Цифровые технологии проникают во все аспекты нашей жизни. В частности, переход на цифровое телевизионное вещание открыло массу новых возможностей от расширения покрытия до значительного улучшения качества сигнала.
Продолжающееся совершенствование электронной аппаратуры, в том числе в данной области, требует создания передовой компонентной базы с характеристиками, которые недостижимы без развития новых микроэлектронных технологий.
Современные стандарты цифрового телевидения — DVB-T/DVB-T2 — накладывают на применяемые в соответствующей аппаратуре мощные СВЧ транзисторы два ключевых требования. Первое из них — высокая линейность при передаче сигнала, необходимая из-за сложного характера его модуляции. Второе требование — высокое значение коэффициента полезного действия, что связано с требованием энергоэффективности передатчика в целом, а также с необходимостью обеспечения меньшей рассеиваемой мощности и меньшей рабочей температуры на кристалле для увеличения надежности и безотказности.












