросхемы КПИ, разрешено приступить к выпуску серийных образцов микросхем и использовать серийные образцы для оснащения образцов вооружения и военной техники, а также информационно-вычислительных и управляющих систем в промышленной сфере.

В городе Гусеве Калининградской области будет построен Центр по исследованию и производству микроэлектроники.
На производственной площадке состоялась торжественная церемония закладки первого камня в фундамент будущего Центра.

Главный инвестор проекта – крупная научно-производственная компания «Дженерал Сателлайт» из Санкт-Петербурга.

Предприятие будет осуществлять завершающую стадию создания электронных устройств. А сбывать продукцию планируется в России и странах Евросоюза.
На новом заводе будут работать 250 первоклассных инженеров. Большая часть специалистов будет набираться в Калининграде, а не командироваться из Санкт-Петербурга и Ленинградской области.

Открытие завода намечено на февраль 2012 года.