В Институте физики
полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН
разработали технологию получения фоточувствительного материала в
виде пленочных структур твердых растворов соединения теллурида
кадмия и ртути (КРТ), которые предназначены для производства
инфракрасных прицелов и систем наблюдения нового
поколения.
В
Институте физики полупроводников научились получать КРТ в виде
сложных пленочных структур толщиной от долей микрона до 10-15
микрон новым высоко технологичным методом молекулярно-лучевой
эпитаксии - ориентированного роста одного кристалла на
поверхности другого.
«Мы
можем получать такие пленочные структуры со слоями различных
составов КРТ, которые чувствительны к излучению в различных
областях инфракрасного спектра. Это позволяет, в отличие от
объемного материала, использовавшегося до сих пор, создать
многоспектральные фотоприемники, получить гораздо более полную и
достоверную информацию об интересующем объекте», - сообщил
ИТАР-ТАСС руководитель группы разработчиков Сергей
Дворецкий.
В
результате конструкции инфракрасных устройств будут проще, в
несколько раз уменьшатся их габариты, электропотребление и
стоимость. Применение пленочных структур КРТ позволит разработать
и производить широкий спектр инфракрасной техники, которой можно
обеспечить практически каждого солдата, не говоря уж о самолетах,
танках и другой технике.
Кроме того, одно из преимуществ таких структур перед объемными
кристаллами заключается практически в 100-процентном
использовании материала при изготовления инфракрасных приборов. В
случае же объемных кристаллов КРТ только 1% ценного исходного
сырья используется при изготовлении приборов, а остальные 99%
уходят в отходы.