Российская компания НИИТМ, расположенная в Зеленограде (Москва), завершила разработку и представила опытный образец первой отечественной установки для плазмохимического осаждения на 300-миллиметровых кремниевых пластинах. Это оборудование играет ключевую роль в развитии российской микроэлектронной промышленности. Ранее подобные установки закупались за границей, а доступные отечественные аналоги работали с пластинами меньшего диаметра, что ограничивало количество производимых чипов и увеличивало их себестоимость.

На московском предприятии ГК «Лассард» произведены первые опытные образцы эксимерного лазера, который является ключевым для литографического процесса изготовления микроэлектроники с нормами проектирования вплоть до 65 нм.

Эксимерный лазер, опытные образцы которого сегодня произведены ГК «Лассард», позволяет говорить о том, что мы все ближе к производству литографов на 130 нм (который появится в 2026 году), а в перспективе — и на 90нм, — заявили в Министерстве промышленности.

В период с 2014 года по настоящие время, западными странами в адрес РФ было введено беспрецедентное количество ограничений в части поставки технологий, комплектующих и силовых полупроводниковых приборов. Это привело к своего рода кризисным явлениям в разработке и производстве сварочного оборудования, источников питания.

Начиная с 2016 года специалистами АО «Оптрон-Ставрополь» совместно с ведущими отечественными предприятиями по разработке и производству сварочных аппаратов различных типов, проводятся работы по импортозамещению существующей силовой ЭКБ западной разработки, азиатского производства и разработке новых изделий. В результате проведенных работ были разработаны и освоено серийное производство отечественных ультрабыстрых диодов Д80БВ04; Д150БВ04 с применением технологий пайки в едином Тех. процессе, герметизацией компаундами горячего отверждения серии VSC. Все работы проводятся на оборудовании Российского производства, с использованием отечественных технологий и комплектующих.

Ограничительные меры со стороны недружественных стран способствуют бурному развитию машиностроения и приборостроения в РФ, но для достижения полного технологического суверенитета, в указанных отраслях, требуется модернизация существующей и разработка новой силовой ЭКБ. АО «Оптрон-Ставрополь» занимается разработкой и производством силовых полупроводниковых приборов на основе кристаллов собственного производства (диодные, тиристорные, оптотиристорные).

Группа ученых Уральского отделения РАН и Уральского федерального университета синтезировала новые производные триазолоптеридина — трициклического продукта на основе азотсодержащего гетероциклического соединения пиримидина.

Рис. Получены вещества, которые могут служить полупроводниками в солнечных батареях

После изучения свойств полученных соединений исследователи пришли к выводу, что новые вещества перспективны для применения в качестве полупроводников в различных органических оптоэлектронных устройствах.

• 
•  © politexpert.net

Российские ученые на основе перовскитоподобного комплексного бромида сурьмы создали инновационный полупроводниковый материал для солнечных батарей. Его появление не только увеличит эффективность устройства, но и снизит токсичность производства.

Сегодня многие специалисты пытаются найти аналоги солнечным батареям, основу которых составляют комплексные галогениды свинца. Ключевым отличием таких элементов является простота изготовления, низкая стоимость и высокая эффективность преобразования света. Однако существует и значимый недостаток, который заключается в токсичности производства. Дело в том, что нестабильные галогениды свинца необходимо соединять, с йодом, фтором, бромом и хлором, а это делает аккумуляторы опасными в использовании.

• 
•  © screenshotscdn.firefoxusercontent.com

Российские учёные из Московского физико-технического института (МФТИ) в городе Долгопрудном Московской области сделали открытие, кардинально меняющее представление о построении светоизлучающих устройств. Они смогли обнаружить, что один из используемых при создании лазеров и светодиодов эффектов может работать в «чистых» полупроводниках, что ранее считалось невозможным, говорится в научном журнале Semiconductor Science and Technology.

Речь идёт об эффекте суперинжекции, для достижения которой, по мнению учёных, достаточно использовать лишь один полупроводник.

Окончание обзора по достижениям российского машиностроения в 2018 г. в экспорте, составившем рекордную величину 33,4 млрд долл.

Часть 1: транспортные средства

Часть 2: оборудование и техника

• 
•  © tecmash.ru

• 
•  © tsu.ru

Специалисты Сибирского физико-технического института (СФТИ) ТГУ первыми в мире вырастили сверхтонкие пленки из органических молекул в газовой среде. Такая пленка в 5 тысяч раз тоньше человеческого волоса, благодаря чему появилась возможность создавать полупроводниковые устройства, уникальные по своим характеристикам.

Как рассказали в пресс-службе вуза, основу таких полупроводников отличают не только размер, но и быстродействие, а также низкое потребление энергии. Новые материалы предназначены для производства наноэлектроники, а для их создания томичи использовали единственную в своем роде установку молекулярно-послойной эпитаксии.

— Промышленная установка для выращивания полупроводников из молекул органических соединений была сконструирована сотрудником нашей лаборатории и Университета штата Юта Владимиром Буртманом и собрана по заказу ТГУ в Израиле. Установка позволяет добиться такого расположения молекул на подложке, которое недоступно при любом другом способе создания тонких пленок, — отмечает руководитель лаборатории органической электроники СФТИ ТГУ Татьяна Копылова.

• 

Холдинг «Росэлектроника» и Nedi Technology, входящая в состав крупнейшей китайской корпорации в сфере радиоэлектронных технологий China Electronics Technology Corporation (CETC), подписали соглашение об организации контрактного производства полупроводниковых приборов.

Ученые из Томского государственного университета научились выращивать полупроводники из органических молекул принципиально новым методом — самосборки из газовой фазы. Сверхтонкие пленочные структуры толщиной в несколько десятков молекул позволяют создавать полупроводники с улучшенными характеристиками для использования в устройствах нано и микроэлектроники.

В ТГУ отмечают, что разработанная технология выращивания органических полупроводников, позволит устранить одну из главных проблем молекулярной электроники и наноэлектроники. Она заключается в том, что все устройства, сделанные на основе органических проводящих материалов, разлагаются под воздействием времени, нагрузок и температуры. Новая технология послойного выращивания позволяет формировать очень прочные связи между молекулами, что значительно продлит срок работы устройств.

• 

Ученые из Томского государственного университета научились выращивать полупроводники из органических молекул принципиально новым методом — самосборки из газовой фазы. Сверхтонкие пленочные структуры толщиной в несколько десятков молекул позволяют создавать полупроводники с улучшенными характеристиками для использования в устройствах нано и микроэлектроники. В ТГУ отмечают, что разработанная технология выращивания органических полупроводников, позволит устранить одну из главных проблем молекулярной электроники и наноэлектроники. Она заключается в том, что все устройства, сделанные на основе органических проводящих материалов, разлагаются под воздействием времени, нагрузок и температуры.

Революционный вакуум

• 

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН

Микроэлектронике стало тесно на земле

Развитие полупроводникового материаловедения за последние 30 лет привело к появлению новых высокоточных и наукоемких технологий с использованием глубокого и чистого вакуума. К ним относится молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ).

• 
• Ядерщики Томского политеха, часть 2: кремний и топазы

Ученые лаборатории № 33 Томского политехнического университета (ТПУ) с помощью единственного за Уралом ядерного исследовательского реактора облучают 2% от мирового объема нейтронного легированного кремния, без которого невозможно сделать ни один электроприбор. Кроме того, ученые разрабатывают технологию окраски в небесно-голубые цвета топазов, которые так популярны у женщин.

Всему голова

«Полупроводниковый кремний — это основа всех приборов, существующих в мире. Фотоаппараты, компьютеры — все делается на основе этого материала. Без него невозможно современное развитие техники», - рассказывает заведующий лабораторией № 33 Физико-технического института ТПУ, кандидат технических наук Валерий Варлачев.

• 

Компания ООО «Крокус Наноэлектроника» (КНЭ) — созданное в 2011 году совместное предприятие Crocus Technology, ведущего разработчика технологии полупроводников, усовершенствованной за счет магнитных элементов, и ОАО «РОСНАНО», которое содействует реализации государственной политики по развитию наноиндустрии в Российской Федерации, сообщает об успешном прохождении сертификации своих чистых комнат, расположенных в Москве (Россия) в соответствии с требованиями ISO 14644–1.

Чистые комнаты на производственных площадях сертифицированы по самому современному классу — 1000 (ISO 6). Теперь эти чистые комнаты готовы к размещению оборудования и являются сердцем первого в России завода по изготовлению микросхем на пластинах диаметром 300мм, производительность которого составит до 1000 пластин в неделю.

«Сертификация наших чистых комнат — очень важная веха в подготовке завода. Мы надеемся подключить оборудование чистых комнат к инфраструктуре завода в следующем квартале и начать процесс квалификации оборудования завода в сентябре 2014 года. Достижение этой вехи произошло также благодаря нашему генеральному подрядчику — компании Faeth, которая закончила работы по инфраструктуре завода и чистым комнатам, а также получила контракт на проведение работ по подключению оборудования к инфраструктуре завода» — сообщил Марк Дидик, Генеральный директор КНЭ.

Специалисты Томского института сильноточной электроники СО РАН разработали уникальную установку, которая позволяет получать полупроводники и металлические материалы с качественно новыми свойствами для микроэлектроники. Установка создана для Польского ядерного центра.

У установки нет аналогов в мире. В ней совмещены сразу две возможности – имплантации материалов многозарядными ионами и исправления возникающих при этом дефектов, с помощью импульсного сильноточного электронного пучка. Оборудование предназначено для получения полупроводниковых и металлических материалов с качественно новыми свойствами, которые будут использоваться в области микроэлектроники и приборостроения.

Профессор Национального центра ядерных исследований Польши Збигнев Вернер отметил, что польская сторона уже имела успешный опыт сотрудничества с томскими коллегами.

• 

Завод полупроводниковых приборов ( г. Йошкар-Ола.входит в холдинг «Росэлектроника» госкорпорации «Ростех» ) запустил на своем производстве новую линию литья керамической ленты, которые применяется при изготовлении корпусов для всех типов интегральных микросхем, используемых в отечественной электронике, в том числе военного назначения.

Технические возможности новой линии Завода полупроводниковых приборов позволят получать пленки толщиной менее 300 мкм, которые необходимы для разработки и освоения современных сложны корпусов для интегральных микросхем с числом выводов более 250 и шагом выводов менее 0,5 мм, а также миниатюрных безвыходных корпусов типа LCC.

Потребности рынка в таких изделиях постоянно растут и составляют на сегодняшний день в денежном выражении порядка 200 млн рублей для миниатюрных корпусов типа LCC и более 50 млн рублей для сложных многовыводных корпусов.

Технология ученых ТГУ стала основой проекта по организации серийного производства уникального оборудования: портативной рентгеновской аппаратуры  нового типа

• 

Агентство стратегических инициатив (Москва) приняло решение поддержать проект «Детекторы и рентгеновские аппараты: создание инновационного производства арсенид-галлиевых полупроводниковых детекторов цифрового цветового изображения и мобильных рентгеновских аппаратов нового поколения на их основе». Задачей проекта станет организация производства и вывод на мировой рынок наукоемкой конкурентоспособной продукции нового поколения в области цифровой радиографии, основанной на уникальных отечественных технологиях. Общая стоимость проекта – 880 млн. рублей.

- На мировом рынке сейчас 80% детекторов поставляет японская фирма «Хамамацу», и в них каждый квант регистрируется с помощью сцинтилляторов – то есть кванты поглощаются и преобразовываются в световой импульс, а уже фотоприемники преобразуют их дальше в импульсы тока. Но мы знаем, что свет распространяется во все стороны, поэтому у таких детекторов низкий КПД – всего 7-8%, - рассказывает автор проекта Олег Толбанов, профессор ТГУ, руководитель Научно-образовательного центра «Физика и электроника сложных полупроводников». - Наши детекторы преобразовывают энергию каждого кванта в импульсы электрического тока, а затем специальными электронными чипами считают эти импульсы. В итоге эффективность сбора заряда (КПД) достигает 95%.

В Институте физики полупроводников (ИФП) СО РАН начались работы по изготовлению и испытанию пилотной установки для синтеза полупроводниковых наноструктур «Экран-М», которая разместится на борту МКС. Об этом сообщил в пятницу РИА Новости заместитель директора по научной работе института, руководитель этого проекта, профессор Олег Пчеляков.

В полупроводниковой электронике используют кристаллические материалы, которые выращивают в условиях глубокого вакуума. От чистоты полупроводниковых материалов зависит однородность полученных кристаллов, которая дает возможность изменять и контролировать их проводящие свойства с помощью вносимых в дальнейшем примесей (легирования).

По словам Пчелякова, синтез качественных полупроводниковых материалов на Земле требует установок, которые стоят миллионы долларов и заметно уступают по чистоте вакуума естественному космическому пространству.

«Цель проекта — создание минифабрики для производства новых полупроводниковых материалов на орбите. Кильватерный след за прикрепленным к борту космического корабля молекулярным экраном — это область сверхглубокого вакуума и идеальная среда для роста полупроводниковых кристаллов, своеобразная вакуумная лаборатория. В нее не попадают даже отдельные молекулы разреженного газа, не говоря уже о кислороде и других элементах, отсутствие которых гарантирует качество растущей пленки полупроводника», — сказал Пчеляков.

РОСНАНО все привыкли ругать на чем свет стоит, заодно упоминая, что бюджеты утекают, а реальных результатов как не было, так и нет. Но есть российская наука, есть молодые компании, которые РОСНАНО поддерживает, и все это начинает приносить первые плоды. В этой статье мы расскажем о некоторых удачных вложениях и интересных российских проектах