-
-
- Образцы пластин силовых диодов
- © misis.ru
Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» разработал новый тип силовых диодов с оптимизированной кремниевой структурой. Получены экспериментальные образцы с характеристиками превышающими импортные аналоги. Разработана технология промышленного получения новых полупроводников, которая может быть применена при производстве кремниевых биполярных приборов и интегральных схем. Внедрение технологии в полупроводниковое производство позволит существенно повысить качество целого сегмента отечественной электронной компонентной базы, что будет способствовать дальнейшему движению к технологической независимости по программе замещения импорта.
-
-
Новосибирские физики разработали более десятка новых материалов и технологий в области уникальных трехмерных наноструктур. Об этом сообщает издание сибирского отделения РАН «Наука в Сибири».
-
Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех освоил выпуск варикапов, способных заместить импортные изделия, использующиеся в российской радиоэлектронной аппаратуре.
Варикапы — полупроводниковые диоды, работа которых основана на зависимости ёмкости p-n-перехода от обратного напряжения. Применяются в качестве элементов с электрически управляемой ёмкостью в схемах перестройки частоты колебательного контура в частотноизбирательных цепях, деления и умножения частоты, частотной модуляции, управляемых фазовращателей.
Изделия разработаны входящим в холдинг НИИ полупроводниковых приборов. По своим электрическим параметрам (емкость, коэффициент перекрытия) они не уступают зарубежным аналогам, а по некоторым характеристикам превосходят их. В частности, российские арсенид-галлиевые приборы имеют лучшие характеристики по добротности: ее значение достигает 1000 и более на частоте 50 МГц.
-
-
Новосибирскими физиками из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН разработан новый стандарт измерения нановысоты — идеально гладкой поверхности.
-
-
( г. Йошкар-Ола.входит в холдинг «Росэлектроника» госкорпорации «Ростех» ) запустил на своем производстве новую линию литья керамической ленты, которые применяется при изготовлении корпусов для всех типов интегральных микросхем, используемых в отечественной электронике, в том числе военного назначения.
Технические возможности новой линии Завода полупроводниковых приборов позволят получать пленки толщиной менее 300 мкм, которые необходимы для разработки и освоения современных сложны корпусов для интегральных микросхем с числом выводов более 250 и шагом выводов менее 0,5 мм, а также миниатюрных безвыходных корпусов типа LCC.
Потребности рынка в таких изделиях постоянно растут и составляют на сегодняшний день в денежном выражении порядка 200 млн рублей для миниатюрных корпусов типа LCC и более 50 млн рублей для сложных многовыводных корпусов.
-
Ученые ИЯФ создали систему нагрева для термоядерного реактора
Сотрудники новосибирского Института ядерной физики (ИЯФ) СО РАН создали опытный образец инжектора для термоядерного реактора.Как рассказал замдиректора института Александр Иванов, сотрудники ИЯФа построили стенд для разработки мощных инжекторов нейтральных пучков, по сути это опытный образец системы нагрева плазмы для термоядерных реакторов. «Я бы сказал, что наш институт является мировым лидером в создании этих систем», — отметил г-н Иванов.
-
В Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН разработали технологию получения фоточувствительного материала в виде пленочных структур твердых растворов соединения теллурида кадмия и ртути (КРТ), которые предназначены для производства инфракрасных прицелов и систем наблюдения нового поколения.
В Институте физики полупроводников научились получать КРТ в виде сложных пленочных структур толщиной от долей микрона до 10-15 микрон новым высоко технологичным методом молекулярно-лучевой эпитаксии - ориентированного роста одного кристалла на поверхности другого.
«Мы можем получать такие пленочные структуры со слоями различных составов КРТ, которые чувствительны к излучению в различных областях инфракрасного спектра. Это позволяет, в отличие от объемного материала, использовавшегося до сих пор, создать многоспектральные фотоприемники, получить гораздо более полную и достоверную информацию об интересующем объекте», - сообщил ИТАР-ТАСС руководитель группы разработчиков Сергей Дворецкий.
В результате конструкции инфракрасных устройств будут проще, в несколько раз уменьшатся их габариты, электропотребление и стоимость. Применение пленочных структур КРТ позволит разработать и производить широкий спектр инфракрасной техники, которой можно обеспечить практически каждого солдата, не говоря уж о самолетах, танках и другой технике.
Кроме того, одно из преимуществ таких структур перед объемными кристаллами заключается практически в 100-процентном использовании материала при изготовления инфракрасных приборов. В случае же объемных кристаллов КРТ только 1% ценного исходного сырья используется при изготовлении приборов, а остальные 99% уходят в отходы.
